JP2010161350A5 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 硬化された層である硬化層レジストと、前記硬化層の下層に形成されたドーパント混入レジストが塗布された基板を処理室に搬入する工程と、
   前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスを供給し、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記硬化層レジストを除去する硬化層除去工程と、
   前記硬化層除去工程の後、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスであって、前記硬化層除去工程よりも水素濃度が低い反応ガスを、前記処理室に供給し、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記ドーパント含有レジストを除去するドーパント含有レジスト除去工程と
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記ドーパント含有レジスト除去工程の基板温度は、前記硬化層除去工程の温度より高い基板温度で基板を処理する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 処理室内に設けられ、硬化された層である硬化層レジストと前記硬化層の下層に形成されたドーパント混入レジストが塗布された基板を載置するサセプタテーブルと、
   前記サセプタテーブルに具備された前記基板を加熱する基板加熱部と、
   前記処理室にガスを供給するガス供給ユニットと、
   前記処理室に供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマソースと、
   前記ガス供給ユニットが前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスを供給し、
   前記プラズマソースが、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態として、前記硬化層レジストを除去し、
   前記硬化層を除去した後、前記ガス供給部が前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスであって、前記硬化層除去工程よりも水素濃度が低い反応ガスを供給し、
   前記プラズマソースが前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記ドーパント混入レジストを除去する
   よう制御するコントローラと
   を有する半導体製造装置。