JP2018517263A5 - イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 - Google Patents
イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 Download PDFInfo
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- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 title claims description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims 10
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Images
Description
本願は２０１５年６月１２日に出願された米国仮特許出願第６２／１７４，９０６号の通常特許出願に基づいて優先権を主張し、その全内容が参照することにより本明細書に組み込まれる。
エッチャントガスの組成は、導電ビーム光学系７０Ａ〜Ｎの上に形成される堆積物の組成に基づいて、化学エッチングを最適化するように選択することができる。例えば、フッ素ベースのプラズマは、B、P又はAsを含むビーム化学成分をエッチングするために用いることができ、一方、酸素ベースのプラズマは、フォトレジスト材料をエッチングするために用いることができる。一実施形態において、Ar又は他の重い種をプラズマ混合物に加えることにより、イオンの照射を増大し、化学的に改良されたイオンスパッタリングプロセスを用いる時に、堆積物を導電ビーム光学系７０Ａ〜Ｎから除去する速度の向上という結果になる。プラズマ又はイオンの照射は、また、化学エッチング速度を促進し、導電ビーム光学系７０Ａ〜Ｎの表面から堆積物をかき混ぜるのに役立つように、表面の加熱を引き起こす。
Claims (15)
- イオン注入システムのチャンバ内のコンポーネントと、
該コンポーネントと連通し、洗浄モード中、前記コンポーネントへ電圧及び電流を供給するように構成される電源であって、前記電圧及び前記電流が前記コンポーネントの導電ビーム光学系に印加され、該導電ビーム光学系の周りにプラズマを生成する、電源と、
前記導電ビーム光学系のエッチングを可能にするために、前記コンポーネントへ供給されるエッチャントガスと、を備える、イオン注入システム。 - 前記電源は、処理モード中、前記コンポーネントへ第１の電圧及び第１の電流を供給するように構成され、前記洗浄モード中、前記コンポーネントへ第２の電圧及び第２の電流を供給するように構成される、請求項１記載のイオン注入システム。
- 前記エッチャントガスを前記チャンバへ供給するためのガス注入口を、さらに備える、請求項１記載のイオン注入システム。
- 前記エッチャントガスの注入速度を調整するための流れコントローラを、さらに備える、請求項２記載のイオン注入システム。
- 前記チャンバの圧力を調整するための真空ポンプを、さらに備える、請求項１記載のイオン注入システム。
- 前記第２の電圧及び前記第２の電流は、直流（DC）電源及び無線周波（RF）電源の内の１つから供給される、請求項２記載のイオン注入システム。
- 前記コンポーネントはエネルギー純化モジュールを備える、請求項１記載のイオン注入システム。
- プラズマの生成のためのチャンバを含み、イオンビームラインに沿って配置された複数の導電ビーム光学系を含むエネルギー純化モジュール（EPM）と、
該EPMと連通する電源であって、該電源は、処理モード中、前記複数の導電ビーム光学系へ第１の電圧及び第１の電流を供給するように構成され、洗浄モード中、前記複数の導電ビーム光学系へ第２の電圧及び第２の電流を供給するように構成され、前記第２の電圧及び前記第２の電流が１つ以上の前記複数の導電ビーム光学系に供給され、前記１つ以上の前記複数の導電ビーム光学系の周りにプラズマを生成する、電源と、
前記１つ以上の前記複数の導電ビーム光学系のエッチングを可能にするために、前記EPMへ供給されるエッチャントガスと、
前記EPMへ供給される前記エッチャントガスの注入速度を調整するための流れコントローラと、
前記EPMの周りの環境の圧力を調整するためのポンプと、を備える、イオン注入システム。 - 前記複数の導電ビーム光学系は複数の電極ロッドを備える、請求項８記載のイオン注入システム。
- 前記第１の電圧及び前記第１の電流は、直流（DC）電源により供給され、前記第２の電圧及び前記第２の電流は、DC電源及び無線周波（RF）電源の内の１つにより供給される、請求項８記載のイオン注入システム。
- プロセスチャンバのコンポーネントを提供するステップであって、前記プロセスチャンバはプラズマを生成するために動作できる、ステップと、
処理モード中、第１の電圧及び第１の電流を前記コンポーネントへ供給するステップと、
洗浄モード中、第２の電圧及び第２の電流を前記コンポーネントへ供給するステップであって、前記第２の電圧及び前記第２の電流は、前記コンポーネントの導電ビーム光学系へ印加され、前記導電ビーム光学系の周りにプラズマを生成するステップと、を有するその場（in situ）プラズマクリーニング方法。 - 前記導電ビーム光学系のエッチングを可能にするために、前記コンポーネントへエッチャントガスを供給するステップを、さらに、有する請求項１１記載のその場（in situ）プラズマクリーニング方法。
- 前記処理モード中、前記コンポーネントの上に形成された堆積物をエッチングするステップを、さらに、有する請求項１２記載のその場（in situ）プラズマクリーニング方法。
- 前記導電ビーム光学系の上に形成された前記堆積物の組成に基づいて、前記エッチャントガスの組成を選択するステップを、さらに、有する請求項１３記載のその場（in situ）プラズマクリーニング方法。
- 前記処理モードから前記洗浄モードへ切り替えるステップであって、前記第１の電圧及び前記第１の電流は、直流（DC）電源により供給され、前記第２の電圧及び前記第２の電流は、DC電源及び無線周波（RF）電源の内の１つにより供給される、ステップを、さらに、有する請求項１１記載のその場（in situ）プラズマクリーニング方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562174906P | 2015-06-12 | 2015-06-12 | |
| US62/174,906 | 2015-06-12 | ||
| US14/820,747 | 2015-08-07 | ||
| US14/820,747 US10522330B2 (en) | 2015-06-12 | 2015-08-07 | In-situ plasma cleaning of process chamber components |
| PCT/US2016/035418 WO2016200668A1 (en) | 2015-06-12 | 2016-06-02 | In-situ plasma cleaning of process chamber components |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020166447A Division JP7068412B2 (ja) | 2015-06-12 | 2020-09-30 | イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018517263A JP2018517263A (ja) | 2018-06-28 |
| JP2018517263A5 true JP2018517263A5 (ja) | 2019-06-20 |
| JP6772191B2 JP6772191B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=57504410
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017563593A Active JP6772191B2 (ja) | 2015-06-12 | 2016-06-02 | イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 |
| JP2020166447A Active JP7068412B2 (ja) | 2015-06-12 | 2020-09-30 | イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020166447A Active JP7068412B2 (ja) | 2015-06-12 | 2020-09-30 | イオン注入システム及びその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）プラズマクリーニング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10522330B2 (ja) |
| JP (2) | JP6772191B2 (ja) |
| KR (2) | KR20230125100A (ja) |
| CN (2) | CN112185785B (ja) |
| TW (2) | TWI756099B (ja) |
| WO (1) | WO2016200668A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10410844B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-09-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | RF clean system for electrostatic elements |
| US20180247800A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | International Business Machines Corporation | Gallium implantation cleaning method |
| US10867772B2 (en) | 2017-03-21 | 2020-12-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electrostatic element having grooved exterior surface |
| TWI795448B (zh) * | 2017-10-09 | 2023-03-11 | 美商艾克塞利斯科技公司 | 用於在角能量過濾器區域中穩定或移除射束線組件上所形成之膜的離子植入系統及方法 |
| US10770261B2 (en) * | 2017-12-14 | 2020-09-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method to monitor glitch energy |
| US10714301B1 (en) * | 2018-02-21 | 2020-07-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
| US10504682B2 (en) * | 2018-02-21 | 2019-12-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optic containing internal heating element |
| US10903096B2 (en) * | 2018-04-06 | 2021-01-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and apparatus for process chamber window cooling |
| KR101974604B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-05-03 | (주)에스 이 티 | 내구성이 개선된 이온 주입 장치의 에너지 퓨리티 모듈 어셈블리 |
| US10707050B2 (en) * | 2018-07-26 | 2020-07-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method to detect glitches |
| CN109261646B (zh) * | 2018-08-13 | 2022-04-01 | 南京理工大学 | 一种利用聚焦离子束清理三维原子探针近局域电极的方法 |
| US10886098B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter and ion implanter having asymmetric electrostatic configuration |
| CN114040820A (zh) * | 2019-07-02 | 2022-02-11 | 恩特格里斯公司 | 使用激光能量从表面移除粒子的方法 |
| US20210090845A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter with shaped electrodes |
| USD956005S1 (en) | 2019-09-19 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Shaped electrode |
| CN111463107B (zh) * | 2020-04-07 | 2023-04-28 | 北京晶亦精微科技股份有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
| US11562885B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Particle yield via beam-line pressure control |
| US20240098871A1 (en) * | 2022-09-21 | 2024-03-21 | Applied Materials, Inc. | Drift tube electrode arrangement having direct current optics |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58171416A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Hitachi Ltd | 耐熱性重合体 |
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| JPH02213039A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置およびその放電洗浄方法 |
| US5012094A (en) * | 1990-02-05 | 1991-04-30 | Hamade Thomas A | Electrostatic charging apparatus and method |
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| JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
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| JP2002213039A (ja) | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Susumu Nakatani | 消臭機能を有する衝立及び消臭編物部材 |
| WO2004003968A2 (en) | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | Method and system for arc suppression in a plasma processing system |
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| JP4374487B2 (ja) | 2003-06-06 | 2009-12-02 | 株式会社Ｓｅｎ | イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法 |
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| US6992311B1 (en) | 2005-01-18 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter |
| US7531819B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-05-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine based cleaning of an ion source |
| US7630296B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-12-08 | Adc Telecommunications, Inc. | System and method for remotely restoring inoperative data communications |
| US7732309B2 (en) | 2006-12-08 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersed ion implantation process |
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| JP5236974B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-07-17 | 株式会社クレハ | ポリマー成形体の製造方法 |
| US7888662B2 (en) | 2008-06-20 | 2011-02-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source cleaning method and apparatus |
| US8519353B2 (en) * | 2010-12-29 | 2013-08-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling an asymmetric electrostatic lens about a central ray trajectory of an ion beam |
| US9530615B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-12-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source |
| JP6453852B2 (ja) | 2013-04-26 | 2019-01-16 | 株式会社ファインソリューション | イオンビームソース |
| US9711316B2 (en) | 2013-10-10 | 2017-07-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method of cleaning an extraction electrode assembly using pulsed biasing |
| US9761410B2 (en) * | 2016-02-01 | 2017-09-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for in-situ cleaning in ion beam apparatus |
| US10410844B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-09-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | RF clean system for electrostatic elements |
| US10840054B2 (en) * | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
-
2015
- 2015-08-07 US US14/820,747 patent/US10522330B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-20 TW TW110112478A patent/TWI756099B/zh active
- 2016-05-20 TW TW105115667A patent/TWI725970B/zh active
- 2016-06-02 KR KR1020237027765A patent/KR20230125100A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-06-02 CN CN202011058388.2A patent/CN112185785B/zh active Active
- 2016-06-02 JP JP2017563593A patent/JP6772191B2/ja active Active
- 2016-06-02 KR KR1020187000904A patent/KR102569380B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-02 WO PCT/US2016/035418 patent/WO2016200668A1/en active Application Filing
- 2016-06-02 CN CN201680033326.1A patent/CN107690689B/zh active Active
-
2019
- 2019-12-23 US US16/724,944 patent/US11037758B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-28 US US17/034,013 patent/US11495434B2/en active Active
- 2020-09-30 JP JP2020166447A patent/JP7068412B2/ja active Active
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