JP2012517684A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. イオンインプランテーションシステム内の間接加熱カソードソースの状態を制御する方法であって、
   （ａ）予め定められた時間におけるカソードバイアス電力を測定することで、前記間接加熱カソードソースの消費電力を決定することと、
   （ｂ）前記予め定められた時間における前記消費電力と初期電力とを比較することと、（ｃ）この比較に応じて、前記間接加熱カソードの状態を制御するために（ｉ）または（ｉｉ）の修正動作を行うこととを備え、
   （ｉ）の修正動作は、もし前記予め定められた時間の前記消費電力が前記初期電力よりも高ければ、前記間接加熱カソードをエッチングすることであり、
   （ｉｉ）の修正動作は、もし前記予め定められた時間の前記消費電力が前記初期電力よりも低ければ、前記間接加熱カソードを再生することである、方法。
2. （ｃ）（ｉ）の修正動作におけるエッチングは、エッチングに十分となるような低から中温度条件下で、前記間接加熱カソードを操作することを含む、請求項１に記載の方法。
3. （ｃ）（ｉｉ）の修正動作における再生は、前記間接加熱カソード上にプラズマ状態でフッ素化ガスを流すことを含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記フッ素化ガスは、ＸｅＦ_２、ＸｅＦ_４、ＸｅＦ_６、ＧｅＦ_４、ＳｉＦ_４、ＢＦ_３、ＡｓＦ_５、ＡｓＦ_３、ＰＦ_５、ＰＦ_３、Ｆ_２、ＴａＦ_３、ＴａＦ_５、ＷＦ_６、ＷＦ_５、ＷＦ_４、ＮＦ_３、ＩＦ_５、ＩＦ_７、ＫｒＦ_２、ＳＦ_６、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＦ_４、ＣｌＦ_３、Ｎ_２Ｆ_４、Ｎ_２Ｆ_２、Ｎ_３Ｆ、ＮＦＨ_２、ＮＨ_２Ｆ、ＢｒＦ_３、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆ、ＣＯＦ_２、ＨＦ、Ｃ_２ＨＦ_５、Ｃ_２Ｈ_２Ｆ_４、Ｃ_２Ｈ_３Ｆ_３、Ｃ_２Ｈ_４Ｆ_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｆ、Ｃ_３Ｆ_６およびＭｏＦ_６のうち、１または複数を含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記フッ素化ガスは、ＸｅＦ_２およびＮ_２Ｆ_４のうち１または複数を含む、請求項４に記載の方法。
6. （ｃ）（ｉｉ）の修正動作の再生は、金属堆積が起こるのに十分な高温条件下で、前記間接加熱カソードを操作することを含む、請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
7. イオンソースのアークチャンバ内にカソードを備えるイオンインプランテーションシステムを動作させて、前記イオンソースの動作効率を維持する方法であって、
   （ａ）および（ｂ）からなるグループから選択される条件下で、前記カソードとタングステン試薬とを接触させることを含み、
   （ａ）の条件は、前記カソード上にタングステンの堆積を生じさせるような条件であり、
   （ｂ）の条件は、堆積された材料が前記カソードからエッチングされるような条件であり、
   前記接触させることは、予め定められた範囲内に前記カソードの消費電力を維持するスケジュールによって実行される方法。
8. １または複数の部材からイオン化に関連した堆積物を少なくとも部分的に除去するために、イオンインプランテーションシステムの当該１または複数の部材をクリーニングする方法であって、
   （ａ）および（ｂ）からなるグループから選択される条件下でシステムを通してクリーニングガスを流すことを含み、
   （ａ）の条件は、カソード上に材料の堆積が生じるような条件であり、
   （ｂ）の条件は、前記カソードから堆積された材料のエッチングが生じるような条件であり、
   前記クリーニングガスはＸｅＦ _２ を含み、前記クリーニングガスは、オペレーション中の漏れ電流を予め定められた限界未満に維持するのに十分な間隔を置いて、前記システムを通して流される、方法。