JP2011097029A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
    １ａ）前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
    １ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、及び、
    １ｃ）露出した前記シリコン表面を酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
    を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
  2. シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
    ２ａ）前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
    ２ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、
    ２ｃ）露出した前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
    ２ｄ）前記二酸化珪素膜の少なくとも一部分をウエットエッチングにより除去する工程、及び、
    ２ｅ）前記二酸化珪素膜が除去されて露出した部分のシリコン表面を酸化処理して前記二酸化珪素膜よりも厚みの薄い二酸化珪素膜を形成する工程、
    を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
  3. シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
    ３ａ）前記シリコン表面を酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
    ３ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、
    ３ｃ）露出した前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
    ３ｄ）前記二酸化珪素膜の少なくとも一部分をウエットエッチングにより除去する工程、及び、
    ３ｅ）前記二酸化珪素膜が除去されて露出した部分のシリコン表面を酸化処理して前記二酸化珪素膜よりも厚みの薄い二酸化珪素膜を形成する工程、
    を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
  4. 工程２ｃと工程２ｄを繰り返し行う請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 工程３ｃと工程３ｄを繰り返し行う請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記酸化処理を、前記プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記プラズマのＯ（１Ｄ２）ラジカルの密度が１×１０１２［ｃｍ−３］以上である請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記処理容器内の圧力が、１．３３〜３３３Ｐａの範囲内である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記処理ガス中の酸素の割合が０．２〜１％の範囲内である、請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記処理ガスは、水素を１％以下の割合で含む請求項７から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波と、によって形成されるマイクロ波励起プラズマである請求項７から１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記プラズマを励起させるためのマイクロ波のパワー密度が、マイクロ波透過板の面積１ｃｍ２あたり１Ｗ以上である請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記プラズマ酸化処理の間、被処理体を載置する載置台に、高周波電力を供給する請求項７から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 前記二酸化珪素膜が、トランジスタのゲート酸化膜である請求項１から１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5981206B2 (ja) * 2012-04-20 2016-08-31 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
CN103258732B (zh) * 2013-05-07 2016-08-24 上海华力微电子有限公司 防止硅衬底表面损伤的方法
US9379132B2 (en) * 2014-10-24 2016-06-28 Sandisk Technologies Inc. NAND memory strings and methods of fabrication thereof
US20160172190A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-16 United Microelectronics Corp. Gate oxide formation process
JP2016134614A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN109071847B (zh) * 2016-03-31 2022-02-01 株式会社Lg化学 用于制备阻挡膜的方法
EP3291008A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus
CN111627810B (zh) * 2020-06-05 2022-10-11 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体结构及其制造方法
JP2023518650A (ja) 2020-06-29 2023-05-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨のための蒸気発生の制御
KR102497494B1 (ko) * 2021-06-03 2023-02-08 주식회사 기가레인 기판 배치 유닛
KR102461496B1 (ko) * 2021-06-03 2022-11-03 주식회사 기가레인 기판 배치 유닛
CN116759325B (zh) * 2023-08-23 2023-11-03 江苏卓胜微电子股份有限公司 用于监控离子注入剂量的阻值监控方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3505493B2 (ja) * 1999-09-16 2004-03-08 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004153037A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005072358A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP4989076B2 (ja) * 2005-01-12 2012-08-01 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
TW200629421A (en) * 2005-01-12 2006-08-16 Sanyo Electric Co Method of producing semiconductor device
JP4509864B2 (ja) * 2005-05-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US7799649B2 (en) * 2006-04-13 2010-09-21 Texas Instruments Incorporated Method for forming multi gate devices using a silicon oxide masking layer
JP2008053535A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び不揮発性記憶装置の製造方法
US7989364B2 (en) * 2006-08-28 2011-08-02 National University Corporation Nagoya University Plasma oxidation processing method
JP5229711B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-03 国立大学法人名古屋大学 パターン形成方法、および半導体装置の製造方法
JP5029089B2 (ja) * 2007-03-26 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置
KR101249611B1 (ko) * 2008-01-24 2013-04-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실리콘 산화막의 형성 방법, 기억 매체, 및 플라즈마 처리 장치
KR101250057B1 (ko) * 2008-02-08 2013-04-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 절연막의 플라즈마 개질 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

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