JP2009094115A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 基板から高ドーズイオンが注入されたレジストを除去する除去工程を有し、
   前記除去工程は、
   少なくとも酸素分子及び水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、基板からレジスト中の有機成分を除去する第１の除去工程と、
   前記第１の除去工程に続いて、少なくとも水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、基板からドーパント析出物を除去する第２の除去工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記第２の除去工程は、酸素を含む反応ガスをプラズマ処理する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２の除去工程は、１０パーセント以下の酸素を含む反応ガスをプラズマ処理する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 高ドーズイオンが注入されたレジストを有する基板を載置するサセプタを有し、供給されたガスをプラズマ化される処理室と、
   ガス供給設備を介して前記処理室に供給するガスの流量を制御する流量制御部と、
   前記処理室からガスを排気する排気装置と、
   前記処理室に供給された、少なくとも酸素分子及び水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、基板からレジスト中の有機成分を除去する第１の除去工程を制御し、
   前記第１の除去工程に続いて、前記処理室に供給された少なくとも水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、基板からドーパント析出物を除去する第２の除去工程を制御する制御部と
   を有する基板処理装置。