JP2007207925A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
プラズマエッチング装置の電極間にグロー放電プラズマが発生し難い構成において、所望条件のグロー放電プラズマを容易に発生させる。
【解決手段】
エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、前記ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。
【選択図】図1
Description
3対が設置されている。カソード電極102とアノード電極103の電極間距離は、所望のエッチング条件に従って決定される。プラズマ処理反応容器101外には、カソード電極102に電力を供給するための電源104と、電源104とカソード電極102・アノード電極103対間のインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回路105が設置されている。インピーダンス整合回路105は、ある状態に固定された手動動作に設定することができ、また、電源104への反射電力が最小となるように動作する自動整合動作に設定することもできる。
合にも適用でき、プラズマエッチング処理を行うことができる。
(実施形態1)
以下、本発明の実施形態1に係るプラズマエッチング方法を説明する。
きくなるが、マスフローコントローラは、その後の流量調整においてその流量を連続的に変更できる点で好ましい。
(実施形態2)
本発明の実施形態2に係るプラズマエッチング方法について図を基に説明する。図3は、本実施形態に係るプラズマ処理方法のタイムチャートである。
(実施形態3)
実施形態1および実施形態2においては、電源104からインピーダンス整合回路105を介して一対のアノード電極103・カソード電極102対に電力を投入する構成としたが、図4に示すように、インピーダンス整合回路105一つに対して複数のアノード電極103・カソード電極102対を接続しても良い。
希釈ガス導入工程ST1において、Arガスの流量は6SLMとした。
LM、NF3ガス流量が1SLM、プラズマ処理反応容器101内のガス圧力が300Paのプラズマエッチング条件下において、カソード電極102・アノード電極103間にプラズマを発生させるためには、電源104からの出力電力を5kW程度まで上げる必要があった。
102 カソード電極
103 アノード電極
104 電源
105 インピーダンス整合回路
108 希釈ガス
109 エッチングガス
Claims (10)
- プラズマ処理反応容器に希釈ガスを導入する希釈ガス導入工程と、プラズマ処理反応容器内の圧力を略一定に調整する圧力調整工程と、プラズマ処理反応容器内に設けられた電極に電力を投入してグロー放電プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に略同流量の前記希釈ガスの流量を減ずるガス制御工程と、前記希釈ガスおよび前記エッチングガスの流量を処理流量値に設定してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、をこの順に行うプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程において、前記エッチングガスを導入し流量を増加すると同時に略同流量の前記希釈ガスの流量を減ずるステップを複数回行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程において、前記希釈ガスおよび前記エッチングガス流量を連続的に変化させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記プラズマ発生工程において前記電極に投入される電力を初期電力値に設定し、前記ガス制御工程から前記エッチング処理工程にかけて前記電力を増加させ、前記エッチング処理工程において前記電力を処理電力値となった時点で固定することを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程および前記エッチング処理工程における前記電力の増加は連続的であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記電極に投入される電力は、前記ガス制御工程終了後、ガス流量安定後に前記処理電力値に固定されることを特徴とする請求項4または請求項5の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記電極に電力を供給する電源と前記電極の間にインピーダンス整合回路を設け、前記インピーダンス整合回路は前記エッチング処理工程における定常状態においてインピーダンス整合された状態に固定されることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ガス制御工程終了後、所定時間経過後に前記インピーダンス整合回路は自動整合動作を開始することを特徴とする請求項7に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記電源は前記インピーダンス整合回路を介して前記プラズマ処理反応容器内に設けられた複数の電極に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項8の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記プラズマ処理方法が実施されるプラズマエッチング装置はプラズマCVD装置を兼ねていることを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載のプラズマエッチング方法。
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