JP2011176095A5 - - Google Patents

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  1. 基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、
    前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸
    化シリコン膜に改質する改質工程と、
    前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  2. 前記膜形成工程は、前記基板にシリコンで構成されたシード層を形成し、前記シード層に前記シリコン膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記膜形成工程において形成される前記シリコン膜はアモルファスシリコンであり、前記改質工程において前記酸化シリコン膜とならない部分の前記シリコン膜はポリシリコン膜に改質される請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記シード層と前記シリコン膜は異なるシリコン含有ガスによって形成される請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 基板を処理する処理室と、
    前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、
    前記処理室内に少なくとも酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
    前記処理室内に少なくともハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給系と、
    前記シリコン含有ガス供給系が前記処理室内に少なくとも前記シリコン含有ガスを供給し前記基板にシリコン膜を形成し、前記酸素含有ガス供給系が前記処理室内に前記酸素含有ガスを供給し前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質し、前記ハロゲン含有ガス供給系が前記処理室内に前記ハロゲン含有ガスを供給し前記酸化シリコン膜を除去するように制御するコントローラと、
    を有する基板処理装置。
  6. 基板にシリコン膜を形成する膜形成工程と、
    前記シリコン膜に酸化種を供給し、前記シリコン膜を熱処理し前記シリコン膜の表層を酸化シリコン膜に改質する改質工程と、
    前記酸化シリコン膜を除去する除去工程と、
    を有する基板処理方法。
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