JPH0734545U - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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Publication number
JPH0734545U
JPH0734545U JP7158893U JP7158893U JPH0734545U JP H0734545 U JPH0734545 U JP H0734545U JP 7158893 U JP7158893 U JP 7158893U JP 7158893 U JP7158893 U JP 7158893U JP H0734545 U JPH0734545 U JP H0734545U
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JP
Japan
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mask plate
shutter
ion
plate
disk
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Pending
Application number
JP7158893U
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English (en)
Inventor
義則 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP7158893U priority Critical patent/JPH0734545U/ja
Publication of JPH0734545U publication Critical patent/JPH0734545U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ビーム電流密度分布測定に欠かすことのでき
ないビームモニターのマスク板の長寿命化を図ることが
できるイオン注入装置を提供する。 【構成】 シャッター板31とその駆動部とを有してい
て、そのシャッター板31をビームモニター20のマス
ク板22とディスク1との間に真空容器外から出し入れ
してマスク板22の上流側を開閉するビームシャッター
30を設けた。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、真空中でウェーハにイオンビームを照射して当該ウェーハに不純 物を注入するイオン注入装置に関し、特に、イオンビーム分布を測定するビーム モニターの保護手段に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3は、従来のバッチ式のイオン注入装置の注入室部分の一例を示す概略平面 断面図である。図4は、図3に示すイオン注入装置のビームモニターに用いられ るマスク板の拡大断面図である。
【0003】 真空容器(図示省略)内に、ディスク1が、ディスク回転装置2によって例え ば矢印Aのように回転されると共に、ディスク並進装置3によって矢印Bのよう に並進するように設けられており、当該ディスク1の表面、すなわちイオン源( 図示省略)側の同一半径上には、複数枚の注入対象物であるウェーハ4が装着さ れている。
【0004】 ディスク1の下流側には、イオンビーム5のビーム電流を計測するビームモニ ター20が設けられている。このビームモニター20は、この例では、ディスク 1の下流側に設けられていて複数の貫通孔22aを有するカーボン製のマスク板 22と、このマスク板22の各貫通孔22aの下流側に設けられていてイオンビ ーム5を受けてそのビーム電流を計測する複数のビームコレクター21と、マス ク板22とビームコレクター21間にあってビームコレクター21からの2次電 子放出を抑制するサプレッサー電極25と、各ビームコレクター21からのビー ム電流を受けてイオンビーム5のビーム電流密度分布の計測・表示等を行うビー ム分布測定器24とを備えている。23は、電流導出端子である。
【0005】 なお、図中の7はイオンビーム5を成形する成形スリット、8はファラデーケ ース10から2次電子が流出するのを防ぐために設けられたサプレッサー電極、 9はアブソーバ電極、6はディスク1の代わりにイオンビーム5を受けるキャッ チプレートである。
【0006】 そして、各ウェーハ4に対して、図示しないイオン源からイオンビーム5を照 射して、所望の不純物、例えばボロンやリン等をウェーハ4に注入するようにし ている。その際、この装置では、上記ビームモニター20によってイオンビーム 5のビーム電流密度分布を測定して、ウェーハ4に照射されるイオンビーム5の 分布を把握して、ウェーハ4への不純物注入の均一性を高めるようにしている。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、前記イオン注入装置のビームモニター20においては、イオンビー ム5のビーム電流密度分布をできるだけ細かく測定するため、ビームコレクター 21を密集して数多く配設する必要があり、したがって、マスク板22に形成さ れる上記貫通孔22aも密集している。この結果、貫通孔22aの孔径を必要以 上大きくすることができない外、当該貫通孔22aの形状としても、図4に示す ようにそのエッジ部22bでイオンビーム5が遮られないように下流側に向かっ て末広がりのテーパー状としなければならない。
【0008】 一方、この種のイオン注入装置は、使用中にイオンビーム5により上記ビーム モニター20のマスク板22の表面のスパッタが進み、上記貫通孔22aの孔径 が大きくなり、ビームコレクター21によるビーム電流の測定値誤差が大きくな る。このため、一定期間経過すると、その都度、ビームモニター20を解体し、 マスク板22を取り替える必要があり、その作業は真空引き作業を含め長時間を 要しきわめて煩雑であった。
【0009】 そこでこの考案は、ビーム電流密度分布測定に欠かすことのできないビームモ ニターのマスク板の長寿命化を図ることができるようにしたイオン注入装置を提 供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この考案のイオン注入装置は、シャッター板とその 駆動部とを有していて、そのシャッター板を前記ビームモニターのマスク板と前 記ディスクとの間に真空容器外から出し入れしてマスク板の上流側を開閉するビ ームシャッターを設けたことを特徴とする。
【0011】
【作用】
上記構成によれば、ビーム電流密度分布測定を必要としないとき、例えばディ スクに装着したウェーハのハンドリング中等は、ビームシャッターのシャッター 板を閉じ、その間、シャッター板によりマスク板にイオンビームが照射されるの を遮ることができる。したがって、不必要なマスク板のスパッタが生じない。
【0012】
【実施例】
図1は、この考案の一実施例に係るバッチ式のイオン注入装置の注入室部分の 一例を示す概略平面断面図である。図2は、ビームシャッターの一例を示す平面 図である。図1および図2において、図3および図4の従来例と同一または相当 する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明 する。
【0013】 この実施例においては、シャッター板31とその駆動部32とを有していて、 シャッター板31を前述したようなビームモニター20のマスク板22とディス ク1との間に真空容器12外から出し入れしてマスク板22の上流側を開閉する ビームシャッター30を設けている。
【0014】 このビームシャッター30は、例えば図2に示すようにステンレス製のシャッ ター板31と、真空容器12の外部に位置する駆動部32と、これらシャッター 板31と駆動部32との間を連結する連結軸33とから構成され、駆動部32に よってシャッター板31を矢印Cのように前後に駆動してマスク板22の上流側 を覆う(即ち閉じる)位置と、マスク板22にイオンビーム5が照射されるのを 邪魔しない(即ち開く)位置とに出し入れするようにしている。このビームシャ ッター30は、図示しないがファラデケース10やキャッチプレート6と同電位 に接続されている。なお、11は、真空容器12の側壁に設けられていて絶縁物 からなり、上記連結軸33が矢印Cのように駆動しても、その真空が保たれるよ うに形成された気密部である。
【0015】 上記のように構成して、ビーム電流密度分布測定を必要としないとき、例えば ディスク1に装着したウェーハ4のハンドリング中等は、ビームシャッター30 のシャッター板31を閉じれば、イオンビーム5は、シャッター板31にあたる 。したがって、この間マスク板22にイオンビーム5が照射されるのを遮ること ができ、不必要なマスク板22のスパッタが生じない。この結果、マスク板22 の長寿命化が図れる。
【0016】
【考案の効果】
以上のようにこの考案によれば、ビームシャッターを設けることにより、マス ク板の長寿命化を図ることができる。その結果、きわめて煩雑なマスク板の取り 替え作業を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例に係るイオン注入装置の概
略構成を示す平面断面図である。
【図2】この考案に用いるビームシャッターの一例を示
す平面図である。
【図3】従来のバッチ式のイオン注入装置の注入室部分
の一例を示す概略平面断面図である。
【図4】図3に示すイオン注入装置のビームモニターに
用いられるマスク板の拡大断面図である。
【符号の説明】
1 ディスク 4 ウェーハ 5 イオンビーム 12 真空容器 20 ビームモニター 21 ビームコレクター 22 マスク板 30 ビームシャッター 31 シャッター板 32 駆動部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 37/317 C 9172−5E H01L 21/265

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空中でディスク上のウェーハにイオン
    ビームを照射してイオン注入を行う装置であって、ディ
    スクの下流側に設けられていて複数の貫通孔を有するマ
    スク板と、このマスク板の各貫通孔の下流側に設けられ
    ていてイオンビームを受けてそのビーム電流を計測する
    複数のビームコレクターとを有するビームモニターを備
    えるイオン注入装置において、シャッター板とその駆動
    部とを有していて、そのシャッター板を前記ビームモニ
    ターのマスク板と前記ディスクとの間に真空容器外から
    出し入れしてマスク板の上流側を開閉するビームシャッ
    ターを設けたことを特徴とするイオン注入装置。
JP7158893U 1993-12-08 1993-12-08 イオン注入装置 Pending JPH0734545U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7158893U JPH0734545U (ja) 1993-12-08 1993-12-08 イオン注入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7158893U JPH0734545U (ja) 1993-12-08 1993-12-08 イオン注入装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0734545U true JPH0734545U (ja) 1995-06-23

Family

ID=13464993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7158893U Pending JPH0734545U (ja) 1993-12-08 1993-12-08 イオン注入装置

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JP (1) JPH0734545U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056586A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd 周波数調整装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056586A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd 周波数調整装置

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