JP2014112668A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板における高アスペクト比ギャップ内に誘電酸化物を共形に蒸着する方法であって、
   （ａ）約５：１よりも大きな深さ対幅のアスペクト比を各々有する１つ以上のギャップを備える基板を反応チャンバ内に準備し、
   （ｂ）共形膜蒸着（ＣＦＤ）によって、第１の誘電酸化物層を前記１つ以上のギャップ内に蒸着し、ＣＦＤによって前記第１の誘電酸化物層を前記１つ以上のギャップ内に蒸着することは、
   前記基板表面上に第１の反応物質を吸着可能な条件下で、前記反応チャンバ内に前記第１の反応物質を気相状態で導入し、
   前記第１の反応物質が前記基板表面上に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に第２の反応物質を気相状態で導入し、前記第２の反応物質は、前記第１の反応物質を前記反応チャンバ外にスイープさせることなく導入され、
   前記基板表面をプラズマに暴露させることによって、前記基板表面上で前記第１の反応物質と前記第２の反応物質との間の反応を促進させ、前記第１の誘電酸化物層を形成すること、を含み、
   （ｃ）プラズマエッチングを用いて、前記第１の誘電酸化物層の一部をエッチングし、前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチングは、各ギャップの上面近傍における前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチング速度を前記ギャップの底面近傍におけるエッチング速度よりも速くすることにより実行され、これにより前記第１の誘電酸化物層は各ギャップの前記上面から前記底面に向かいテーパする形状を有し、
   （ｄ）ＣＦＤによって、前記１つ以上のギャップ内で、前記第１の誘電酸化物層の上に第２の誘電酸化物層を蒸着すること、
   を備える、方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、さらに、
   前記（ｂ）〜（ｄ）を繰り返して、前記１つ以上のギャップを実質的に埋め込むことを備える、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、
   前記第２の誘電酸化物層を蒸着することは、前記１つ以上のギャップを実質的に埋め込むことを含む、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、さらに、
   プラズマ活性エッチャントを生成するために遠隔プラズマ内にフッ素含有種を流入させ、
   前記第１の誘電酸化物層と反応させて前記エッチングを実行するために前記プラズマ活性エッチャントを前記反応チャンバ内に流入させること、
   を備える、方法。
5. 請求項４に記載の方法であって、
   前記フッ素含有種は、三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含む、方法。
6. 請求項４に記載の方法であって、さらに、
   前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチングを行う際に、前記反応チャンバ内に水素（Ｈ_２）を流すことを備える、方法。
7. 請求項６に記載の方法であって、
   前記フッ素含有種に対する水素の流量比は、約１：１〜５：１の間である、方法。
8. 請求項１に記載の方法であって、
   前記第１の誘電酸化物層及び前記第２の誘電酸化物層は各々、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、方法。
9. 請求項１に記載の方法であって、
   前記第１の誘電酸化物層の厚みは、約１００Å〜５００Åである、方法。
10. 基板における高アスペクト比ギャップ内に誘電酸化物を共形に蒸着する装置であって、
    反応チャンバと、
    前記反応チャンバに接続されているプラズマ源と、
    制御部であって、
    （ａ）約５：１よりも大きな深さ対幅のアスペクト比を各々有する１つ以上のギャップを備える基板を前記反応チャンバ内に準備し、
    （ｂ）共形膜蒸着（ＣＦＤ）によって、第１の誘電酸化物層を前記１つ以上のギャップ内に蒸着し、ＣＦＤによって前記第１の誘電酸化物層を前記１つ以上のギャップ内に蒸着することは、
    前記基板表面上に第１の反応物質を吸着可能な条件下で、前記反応チャンバ内に前記第１の反応物質を気相状態で導入し、
    前記第１の反応物質が前記基板表面上に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に第２の反応物質を気相状態で導入し、前記第２の反応物質は、前記第１の反応物質を前記反応チャンバ外にスイープさせることなく導入され、
    前記基板表面をプラズマに暴露させることによって、前記基板表面上で前記第１の反応物質と前記第２の反応物質との間の反応を促進させ、前記第１の誘電酸化物層を形成すること、を含み、
    （ｃ）プラズマエッチングを用いて、前記第１の誘電酸化物層の一部をエッチングし、前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチングは、各ギャップの上面近傍における前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチング速度を前記ギャップの底面近傍におけるエッチング速度よりも速くすることにより実行され、これにより前記第１の誘電酸化物層は各ギャップの前記上面から前記底面に向かいテーパする形状を有し、
    （ｄ）ＣＦＤによって、前記１つ以上のギャップ内で、前記第１の誘電酸化物層の上に第２の誘電酸化物層を蒸着すること、を実行する命令を備える制御部、
    を備える装置。
11. 請求項１０に記載の装置であって、
    前記制御部は、さらに、前記（ｂ）〜（ｄ）を繰り返して、前記１つ以上のギャップを実質的に埋め込むことを実行する命令を備える、装置。
12. 請求項１０に記載の装置であって、
    前記第２の誘電酸化物層を蒸着する命令を備える前記制御部は、さらに、前記１つ以上のギャップを実質的に埋め込む命令を備える、装置。
13. 請求項１０に記載の装置であって、
    前記制御部は、さらに、
    プラズマ活性エッチャントを生成するために前記プラズマ源内にフッ素含有種を流入させ、
    前記第１の誘電酸化物層と反応させて前記エッチングを実行するために前記プラズマ活性エッチャントを前記反応チャンバ内に流入させる、ことを実行する命令を備える、装置。
14. 請求項１３に記載の装置であって、
    前記制御部は、さらに、前記第１の誘電酸化物層の一部のエッチングを行う際に、前記反応チャンバ内に水素（Ｈ_２）を流入させることを実行する命令を備える、装置。