JP2813762B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JP2813762B2 JP2813762B2 JP2044019A JP4401990A JP2813762B2 JP 2813762 B2 JP2813762 B2 JP 2813762B2 JP 2044019 A JP2044019 A JP 2044019A JP 4401990 A JP4401990 A JP 4401990A JP 2813762 B2 JP2813762 B2 JP 2813762B2
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- ion
- implantation apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、イオン注入装置に関する。
（従来の技術） 一般に、イオン注入装置では、正に帯電したイオンを
電場により加速して被処理物に照射し、このイオンを被
処理物に導入する。
電場により加速して被処理物に照射し、このイオンを被
処理物に導入する。
このようなイオン注入装置は、イオンの注入量、イオ
ンの注入深さ等を高精度で制御できる。このような制御
は特に半導体ウエハへの不純物導入においては必要不可
欠な機能となりつつある。この装置は特開昭63−184256
号公報等に記載されている。
ンの注入深さ等を高精度で制御できる。このような制御
は特に半導体ウエハへの不純物導入においては必要不可
欠な機能となりつつある。この装置は特開昭63−184256
号公報等に記載されている。
即ち、第６図に示すようにイオンビーム１を導くため
のイオンビーム導入管２の端部には、円板状に構成され
たディスク３が設けられている。このディスク３には、
その内側面に複数枚の半導体ウエハ４を環状に配列する
如く保持する複数のクランプ機構５が設けられている。
のイオンビーム導入管２の端部には、円板状に構成され
たディスク３が設けられている。このディスク３には、
その内側面に複数枚の半導体ウエハ４を環状に配列する
如く保持する複数のクランプ機構５が設けられている。
そして、このディスク３の各クランプ機構５に半導体
ウエハ４を設け、このディスク３を図示矢印の如く回転
させながら、各半導体ウエハ４にイオンビーム１を照射
し、イオンを注入する如く構成している。
ウエハ４を設け、このディスク３を図示矢印の如く回転
させながら、各半導体ウエハ４にイオンビーム１を照射
し、イオンを注入する如く構成している。
このようなイオン注入装置においては、イオンビーム
１の照射に伴って、例えば半導体ウエハ４表面に被着さ
れたレジストが飛散してディスク３表面に付着したり、
イオン粒子がディスク３表面に付着したりして、半導体
ウエハ４を保持するディスク３が汚染される。
１の照射に伴って、例えば半導体ウエハ４表面に被着さ
れたレジストが飛散してディスク３表面に付着したり、
イオン粒子がディスク３表面に付着したりして、半導体
ウエハ４を保持するディスク３が汚染される。
また、このようにディスク３表面等に一旦付着した汚
染物は、イオン注入の際に剥離して半導体ウエハ４に付
着し、半導体ウエハ４を汚染する可能性がある。
染物は、イオン注入の際に剥離して半導体ウエハ４に付
着し、半導体ウエハ４を汚染する可能性がある。
このため、従来のイオン注入装置では、定期的にディ
スクを取り外し、例えば所定の溶媒を用いた超音波洗浄
等によりこのディスクを洗浄している。
スクを取り外し、例えば所定の溶媒を用いた超音波洗浄
等によりこのディスクを洗浄している。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このようなイオン注入装置のディスク
は、例えば半導体ウエハをクランプする機構、半導体ウ
エハを冷却する機構等を備えているため、その重量が、
例えば数10キログラム程度とかなり重い。このため、デ
ィスクを取り外して洗浄し、洗浄が終了したディスクを
再度取り付けるには、かなりの時間と労力とを要すると
いう問題があった。
は、例えば半導体ウエハをクランプする機構、半導体ウ
エハを冷却する機構等を備えているため、その重量が、
例えば数10キログラム程度とかなり重い。このため、デ
ィスクを取り外して洗浄し、洗浄が終了したディスクを
再度取り付けるには、かなりの時間と労力とを要すると
いう問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べてメンテナンス性の向上を図ることので
きるイオン注入装置を提供しようとするものである。
で、従来に較べてメンテナンス性の向上を図ることので
きるイオン注入装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、保持部に保持された被処理体にイ
オンビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置
において、 前記被処理体が保持される保持面以外の保持部に、着
脱自在な複数の板状の部材からなるカバーであって、一
枚ずつ取り外して洗浄又は交換可能でかつ、当該カバー
を取り付けた状態で前記保持面に前記被処理体を着脱自
在に構成されたカバーを設けたことを特徴とする。
オンビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置
において、 前記被処理体が保持される保持面以外の保持部に、着
脱自在な複数の板状の部材からなるカバーであって、一
枚ずつ取り外して洗浄又は交換可能でかつ、当該カバー
を取り付けた状態で前記保持面に前記被処理体を着脱自
在に構成されたカバーを設けたことを特徴とする。
（作 用） 即ち、被処理物にはイオンビームが照射されるが、被
処理物以外の保持部に照射されるイオンビームは着脱自
在なカバーに照射されるように構成したので、この着脱
自在なカバーを交換することが可能となる。
処理物以外の保持部に照射されるイオンビームは着脱自
在なカバーに照射されるように構成したので、この着脱
自在なカバーを交換することが可能となる。
その結果、上記カバーを保持部から取り外し、洗浄あ
るいは交換することにより、イオンビームの照射に伴っ
て付着した汚染物の除去を容易に行うことができる。
るいは交換することにより、イオンビームの照射に伴っ
て付着した汚染物の除去を容易に行うことができる。
（実施例） 以下、本発明のイオン注入装置の一実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図に示すように、イオンビーム11を導くためのイ
オンビーム導入管12の端部には、円板状に構成されたデ
ィスク13が回転制御可能に設けられている。
オンビーム導入管12の端部には、円板状に構成されたデ
ィスク13が回転制御可能に設けられている。
また、上記ディスク13の中心にはディスク面と直交し
て回転軸が設けられている。上記ディスク13の表面には
イオンビーム11が照射される如く設けられている。上記
表面には外周に沿って複数枚（例えば十数枚）の半導体
ウエハ14を環状に配列する如く保持、例えば半導体ウエ
ハ14の周縁部をクランプする複数のクランプ機構15が設
けられている。さらに、このディスク13内側面の露出部
には、着脱自在に構成された板状のカバー16が設けられ
ている。
て回転軸が設けられている。上記ディスク13の表面には
イオンビーム11が照射される如く設けられている。上記
表面には外周に沿って複数枚（例えば十数枚）の半導体
ウエハ14を環状に配列する如く保持、例えば半導体ウエ
ハ14の周縁部をクランプする複数のクランプ機構15が設
けられている。さらに、このディスク13内側面の露出部
には、着脱自在に構成された板状のカバー16が設けられ
ている。
上記カバー16は、第２図〜第４図に示すように、金属
あるいはセラミックス等から板状例えば5mm厚の板に形
成された例えば２種類のカバー板16a、16bを複数枚組み
合せて構成されている。
あるいはセラミックス等から板状例えば5mm厚の板に形
成された例えば２種類のカバー板16a、16bを複数枚組み
合せて構成されている。
すなわち、これらのカバー板16a、16bは、それぞれ、
各クランプ機構15の周囲の形状に合せて構成されてお
り、これらのカバー板16a、16bを、クランプ機構15の周
囲を囲む如くそれぞれ設けることにより、ディスク３の
環状の領域（クランプ機構15の部位を除く）を隙間なく
覆うよう構成されている。
各クランプ機構15の周囲の形状に合せて構成されてお
り、これらのカバー板16a、16bを、クランプ機構15の周
囲を囲む如くそれぞれ設けることにより、ディスク３の
環状の領域（クランプ機構15の部位を除く）を隙間なく
覆うよう構成されている。
また、これらのカバー板16a、16bは、それぞれ固定機
構例えばねじ止め等によりディスク13に固定されてお
り、それぞれ一枚ずつ着脱可能に構成されている。
構例えばねじ止め等によりディスク13に固定されてお
り、それぞれ一枚ずつ着脱可能に構成されている。
なお、イオンビーム導入管12のイオンビーム11飛来側
には、周知の如く、イオン源、イオン引き出し電極、質
量分析マグネット、加速管、偏向電極（いずれも図示せ
ず）等が設けられており、これらによって所望のイオン
ビーム11が形成される。
には、周知の如く、イオン源、イオン引き出し電極、質
量分析マグネット、加速管、偏向電極（いずれも図示せ
ず）等が設けられており、これらによって所望のイオン
ビーム11が形成される。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、ディス
ク13の各クランプ機構15に一枚ずつ半導体ウエハ14を配
置する。そして、ディスク13を図示矢印の如く回転させ
ながらイオンビーム11を各半導体ウエハ14に照射し、こ
れらの半導体ウエハ14にイオンを注入する。
ク13の各クランプ機構15に一枚ずつ半導体ウエハ14を配
置する。そして、ディスク13を図示矢印の如く回転させ
ながらイオンビーム11を各半導体ウエハ14に照射し、こ
れらの半導体ウエハ14にイオンを注入する。
この時、イオンビーム11の照射に伴い、例えば半導体
ウエハ14表面に被着されたレジストが飛散して各部に付
着したり、イオン粒子がイオンビーム11照射部位に付着
したりする。ところが、この実施例のイオン注入装置に
よれば、このような汚染物は、ディスク13においては、
各カバー板16a、16bの表面に付着し、ディスク13には付
着しない。
ウエハ14表面に被着されたレジストが飛散して各部に付
着したり、イオン粒子がイオンビーム11照射部位に付着
したりする。ところが、この実施例のイオン注入装置に
よれば、このような汚染物は、ディスク13においては、
各カバー板16a、16bの表面に付着し、ディスク13には付
着しない。
したがって、従来のイオン注入装置のようにディスク
13を取り外すことなく、これらのカバー板16a、16bを取
り外し、洗浄あるいは交換することにより、イオンビー
ム11の照射に伴って付着した汚染物の除去を容易に行う
ことができる。このため、汚染物の除去のためにメンテ
ナンスに要する労力と時間を従来に較べて大幅に削減す
ることができ、生産性の向上を図ることができる。
13を取り外すことなく、これらのカバー板16a、16bを取
り外し、洗浄あるいは交換することにより、イオンビー
ム11の照射に伴って付着した汚染物の除去を容易に行う
ことができる。このため、汚染物の除去のためにメンテ
ナンスに要する労力と時間を従来に較べて大幅に削減す
ることができ、生産性の向上を図ることができる。
なお、上記実施例では、着脱の容易性および加工の容
易性等の観点から、カバー16を上述したような複数枚の
カバー板16a、16bにより構成したが、本発明は係る実施
例に限定されるものではなく、カバー16は、例えば一枚
の板状部材から構成してもよく、また、分割された板状
部材から構成する場合においても、その分割数等は、第
５図に示すように任意に選択することができる。すなわ
ち、第５図（ａ）に示すように、カバー16cが２枚分の
ウエハ面積を覆うように構成されたものでも良く、ま
た、第５図（ｂ）に示すように、２枚分のウエハ面積を
２分割されたカバー16d、16eで覆うようにしても良い。
易性等の観点から、カバー16を上述したような複数枚の
カバー板16a、16bにより構成したが、本発明は係る実施
例に限定されるものではなく、カバー16は、例えば一枚
の板状部材から構成してもよく、また、分割された板状
部材から構成する場合においても、その分割数等は、第
５図に示すように任意に選択することができる。すなわ
ち、第５図（ａ）に示すように、カバー16cが２枚分の
ウエハ面積を覆うように構成されたものでも良く、ま
た、第５図（ｂ）に示すように、２枚分のウエハ面積を
２分割されたカバー16d、16eで覆うようにしても良い。
上記実施例では、発生するゴミを容易に取り除くよう
にしたものであるが、例えばボロン系のイオンビームを
ウエハに照射する場合、当然カバーにも照射される。こ
の時にカバーにはボロンが打ち込まれる。その後、他の
種類のウエハにヒ素系のイオンビームを照射する場合、
当然カバーにも照射される。この時にカバーから前のボ
ロンが飛び出し、ウエハに悪影響を与えてしまう問題も
改善される。すなわち、イオンビームの種類毎にカバー
を交換すれば問題をクリヤーできる。
にしたものであるが、例えばボロン系のイオンビームを
ウエハに照射する場合、当然カバーにも照射される。こ
の時にカバーにはボロンが打ち込まれる。その後、他の
種類のウエハにヒ素系のイオンビームを照射する場合、
当然カバーにも照射される。この時にカバーから前のボ
ロンが飛び出し、ウエハに悪影響を与えてしまう問題も
改善される。すなわち、イオンビームの種類毎にカバー
を交換すれば問題をクリヤーできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のイオン注入装置によれ
ば、カバーを取り外し、洗浄あるいは交換することによ
り、イオンビームの照射に伴って付着した汚染物の除去
を容易に行うことができ、従来に較べてメンテナンス性
を向上させることができる。
ば、カバーを取り外し、洗浄あるいは交換することによ
り、イオンビームの照射に伴って付着した汚染物の除去
を容易に行うことができ、従来に較べてメンテナンス性
を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置の要部構成
を示す図、第２図は第１図のイオン注入装置のディスク
の構成を拡大して示す図、第３図および第４図は第１図
のイオン注入装置のカバー板の構成を示す図、第５図は
第１図のイオン源のディスクを覆うカバーの他の形状を
説明するカバー部説明図、第６図は従来のイオン注入装
置の要部構成を示す図である。 11……イオンビーム、12……イオンビーム導入管、13…
…ディスク、14……半導体ウエハ、15……クランプ機
構、16……カバー、16a,16b……カバー板。
を示す図、第２図は第１図のイオン注入装置のディスク
の構成を拡大して示す図、第３図および第４図は第１図
のイオン注入装置のカバー板の構成を示す図、第５図は
第１図のイオン源のディスクを覆うカバーの他の形状を
説明するカバー部説明図、第６図は従来のイオン注入装
置の要部構成を示す図である。 11……イオンビーム、12……イオンビーム導入管、13…
…ディスク、14……半導体ウエハ、15……クランプ機
構、16……カバー、16a,16b……カバー板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/317 H01L 21/265
Claims (1)
- 【請求項１】保持部に保持された被処理体にイオンビー
ムを照射してイオンを注入するイオン注入装置におい
て、 前記被処理体が保持される保持面以外の保持部に、着脱
自在な複数の板状の部材からなるカバーであって、一枚
ずつ取り外して洗浄又は交換可能でかつ、当該カバーを
取り付けた状態で前記保持面に前記被処理体を着脱自在
に構成されたカバーを設けたことを特徴とするイオン注
入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044019A JP2813762B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044019A JP2813762B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246863A JPH03246863A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2813762B2 true JP2813762B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=12679957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044019A Expired - Fee Related JP2813762B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813762B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
| EP2248153B1 (en) | 2008-02-11 | 2016-09-21 | Entegris, Inc. | Ion source cleaning in semiconductor processing systems |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113542A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2044019A patent/JP2813762B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03246863A (ja) | 1991-11-05 |
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