JPS60138247U - イオン照射装置 - Google Patents

イオン照射装置

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JPS60138247U
JPS60138247U JP2621084U JP2621084U JPS60138247U JP S60138247 U JPS60138247 U JP S60138247U JP 2621084 U JP2621084 U JP 2621084U JP 2621084 U JP2621084 U JP 2621084U JP S60138247 U JPS60138247 U JP S60138247U
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JP
Japan
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irradiation device
ion irradiation
film thickness
ion
detection means
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Pending
Application number
JP2621084U
Other languages
English (en)
Inventor
勝男 内藤
小川　智滋
木ノ山　俊昭
Original Assignee
日新電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日新電機株式会社 filed Critical 日新電機株式会社
Priority to JP2621084U priority Critical patent/JPS60138247U/ja
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案のイオン照射装置の一実施例の構成説
明図、第２１１ｆｆｌＡは膜厚検知手段の他の例の構成
説明図、第２図Ｂは膜厚検知手段のさらに他の例の構成
説明図、第３図はライナの破損を検知する手段の他の例
９構成説明図、第４図は分析管の内壁面の汚染を検知す
る手段の一例の構成説明図、第５図はターゲット部の内
壁面の汚染を検知する手段の７例の構成説明図である。 １・・・イオン照射装置、２・・・イオン源部、３・・
・質量分析部、４・・・加速・収束部、５・・・ターゲ
ット部、６，１９，６２・・・水晶膜厚計、９・・・発
光素子、１０・・・受光素子、゛、１１・・・ガラス窓
、１２・・・絶　　−縁体ミ１３・・・電極、１４・・
・電極、１５・・・絶縁体、１６・・・空隙、１８・・
・感温素子、６０・・・表面導電性探知棒。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ｉ　イオン照射装置のイオン源部内も１くはその近傍に
    膜厚検知手段を付設し、これによりイオン源部の内壁面
    への汚染物質の付着度合を検知可能としたことを特徴と
    するイオン照射装置。 ２　膜厚検知手段が、水晶膜厚計である請求の範。 間第１項記載の装置。
JP2621084U 1984-02-24 1984-02-24 イオン照射装置 Pending JPS60138247U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014089968A (ja) * 2008-02-11 2014-05-15 Advanced Technology Materials Inc 半導体プロセスシステムにおけるイオンソース（イオン源）のクリーニングおよびイオンインプランテーションシステム
JP2016500898A (ja) * 2012-10-05 2016-01-14 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオン注入機を保守する方法
JP2019138668A (ja) * 2018-02-06 2019-08-22 株式会社東芝 劣化診断システム、劣化診断装置、劣化診断方法、およびプログラム

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