JP2007214171A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- 真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
前記被加工試料の処理において、次の処理条件に移行する際、前の処理条件での処理終了時、プラズマ生成用放電を継続するとともに被加工試料への高周波バイアス電力の印加を継続して次の処理条件に移行し、かつ被加工試料の背面へ冷却ガスの供給を継続して次の処理条件に移行し、前記被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。 - 請求項1記載のエッチング処理方法において、
前記次の処理条件に移行する際、冷却ガス圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを所望の圧力に制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。 - 請求項１記載のエッチング処理方法において、
前記複数の処理条件間のプラズマ生成用放電を継続して、複数の処理条件のうち、後の処理条件の初期の前記被加工試料の温度を、前の処理条件での処理中の被加工試料の温度より低下させないように冷却ガス圧力を制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。 - 請求項１記載のエッチング処理方法において、
前記被花王試料が所望の温度となるように、被加工試料と被加工試料を設置する電極の間に封入する冷却ガスの圧力または流量およびその時間を制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。 - 真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
前記高堆積性のガスを用いたエッチング処理開始時に、前記被加工処理試料の背面へ供給する冷却ガスの圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを所望の圧力に制御し、かつ前記被加工試料への高周波バイアス電力を印加して被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。 - 真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
複数の処理条件で順次被加工試料をエッチング処理する際に、処理ステップ間のプラズマ生成用放電を継続したまま前記被加工処理試料の背面へ供給する冷却ガスの圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを次の処理ステップでの所望の圧力に制御し、かつ前記被加工試料への高周波バイアス電力を印加して次の処理ステップへ移行して、被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。
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