JP2011504295A5

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Publication number: JP2011504295A5
Application number: JP2010533307A
Authority: JP
Filing date: 2008-11-07
Publication date: 2011-12-22
Anticipated expiration: 2028-11-07

Claims

基板の上側と、反射防止膜（ＡＲＣ）層、及びマスク特徴を伴うパターン化有機マスクの下側との間に配置されるエッチング層をエッチングするための方法であって、
（ａ）前記基板をプロセスチャンバの中に載置することと、
（ｂ）前記ＡＲＣ層を前記パターン化マスクの前記マスク特徴を介して開口することと、
（ｃ）酸化物スペーサ成長層を形成することと、前記酸化物スペーサ成長層は、上部と、側壁と、底部とを含み、前記上部は、前記有機マスクの上を覆い、前記側壁は、前記有機マスクの側壁を覆い、前記底部は、前記マスク特徴の底を覆うことと、
（ｄ）前記有機マスクの上の前記酸化物スペーサ成長層をエッチングによって部分的に除去することであって、少なくとも前記酸化物スペーサ成長層の前記上部が除去される、ことと、
（ｅ）前記有機マスク及び前記ＡＲＣ層をエッチングによって除去することと、
（ｆ）前記エッチング層を前記酸化物スペーサ成長層の前記側壁を介してエッチングすることと、
（ｇ）前記基板を前記プロセスチャンバから取り出すことと、
を備える方法。
請求項１に記載の方法であって、
（ｃ）前記酸化物スペーサ成長層を形成することは、複数のサイクルを含み、各サイクルは、
Ｓｉを含有する成長ガスの流れを提供することと、
前記成長ガスからプラズマを形成することと、
前記成長ガスの流れを停止することと、
を含む成長段階と、
Ｏ₂又はＮ₂の少なくとも一方を含有する処理ガスの流れを提供することと、
前記処理ガスからプラズマを形成することと、
前記処理ガスの流れを停止することと、
を含む処理段階と、を含む、方法。
請求項２に記載の方法であって、
（ｃ）前記酸化物スペーサ成長層の形成は、３から１５サイクル実行される、方法。
請求項２に記載の方法であって、
（ｃ）前記酸化物スペーサ成長層の形成は、約１０サイクル実行される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
（ｃ）前記酸化物スペーサ成長層の形成は、１から２０サイクル実行され、各サイクルは、
Ｓｉを含有する成長ガスの流れを提供することと、
前記成長ガスからプラズマを形成することと、
前記成長ガスの流れを停止することと、
を含む成長段階と、
Ｏ₂又はＮ₂の少なくとも一方を含有する処理ガスの流れを提供することと、
前記処理ガスからプラズマを形成することと、
前記処理ガスの流れを停止することと、
を含む処理段階と、を含む、方法。
請求項５に記載の方法であって、
（ｄ）部分的な除去は、更に、前記マスク特徴の前記底の上に形成された前記酸化物スペーサ成長層の前記底部を除去する、方法。
請求項６に記載の方法であって、
前記方法は室温で実施される方法。
請求項１に記載の方法であって、
（ｄ）部分的な除去は、更に、前記マスク特徴の前記底の上に形成された前記酸化物スペーサ成長層の前記底部を除去する、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記方法は室温で実施される方法。
基板の上側と、反射防止膜（ＡＲＣ）層、及びマスク特徴を伴うパターン化有機マスクの下側との間に配置されるエッチング層をエッチングするためのコンピュータにより実行される方法であって、
（ａ）前記基板をプロセスチャンバの中に載置することと、
（ｂ）前記ＡＲＣ層を前記パターン化マスクの前記マスク特徴を介して開口することと、
（ｃ）１から２０サイクル実行される、酸化物スペーサ成長層を形成することと、前記酸化物スペーサ成長層は、上部と、側壁と、底部とを含み、前記上部は、前記有機マスクの上を覆い、前記側壁は、前記有機マスクの側壁を覆い、前記底部は、前記マスク特徴の底を覆い、各サイクルは、
Ｓｉを含有する成長ガスの流れを提供することと、
前記成長ガスからプラズマを形成することと、
前記成長ガスの流れを停止することと、
を含む成長段階と、
Ｏ₂又はＮ₂の少なくとも一方を含有する処理ガスの流れを提供することと、
前記処理ガスからプラズマを形成することと、
前記処理ガスの流れを停止することと、
を含む処理段階と、を含む、ことと、
（ｄ）前記有機マスクの上の前記酸化物スペーサ成長層をエッチングによって部分的に除去することであって、少なくとも前記酸化物スペーサ成長層の前記上部が除去される、ことと、
（ｅ）前記有機マスク及び前記ＡＲＣ層をエッチングによって除去することと、
（ｆ）前記エッチング層を前記酸化物スペーサ成長層の前記側壁を通してエッチングすることと、
（ｇ）前記基板を前記プロセスチャンバから取り出すことと、
を備えるコンピュータにより実行される方法。
請求項１０に記載のコンピュータにより実行される方法であって、
前記成長ガスは、ＳｉＨ₄及びＣＨ₃Ｆを含む、コンピュータにより実行される方法。
請求項１０に記載のコンピュータにより実行される方法であって、
前記成長ガスは、実質的に酸素を含有しないである、コンピュータにより実行される方法。
基板の上側と、反射防止膜（ＡＲＣ）層、及びマスク特徴を伴うパターン化有機マスクの下側との間にあるエッチング層をエッチングするための装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ囲いを形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ囲い内において基板を支えるための基板サポートと、
前記プラズマ処理チャンバ囲い内における圧力を調整するための圧力調整器と、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバ囲いに電力を提供するための少なくとも１つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ囲い内にガスを提供するためのガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバ囲いからガスを排出させるためのガス出口と、
を含む、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス入口に流体接続されたガス源であって、
ＡＲＣ開口ガス源と、
Ｓｉ含有成長ガス源と、
Ｏ₂又はＮ₂含有処理ガス源と、
酸化物スペーサ除去ガス源と、
有機マスク及びＡＲＣ層除去ガス源と、
エッチングガス源と、
を含むガス源と、
前記ガス源及び前記少なくとも１つの電極に制御式に接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ可読媒体であって、
前記ＡＲＣ層を前記パターン化マスクの前記マスク特徴を介して開口するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
１から２０サイクル酸化物スペーサ成長層の形成を実行するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、前記酸化物スペーサ成長層は、上部と、側壁と、底部とを含み、前記上部は、前記有機マスクの上を覆い、前記側壁は、前記有機マスクの側壁を覆い、前記底部は、前記マスク特徴の底を覆い、各サイクルは、
成長段階を提供するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、
Ｓｉを含有する成長ガスの流れを提供するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記成長ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記成長ガスの流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
を含むコンピュータ読み取り可能コードと、
処理段階を提供するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、
Ｏ₂又はＮ₂の少なくとも一方を含有する処理ガスの流れを提供するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記処理ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記処理ガスの流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
を含むコンピュータ読み取り可能コードと、を含む、コンピュータ読み取り可能コードと、
前記有機マスクの上の前記酸化物スペーサ成長層をエッチングによって部分的に除去するためのコンピュータ読み取り可能コードであって、少なくとも前記酸化物スペーサ成長層の前記上部が除去される、コンピュータ読み取り可能コードと、
前記有機マスク及び前記ＡＲＣ層をエッチングによって除去するためのコンピュータ読み取り可能コードと、
前記エッチング層を前記酸化物スペーサ成長層の前記側壁を介してエッチングするためのコンピュータ読み取り可能コードと、
を含む、コンピュータ読み取り可能媒体と、
を含む、コントローラと、
を備える装置。
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、
（ｄ）部分的な除去は、更に、前記マスク特徴の前記底に形成された前記酸化物スペーサ成長層の前記底部を除去する、方法。
請求項１から５、及び１４のいずれかに記載の方法であって、
前記方法は室温で実施される方法。
請求項１から５、１４および１５のいずれかに記載の方法であって、
前記成長ガスは、シラン及び炭化水素を含む、方法。
請求項１から５、及び１４から１６のいずれかに記載の方法であって、
前記成長ガスは、ＳｉＨ₄及びＣＨ₃Ｆを含む、方法。
請求項１から５、及び１４から１７のいずれかに記載の方法であって、
前記成長ガスは、実質的に酸素を含有しない、方法。
請求項１１または１２のいずれかに記載のコンピュータにより実行される方法であって、
前記成長ガスは、実質的に酸素フリーである、コンピュータにより実行される方法。