JP2015500921A5 - - Google Patents

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  1. 反応性堆積プロセスを制御する方法であって、
    電源によってカソードに電力を供給することと、
    前記電源に電圧設定点を与えることと、
    前記カソードに供給された前記電力に相関する電力値を受信することと、
    閉ループ制御を与えるため前記電力値に基づいてプロセスガスの流れを制御することと
    を含む方法。
  2. 前記カソードに供給される前記電力は、特に1kHzから200kHzの発振周波数を有するMF電力である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記電圧設定点は前記電源のための上限値である、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記電圧設定点は、前記カソードを移行モードにおいて動作させるように構成される、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記電力値は、特にMF電力として、前記カソードに供給される実際の電力である、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記受信された電力値は、前記プロセスガスの流れを制御することによって安定する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記プロセスガスは酸素を含み、特に酸素流が制御される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記電源によって供給される前記電圧の実際の電圧値を受信し、前記実際の値に基づいて堆積モードを監視することを更に含む、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 中にチャンバ(32)及びカソード(214,215,314,522)を有する堆積装置(300,500)内で反応性堆積プロセスのために構成される閉ループ制御アセンブリ(200)であって、
    前記カソード(214,215,314,522)に電力を供給するため前記カソードに接続される電源(210)と、
    前記チャンバ(32)内にプロセスガスを供給するように構成されるガス供給源(330)と、
    前記電源(210)に電圧設定点を与え、かつ前記電源から電力値を受信するため、前記電源に接続されるコントローラ(310)であって、前記コントローラは、前記電力値に基づいて前記プロセスガスのガス流を制御するために前記ガス供給源(330)に更に接続される、コントローラと
    を備える閉ループ制御アセンブリ。
  10. 前記電力値は前記カソード(214,215,314,522)に供給される前記電力である、請求項9に記載のアセンブリ(200)
  11. 前記電源(210)は、特にDC発生器(412)及び発振器(414)を有する、MF電源である、請求項9または10に記載のアセンブリ(200)
  12. 前記電源(210)は、1kHzから200kHzの発振周波数を有する前記電力を供給するように構成される、請求項9ないし11のいずれか一項に記載のアセンブリ(200)
  13. 前記コントローラ(310)は、アセンブリが請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法の少なくとも1つを実行するように適応されたプログラムコードを含む、請求項9ないし12のいずれか一項に記載のアセンブリ(200)
  14. 前記電圧設定点(222,422)は電圧上限値である、請求項9ないし13のいずれか一項に記載のアセンブリ(200)
  15. 基板上への層の反応性堆積のための堆積装置(300,500)であって、
    その中で前記基板上に前記層を堆積するためのチャンバ(32)と、
    前記チャンバ内にプラズマを生成するためのカソード(214,215,314,522)と、
    請求項9ないし14のいずれか一項に記載の閉ループ制御アセンブリ(200)
    を備える堆積装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2316252B1 (en) 2008-08-04 2018-10-31 AGC Flat Glass North America, Inc. Plasma source and method for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition and method thereof
JP2017525853A (ja) * 2014-09-01 2017-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 材料を基板上に堆積するためのアセンブリ及び方法
US10586685B2 (en) 2014-12-05 2020-03-10 Agc Glass Europe Hollow cathode plasma source
CN107615888B (zh) 2014-12-05 2022-01-04 北美Agc平板玻璃公司 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法
US9721765B2 (en) * 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
DE102016116762B4 (de) * 2016-09-07 2021-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels einer Magnetronsputtereinrichtung
KR102643656B1 (ko) 2017-11-09 2024-03-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 리튬 금속 애노드에 대해 칼코게나이드들을 사용하는 엑스-시튜 고체 전해질 계면 개질
US11631840B2 (en) 2019-04-26 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Surface protection of lithium metal anode

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2821119C2 (de) 1978-05-13 1983-08-25 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und Anordnung zur Regelung des Entladungsvorganges in einer Katodenzerstäubungsanlage
US4201645A (en) * 1978-06-26 1980-05-06 Robert J. Ferran Closed-loop sputtering system and method of operating same
DE4106513C2 (de) * 1991-03-01 2002-06-13 Unaxis Deutschland Holding Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6106676A (en) * 1998-04-16 2000-08-22 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for reactive sputtering employing two control loops
WO2000028104A1 (en) 1998-11-06 2000-05-18 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6537428B1 (en) * 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
JP3866615B2 (ja) * 2002-05-29 2007-01-10 株式会社神戸製鋼所 反応性スパッタリング方法及び装置
DE102004006131B4 (de) 2004-02-07 2005-12-15 Applied Films Gmbh & Co. Kg Bandbeschichtungsanlage mit einer Vakuumkammer und einer Beschichtungswalze
JP2010229523A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Bridgestone Corp 導電性透明化合物薄膜の成膜方法および導電性透明化合物薄膜
DE102009053756B4 (de) 2009-06-26 2011-07-21 VON ARDENNE Anlagentechnik GmbH, 01324 Verfahren zur Beschichtung eines Substrates in einer Vakuumkammer mit mindestens einem rotierenden Magnetron

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