JP2006210948A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006210948A5 JP2006210948A5 JP2006116779A JP2006116779A JP2006210948A5 JP 2006210948 A5 JP2006210948 A5 JP 2006210948A5 JP 2006116779 A JP2006116779 A JP 2006116779A JP 2006116779 A JP2006116779 A JP 2006116779A JP 2006210948 A5 JP2006210948 A5 JP 2006210948A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- lot
- vacuum
- plasma
- surface temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (2)
- 真空処理室を形成する真空処理容器と、
前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記真空処理容器内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、
前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
真空処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部を備え、該制御部は、ウエハ処理に先立って、直前のロットの処理時間又は直前のロットの処理電力又は直前のロットの処理圧力又は直前のロットのウエハ処理枚数を元に直前のロット終了時の真空処理容器内表面温度を推定し、次に直前のロット終了時からの処理室の空き時間をもとに現在のロット処理開始時の真空処理容器内表面温度を推定し、該推定結果をもとに真空処理容器内に生成されるプラズマの生成条件を変更して真空処理容器内表面温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空処理室を形成する真空処理容器と、
前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記真空処理容器内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを精製するプラズマ生成手段とを備え、
前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
真空処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部を備え、該制御部は、ロット前のクリーニング処理に先立って、直前のロットからの空き時間、及び直前のロットの処理時間又は直前のロットの処理電力又は直前のロットの処理圧力又は直前のロットのウエハ処理枚数を元にロット前クリーニング開始時の真空処理容器内表面温度を推定し、該推定結果を元にロット前クリーニング終了時の真空処理室内表面温度が一定となるように前期ロット前クリーニング処理条件を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006116779A JP4490938B2 (ja) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006116779A JP4490938B2 (ja) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004054229A Division JP4490704B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | プラズマ処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210948A JP2006210948A (ja) | 2006-08-10 |
JP2006210948A5 true JP2006210948A5 (ja) | 2009-01-08 |
JP4490938B2 JP4490938B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=36967350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006116779A Expired - Fee Related JP4490938B2 (ja) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4490938B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153365A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5161469B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-03-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4646941B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法 |
JP2010098053A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法及び記録媒体 |
JP5712741B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
WO2019053806A1 (ja) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP7106358B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2022-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び温度制御方法 |
CN111312411B (zh) * | 2018-12-11 | 2022-10-21 | 核工业西南物理研究院 | 液化惰性气体射流注入防护等离子体破裂的方法 |
WO2021156906A1 (ja) * | 2020-02-03 | 2021-08-12 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0888095A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びその制御方法 |
US5925212A (en) * | 1995-09-05 | 1999-07-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for attaining repeatable temperature versus time profiles for plasma heated interactive parts used in mass production plasma processing |
JPH10130872A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理方法 |
KR20020019001A (ko) * | 2000-01-13 | 2002-03-09 | 롤페스 요하네스 게라투스 알베르투스 | 반도체 웨이퍼 상에서 플라즈마 워밍업을 수행하는 방법 |
JP3660582B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理装置 |
-
2006
- 2006-04-20 JP JP2006116779A patent/JP4490938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006210948A5 (ja) | ||
TW200622503A (en) | Method of cleaning thin film deposition system, thin film deposition system and program | |
TW200641981A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2004006620A5 (ja) | ||
TW200802589A (en) | Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment | |
JP2018517263A5 (ja) | イオン注入システム及びその場(in situ)プラズマクリーニング方法 | |
WO2005104634A3 (en) | Method and system for performing atomic layer deposition | |
WO2008105255A1 (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法、そのクリーニング方法を実行するプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体 | |
TW200746294A (en) | Processing apparatus and processing method | |
JP2018050041A5 (ja) | ||
JP2009534574A5 (ja) | ||
JP2015500921A5 (ja) | ||
TW200644110A (en) | Apparatus for dry treating substrates and method of dry treating substrates | |
JP2007258426A5 (ja) | ||
JP2011029603A5 (ja) | ||
JP2009094115A5 (ja) | ||
KR20090001091A (ko) | 외부발열부재가 구성된 반도체 제조장치 | |
CN105940482A (zh) | 基板处理装置 | |
JP2012072475A5 (ja) | ||
JP2013077843A5 (ja) | ||
TW200731397A (en) | Etching processing method | |
JP2007214171A5 (ja) | ||
JP2011155044A5 (ja) | ||
JP2003077897A5 (ja) | ||
JP2006190741A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及びクリーニング装置、成膜装置 |