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Description
一態様においては、マスクを有する被処理体を処理する方法が提供される。この方法は、(a)被処理体を収容したプラズマ処理装置の処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスを含む第1のガスのプラズマを生成して反応前駆体を形成する第1工程と、(b)処理容器内の空間をパージする第2工程と、(c)処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成してシリコン酸化膜を形成する第3工程と、(d)処理容器内の空間をパージする第4工程と、を含むシーケンスを繰り返してシリコン酸化膜を形成する。
ハロゲン化ケイ素ガス、例えば、SiCl4ガス、SiBr4ガス、SiF4ガス、又はSiH2Cl 4 ガスは、常温で気化状態にある。したがって、一態様に係る方法によれば、気化器を有する専用の成膜装置を用いずに、シリコンを含む前駆体を、低温でマスク上に堆積させることが可能である。また、この方法では、第2工程においてパージが行われ、続く第3工程において前駆体中のハロゲン元素が酸素に置換されシリコン酸化膜が形成される。その後、第4工程においてパージが行われる。なお、第2工程及び第4工程におけるパージは、ハロゲン化ケイ素ガスと酸素ガスとが同時に処理容器内に存在することを防止するために処理容器内のガスを置換する目的で行われるのであり、不活性ガスを処理容器内に流すガスパージ又は真空引きによるパージの何れであってもよい。したがって、ALD法と同様に、第1〜第4工程を含む1回のシーケンスの実行により、薄い膜厚を有するシリコン酸化膜をマスク上に比較的均一な膜厚で形成することができる。即ち、1回のシーケンスの実行により、薄い膜厚を有するシリコン酸化膜をコンフォーマルに形成することができる。故に、この方法は、マスクの開口幅の調整の制御性に優れている。さらに、マスクがシリコン酸化膜によって覆われるので、当該マスクのLER(Line Edge Roughness)も向上され得る。
載置台PDは、その上面においてウエハWを保持する。載置台PDは、下部電極LE及び静電チャックESCを有している。下部電極LEは、第1プレート18a及び第2プレート18bを含んでいる。第1プレート18a及び第2プレート18bは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第2プレート18bは、第1プレート18a上に設けられており、第1プレート18aに電気的に接続されている。
次いで、方法MT1では、シーケンスSQが一回以上実行される。シーケンスSQは、工程ST3、工程ST4、工程ST5、及び工程ST6を含んでいる。工程ST3では、処理容器12内においてハロゲン化ケイ素ガスを含む第1のガスのプラズマが生成される。具体的には、ガスソース群40の複数のガスソースのうち選択されたガスソースから、ハロゲン化ケイ素ガス及び希ガスが処理容器12内に供給される。また、第1の高周波電源62から高周波電力が供給される。さらに、排気装置50を動作させることにより、処理容器12内の空間の圧力が所定の圧力に設定される。これにより、第1のガスのプラズマが生成される。第1のガスは、ハロゲン化ケイ素ガスとして、例えば、SiCl4ガスを含む。また、第1のガスは、Arガス又はHeガスといった希ガスを更に含み得る。なお、第1のガスは、ハロゲン化ケイ素ガスとして、SiBr4ガス、SiF4ガス、又はSiH2Cl 4 ガスを含んでいてもよい。
かかるシーケンスSQの工程ST3では、前駆体用のガスとしてハロゲン化ケイ素ガスが用いられている。ハロゲン化ケイ素ガス、例えば、SiCl4ガス、SiBr4ガス、SiF4ガス、又はSiH2Cl 4 ガスは、常温で気化状態にある。したがって、工程ST3では、気化器を有する専用の成膜装置を用いずに、シリコンを含む前駆体を、低温でウエハW上に堆積させることが可能である。
また、一実施形態では、工程ST3の実行時に、第2の高周波電源64からの高周波バイアス電力は下部電極LEに殆ど供給されない。これは、バイアス電力を印加すると異方性成分が生じることによる。このようにバイアス電力を最小限にすることにより、前駆体を等方的にウエハWに付着させることができる。その結果、マスクMK1の上面及び側面、並びに当該マスクMK1の下地の表面のそれぞれに形成されるシリコン酸化膜の膜厚の均一性が更に向上される。なお、第2の高周波電源64を用いてプラズマを生成する場合は、前駆体を等方的に付着させるためにイオンエネルギーを最小限にする条件の選択が必要となる。また、工程ST5の実行は工程ST3で付着した前駆体をシリコン酸化膜に置換するため、前述の工程ST3と同様な等方的な反応が必要となる。そのため工程ST5においても第2の高周波電源64からの高周波バイアス電力は下部電極LEに殆ど供給されない。
方法MT2では、次いで、工程ST25、工程ST26、工程ST27、及び工程ST28を含むシーケンスSQ2が所定回数実行される。シーケンスSQ2はシーケンスSQと同様のシーケンスである。したがって、工程ST25、工程ST26、工程ST27、及び工程ST28はそれぞれ、工程ST3、工程ST4、工程ST5、工程ST6と同様の工程である。
Claims (13)
- マスクを有する被処理体を処理する方法であって、
被処理体を収容したプラズマ処理装置の処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスを含む第1のガスのプラズマを生成して反応前駆体を形成する第1工程と、
前記処理容器内の空間をパージする第2工程と、
前記処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成してシリコン酸化膜を形成する第3工程と、
前記処理容器内の空間をパージする第4工程と、
を含むシーケンスを繰り返してシリコン酸化膜を成膜する、方法。 - 前記第1工程では、前記処理容器内の圧力が13.33Pa以上の圧力であり、プラズマ生成用の高周波電源の電力が100W以下である高圧低電力の条件に設定される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1工程では、イオンを引き込み用のバイアス電力が前記被処理体を支持する載置台に印加されない、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ハロゲン化ケイ素ガスは、SiCl4ガスである請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。
- 前記被処理体は、被エッチング層、該被エッチング層上に設けられた有機膜、及び、該有機膜上に設けられたシリコン含有反射防止膜を更に有し、
前記マスクは、前記反射防止膜上に設けられたレジストマスクであり、
該方法は、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の後、前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記反射防止膜の表面上の酸化シリコン製の領域を除去する工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記反射防止膜をエッチングする工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜をエッチングする工程と、
を更に含む、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の前に、前記処理容器内でプラズマを発生させて前記プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加することにより、前記マスクに二次電子を照射する工程を更に含む、
請求項5に記載の方法。 - 前記被処理体は、被エッチング層、及び、該被エッチング層上に設けられた有機膜を更に有し、前記マスクは、前記有機膜上に設けられており、
該方法は、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、その上にレジストマスクを有する反射防止膜をエッチングする工程であり、該反射防止膜から前記マスクが形成される工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜をエッチングする工程と、
を更に含み、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスは、前記反射防止膜をエッチングする前記工程と前記有機膜をエッチングする前記工程との間に実行され、
該方法は、前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の後、前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜の表面上の酸化シリコン製の領域を除去する工程を更に含む、
請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記反射防止膜をエッチングする前記工程の前に、前記処理容器内でプラズマを発生させて前記プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加することにより、前記レジストマスクに二次電子を照射する工程を更に含む、
請求項7に記載の方法。 - 前記反射防止膜をエッチングする前記工程の実行後、且つ、前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行前に、前記被処理体上に酸化シリコン製の保護膜を形成する工程を更に含む、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記処理容器内でプラズマが生成され、且つ、前記プラズマ処理装置のシリコン製の上部電極に、負の直流電圧が印加される、請求項9に記載の方法。 - 前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスのプラズマが生成される、請求項9に記載の方法。
- 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記プラズマ処理装置の酸化シリコン製の上部電極にプラズマ生成用の高周波電力が供給されることにより、水素ガス及び希ガスを含む混合ガスのプラズマが生成される、請求項9に記載の方法。 - 前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の後、前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記シリコン酸化膜の、前記マスクの側面に沿って延在する領域が残されるように、該シリコン酸化膜をエッチングする工程を更に含む、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。
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