JP2002353193A - ドライエッチング方法及び装置 - Google Patents
ドライエッチング方法及び装置Info
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- JP2002353193A JP2002353193A JP2001152056A JP2001152056A JP2002353193A JP 2002353193 A JP2002353193 A JP 2002353193A JP 2001152056 A JP2001152056 A JP 2001152056A JP 2001152056 A JP2001152056 A JP 2001152056A JP 2002353193 A JP2002353193 A JP 2002353193A
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- Japan
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- etching
- plasma
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- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライエッチング装置において、プラズマ発
生時に、プラズマが不安定になることから、基板に対し
てエッチングに不安定な期間が生じ、安定なエッチング
に支障をきたしていた。 【解決手段】 反応室１にエッチングに寄与しないガス
を供給し、プラズマを発生させ、プラズマ安定後、ガス
置換によりエッチングを行うガスに置換し、エッチング
が不安定な期間を回避する。
生時に、プラズマが不安定になることから、基板に対し
てエッチングに不安定な期間が生じ、安定なエッチング
に支障をきたしていた。 【解決手段】 反応室１にエッチングに寄与しないガス
を供給し、プラズマを発生させ、プラズマ安定後、ガス
置換によりエッチングを行うガスに置換し、エッチング
が不安定な期間を回避する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを発生さ
せエッチングを行うドライエッチング方法及び装置に関
するものである。
せエッチングを行うドライエッチング方法及び装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングは、現在、ＬＳＩや液
晶製造過程における微細加工方法として欠かすことので
きない技術である。ドライエッチングは、被エッチング
材料を、反応性ガスプラズマにさらすことによって実行
される。被エッチング材料表面には、エッチングマスク
が形成されており、エッチングマスクで覆われていない
部分のみがエッチングされ、被エッチング材の微細なパ
ターンが形成される。典型的なドライエッチング装置の
構成を、図３に示す。反応室１は、排気口１１より真空
ポンプ１０で排気されている。反応室１には、電極２と
対向電極３とが装備されており、電極２には、マッチン
グボックス４を介して高周波電源５によって電力が供給
され、対向電極３は接地されている。反応性ガス６は、
マスフローコントローラ７ａによって流量制御され、ガ
ス導入口８より反応室１内へ導入される。被エッチング
物９は、電極２上に設置される。電極２に電力が印加さ
れると、電極２と対向電極３との間に、反応性ガス６の
プラズマが生成され、反応性ガス６が分解されて、イオ
ンやラジカルを生じる。このイオンやラジカルまたは反
応性ガス６そのものの効果によって、被エッチング物９
の表面がハロゲン化し、その反応生成物が被エッチング
物９の表面より離脱することによって、被エッチング物
９がエッチングされる。
晶製造過程における微細加工方法として欠かすことので
きない技術である。ドライエッチングは、被エッチング
材料を、反応性ガスプラズマにさらすことによって実行
される。被エッチング材料表面には、エッチングマスク
が形成されており、エッチングマスクで覆われていない
部分のみがエッチングされ、被エッチング材の微細なパ
ターンが形成される。典型的なドライエッチング装置の
構成を、図３に示す。反応室１は、排気口１１より真空
ポンプ１０で排気されている。反応室１には、電極２と
対向電極３とが装備されており、電極２には、マッチン
グボックス４を介して高周波電源５によって電力が供給
され、対向電極３は接地されている。反応性ガス６は、
マスフローコントローラ７ａによって流量制御され、ガ
ス導入口８より反応室１内へ導入される。被エッチング
物９は、電極２上に設置される。電極２に電力が印加さ
れると、電極２と対向電極３との間に、反応性ガス６の
プラズマが生成され、反応性ガス６が分解されて、イオ
ンやラジカルを生じる。このイオンやラジカルまたは反
応性ガス６そのものの効果によって、被エッチング物９
の表面がハロゲン化し、その反応生成物が被エッチング
物９の表面より離脱することによって、被エッチング物
９がエッチングされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ装置におけるプラズマ発生過程を、図４に示す。従来
の方法では、エッチングガスを反応室に導入後、流量、
圧力を安定化させるように制御している。ガス安定後、
高周波電力を、マッチングボックスを介して印加する
が、その際、電力印加からマッチング合わせの間は、プ
ラズマが不安定な期間であり、安定なエッチングに支障
をきたしていた。
グ装置におけるプラズマ発生過程を、図４に示す。従来
の方法では、エッチングガスを反応室に導入後、流量、
圧力を安定化させるように制御している。ガス安定後、
高周波電力を、マッチングボックスを介して印加する
が、その際、電力印加からマッチング合わせの間は、プ
ラズマが不安定な期間であり、安定なエッチングに支障
をきたしていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明では、エッチングを行うガスで、プラズマを
発生させる前に、エッチングに寄与しないガスにてプラ
ズマを発生させる工程と、エッチングに寄与しないガス
でのプラズマが安定した後、ガス流量制御装置にて、エ
ッチングに寄与しないガスを、エッチングを行うガスに
置換させることにより、プラズマが不安定に期間に不安
定なエッチングが起こることを回避するものである。
に、本発明では、エッチングを行うガスで、プラズマを
発生させる前に、エッチングに寄与しないガスにてプラ
ズマを発生させる工程と、エッチングに寄与しないガス
でのプラズマが安定した後、ガス流量制御装置にて、エ
ッチングに寄与しないガスを、エッチングを行うガスに
置換させることにより、プラズマが不安定に期間に不安
定なエッチングが起こることを回避するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態に係
るドライエッチング方法を示したフロー図、図２はドラ
イエッチング装置の概略図で、以下、図１と図２を用い
て説明する。
るドライエッチング方法を示したフロー図、図２はドラ
イエッチング装置の概略図で、以下、図１と図２を用い
て説明する。
【０００６】反応室１は、排気口１１より真空ポンプ１
０で排気されている。反応室１には、電極２と対向電極
３とが装備されており、電極２には、マッチングボック
ス４を介して高周波電源５によって電力が供給され、対
向電極３は接地されている。反応性ガス６は、マスフロ
ーコントローラ７ａ、７ｂによって流量制御され、ガス
導入口８より反応室１内へ導入される。この時、まずエ
ッチングに寄与しないガスを、マスフローコントローラ
７ａを介して、反応室１に供給する。このエッチングに
寄与しないガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性
ガスや、Ｎ2、Ｏ2であることが望ましい。流量、圧力が
所定の流量、圧力に安定した後、高周波電力印加を行
う。発生したプラズマは、マッチング調整後安定する
が、マッチング調整時は、プラズマは不安定になる。し
かしながら、プラズマ中のガスは、エッチングに寄与し
ない種のガスであり、基板に対して、エッチングを行わ
ない。そして、エッチングに寄与しないガスで、プラズ
マが安定した後、エッチングに寄与しないガスをマスフ
ローコントローラ７ａにて減少させ、さらにエッチング
に寄与するガスをマスフローコントローラ７ｂにて増加
させながら、反応室内のガスを置換させる。この時、マ
スフローコントローラ７ａにて減少させる量と、マスフ
ローコントローラ７ｂにて増加させる量とを同じにして
いる。ガス置換時は、マッチングボックス４は、図示し
ないマッチングコントローラーにより、ガス置換時は常
にマッチング整合している。
０で排気されている。反応室１には、電極２と対向電極
３とが装備されており、電極２には、マッチングボック
ス４を介して高周波電源５によって電力が供給され、対
向電極３は接地されている。反応性ガス６は、マスフロ
ーコントローラ７ａ、７ｂによって流量制御され、ガス
導入口８より反応室１内へ導入される。この時、まずエ
ッチングに寄与しないガスを、マスフローコントローラ
７ａを介して、反応室１に供給する。このエッチングに
寄与しないガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性
ガスや、Ｎ2、Ｏ2であることが望ましい。流量、圧力が
所定の流量、圧力に安定した後、高周波電力印加を行
う。発生したプラズマは、マッチング調整後安定する
が、マッチング調整時は、プラズマは不安定になる。し
かしながら、プラズマ中のガスは、エッチングに寄与し
ない種のガスであり、基板に対して、エッチングを行わ
ない。そして、エッチングに寄与しないガスで、プラズ
マが安定した後、エッチングに寄与しないガスをマスフ
ローコントローラ７ａにて減少させ、さらにエッチング
に寄与するガスをマスフローコントローラ７ｂにて増加
させながら、反応室内のガスを置換させる。この時、マ
スフローコントローラ７ａにて減少させる量と、マスフ
ローコントローラ７ｂにて増加させる量とを同じにして
いる。ガス置換時は、マッチングボックス４は、図示し
ないマッチングコントローラーにより、ガス置換時は常
にマッチング整合している。
【０００７】被エッチング物９は、電極２上に設置され
る。電極２に電力が印加されると、電極２と対向電極３
との間に、反応性ガス６のプラズマが生成され、反応性
ガス６が分解されて、イオンやラジカルを生じる。この
イオンやラジカルまたは反応性ガス６そのものの効果に
よって、被エッチング物９の表面がハロゲン化し、その
反応生成物が被エッチング物９の表面より離脱すること
によって、被エッチング物９がエッチングされる。
る。電極２に電力が印加されると、電極２と対向電極３
との間に、反応性ガス６のプラズマが生成され、反応性
ガス６が分解されて、イオンやラジカルを生じる。この
イオンやラジカルまたは反応性ガス６そのものの効果に
よって、被エッチング物９の表面がハロゲン化し、その
反応生成物が被エッチング物９の表面より離脱すること
によって、被エッチング物９がエッチングされる。
【０００８】これによって、マッチング合わせ期間のエ
ッチング不安定期間を、回避できるという有利な効果が
得られる。
ッチング不安定期間を、回避できるという有利な効果が
得られる。
【０００９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、このことか
ら、エッチングに寄与しないガスでプラズマを発生さ
せ、安定させた後、エッチングを行うガスで置換するこ
とにより、マッチング合わせ期間のエッチング不安定期
間を、回避できるという有利な効果が期待できる。
ら、エッチングに寄与しないガスでプラズマを発生さ
せ、安定させた後、エッチングを行うガスで置換するこ
とにより、マッチング合わせ期間のエッチング不安定期
間を、回避できるという有利な効果が期待できる。
【図１】本発明の実施の形態に係るドライエッチング方
法を示すフロー図
法を示すフロー図
【図２】本発明の実施の形態に係るドライエッチング装
置の概略図
置の概略図
【図３】従来のドライエッチング装置の概略図
【図４】従来のドライエッチング方法を示すフロー図
１ 反応室 ２ 下部電極 ３ 上部電極 ４ マッチングボックス ７ マスフローコントローラ ９ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 悌一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC06 DA02 DA11 EB41 EC21 4K057 DA16 DD01 DE14 DE20 DG06 DM28 5F004 AA01 BA04 BB28 BC03 CA01 CA02 DA00 DA22 DA23 DA25 DA26
Claims (4)
- 【請求項１】 反応室内に、エッチングに寄与しないガ
スを供給する工程と、このエッチングに寄与しないガス
にてプラズマを発生させる工程と、このプラズマが安定
した後、前記エッチングに寄与しないガスをエッチング
を行うガスに置換する工程とを有したことを特徴とする
ドライエッチング方法。 - 【請求項２】 ガス置換を行う工程は、エッチングに寄
与しないガスの流量を減少させ、かつエッチングを行う
ガスの流量を減少させた分と同量増加させて、ガス置換
を行うことを特徴とする請求項１に記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 エッチングに寄与しないガスが、不活性
ガスまたは、Ｎ2、Ｏ2であることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 エッチング処理を行う反応室と、この反
応室にエッチングに寄与しないガスを供給する手段と、
このエッチングに寄与しないガスをエッチングを行うガ
スに切り替える手段と、エッチング時のインピーダンス
の整合を取るマッチングボックスとを有することを特徴
とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001152056A JP2002353193A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | ドライエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001152056A JP2002353193A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | ドライエッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353193A true JP2002353193A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=18996788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001152056A Pending JP2002353193A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | ドライエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353193A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007088692A1 (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマエッチング方法 |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001152056A patent/JP2002353193A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007088692A1 (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマエッチング方法 |
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