JP2016076621A - 被処理体を処理する方法 - Google Patents
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- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Abstract
【解決手段】一実施形態の方法は、(a)被処理体を収容したプラズマ処理装置の処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスを含む第1のガスのプラズマを生成して反応前駆体を形成する第1工程と、(b)処理容器内の空間をパージする第2工程と、(c)処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成してシリコン酸化膜を形成する第3工程と、(d)処理容器内の空間をパージする第4工程と、を含むシーケンスを繰り返してシリコン酸化膜を成膜する。
【選択図】図1
Description
・処理容器内圧力:50mTorr(6.66Pa)
・水素ガス流量:100sccm
・Arガス流量:800sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、300W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・電源70の印加電圧:−1000V
・処理時間:60秒
<工程ST3の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・SiCl4ガス流量:20sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、100W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
<工程ST5の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・酸素ガス流量:200sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、500W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
・処理容器内圧力:50mTorr(6.66Pa)
・水素ガス流量:100sccm
・Arガス流量:800sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、300W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・電源70の印加電圧:−1000V
・処理時間:60秒
<工程ST3の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・SiCl4ガス流量:20sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、100W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
<工程ST5の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・酸素ガス流量:200sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、500W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
・処理容器内圧力:50mTorr(6.66Pa)
・水素ガス流量:100sccm
・Arガス流量:800sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、300W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・電源70の印加電圧:−1000V
・処理時間:60秒
<工程ST3の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・SiCl4ガス流量:20sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、100W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
<工程ST5の条件>
・処理容器内圧力:200mTorr(26.66Pa)
・酸素ガス流量:200sccm
・Arガス流量:200sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力(上部電極30に供給):60MHz、500W
・第2の高周波電源64の高周波バイアス電力:13MHz、0W
・処理時間:5秒
Claims (12)
- マスクを有する被処理体を処理する方法であって、
被処理体を収容したプラズマ処理装置の処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスを含む第1のガスのプラズマを生成して反応前駆体を形成する第1工程と、
前記処理容器内の空間をパージする第2工程と、
前記処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成してシリコン酸化膜を形成する第3工程と、
前記処理容器内の空間をパージする第4工程と、
を含むシーケンスを繰り返してシリコン酸化膜を成膜する、方法。 - 前記第1工程では、前記処理容器内の圧力が13.33Pa以上の圧力であり、プラズマ生成用の高周波電源の電力が100W以下である高圧低電力の条件に設定される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1工程では、イオンを引き込み用のバイアス電力が前記被処理体を支持する載置台に印加されない、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ハロゲン化ケイ素ガスは、SiCl4ガスである請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。
- 前記被処理体は、被エッチング層、該被エッチング層上に設けられた有機膜、及び、該有機膜上に設けられたシリコン含有反射防止膜を更に有し、
前記マスクは、前記反射防止膜上に設けられたレジストマスクであり、
該方法は、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の後、前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記反射防止膜の表面上の酸化シリコン製の領域を除去する工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記反射防止膜をエッチングする工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜をエッチングする工程と、
を更に含む、請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の前に、前記処理容器内でプラズマを発生させて前記プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加することにより、前記マスクに二次電子を照射する工程を更に含む、
請求項5に記載の方法。 - 前記被処理体は、被エッチング層、及び、該被エッチング層上に設けられた有機膜を更に有し、前記マスクは、前記有機膜上に設けられており、
該方法は、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、その上にレジストマスクを有する反射防止膜をエッチングする工程であり、該反射防止膜から前記マスクが形成される工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜をエッチングする工程と、
を更に含み、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスは、前記反射防止膜をエッチングする前記工程と前記有機膜をエッチングする前記工程との間に実行され、
該方法は、前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行の後、前記処理容器内で発生させたプラズマにより、前記有機膜の表面上の酸化シリコン製の領域を除去する工程を更に含む、
請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。 - 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記反射防止膜をエッチングする前記工程の前に、前記処理容器内でプラズマを発生させて前記プラズマ処理装置の上部電極に負の直流電圧を印加することにより、前記レジストマスクに二次電子を照射する工程を更に含む、
請求項7に記載の方法。 - 前記反射防止膜をエッチングする前記工程の実行後、且つ、前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、及び前記第4工程を含むシーケンスの実行前に、前記被処理体上に酸化シリコン製の保護膜を形成する工程を更に含む、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記処理容器内でプラズマが生成され、且つ、前記プラズマ処理装置のシリコン製の上部電極に、負の直流電圧が印加される、請求項9に記載の方法。 - 前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記処理容器内で、ハロゲン化ケイ素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスのプラズマが生成される、請求項9に記載の方法。
- 前記プラズマ処理装置は容量結合型のプラズマ処理装置であり、
前記酸化シリコン製の保護膜を形成する前記工程では、前記プラズマ処理装置の酸化シリコン製の上部電極にプラズマ生成用の高周波電力が供給されることにより、水素ガス及び希ガスを含む混合ガスのプラズマが生成される、請求項9に記載の方法。
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