JP2013513949A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 反応チャンバにおいてワークピースの表面からフォトレジストを除去する方法であって、
   フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから生成されるプラズマにその上にフォトレジストを有する前記ワークピースを暴露する段階と、
   前記プラズマに前記ワークピースを暴露する段階の後、少なくとも３０秒間にわたって非プラズマ環境に前記ワークピースを放置する段階と、
   前記ワークピースを前記非プラズマ環境に放置する段階の後、酸素系または水素系のプラズマに前記ワークピースを暴露して、前記フォトレジストを除去する段階と
   を備える方法。
2. 前記ワークピースは、少なくとも１００秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
3. 前記ワークピースは少なくとも１５０秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
4. 前記ワークピースは少なくとも２００秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
5. 前記ワークピースは少なくとも２２０秒間にわたって放置されている請求項１に記載の方法。
6. 前記酸素系または水素系のプラズマは、フッ素種を含む請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の方法。
7. 前記ワークピースの表面から除去する前記フォトレジストは、高ドーズ注入処理されたレジストを含む請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の方法。
8. 前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから生成されるプラズマは、リモートに生成される請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の方法。
9. 前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから形成されるプラズマに暴露された後において、保護膜が前記ワークピースの露出したシリコン部分に形成される請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
10. 前記保護膜は、ＳｉｘＮｙ膜である請求項９に記載の方法。
11. 前記ワークピースを暴露する段階は、リソグラフィー処理の後に実行される請求項１から１０のうちいずれか一項に記載の方法。
12. ワークピースの表面からフォトレジストを除去する装置であって、
    反応チャンバと、
    一連の命令を実行するコントローラと
    を備え、
    前記反応チャンバは、
    プラズマ源と、
    前記プラズマ源の下流に位置しているシャワーヘッドと、
    前記シャワーヘッドの下流に位置しており、支持しているワークピースの温度を制御する温度制御メカニズムおよびペデスタルを含むワークピース支持部と
    を有し、
    前記一連の命令は、
    フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから前記プラズマ源内にプラズマを生成し、
    フォーミングガスまたは純粋な窒素ガスから生成されるプラズマに前記ワークピースを暴露し、
    前記フォーミングガスまたは前記純粋な窒素ガスから生成されるプラズマに前記ワークピースを暴露した後、少なくとも３０秒間にわたって非プラズマ環境に前記ワークピースを放置し、
    前記ワークピースを放置した後、酸素系または水素系のプラズマに前記ワークピースを暴露して、前記フォトレジストを除去するための命令を含む装置。
13. 前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
14. 前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
15. 前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも１５０秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
16. 前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも２００秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。
17. 前記コントローラが含む前記一連の命令は、少なくとも２２０秒間にわたって前記ワークピースを放置するための命令を含む請求項１２に記載の装置。