JP4678688B2 - プラズマ処理終了方法 - Google Patents
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Description
このようなことから、特許文献1の技術は満足できるものでは無い。
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力W1よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力W2に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力W2条件で、所定時間tの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する
ことを特徴とするプラズマ処理終了方法によって解決される。
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力W1よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力W2の中でも最も小さい電力W20に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力W20条件で、所定時間tの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する
ことを特徴とするプラズマ処理終了方法によって解決される。
以下、更に詳しく説明する。
先ず、Siウェハ1をプラズマ反応室内に搬送して300〜400℃に保持された電極2上に載置する。そして、プラズマ反応室内を0.4Pa以下の真空度に排気した後、所定量の反応ガス(主反応ガス及び副反応ガス:プロセスガス)を導入し、高周波電源4のスイッチを入れてRF電力を印加する。これによって、所定のプラズマ処理が行われる。例えば、所定の膜がSiウェハ1上に形成される。
先ず、SiOC等の膜形成における実施例を図2のCVD装置を参照しながら説明する。
その後、例えば300WのRF電力(13.56MHz)を印加した。
2,3 電極
4 高周波電源
5 RFマッチングボックス
6a 主反応ガスの流量計
6b 副反応ガスの流量計
特許出願人 次世代半導体材料技術研究組合
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (2)
- 一対の電極間に電圧を印加して供給反応ガスのプラズマを被処理物に作用させてプラズマ処理を行った後にプラズマ処理を終了させるに際して該被処理物にチャージした静電気を実質上消失させるプラズマ処理終了方法であって、
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力W1よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力W2に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力W2条件で、本ステップによって被処理物にチャージした静電気が実質上消失する所定時間t(t<10秒)の間に亘って、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間、RF電力以外のプラズマ条件に変更を加えることなく、かつ、供給量に実質的な変更を加えることなく反応ガスを供給する
ことを特徴とするプラズマ処理終了方法。 - 電力低下ステップで低下させられる電力W2は、プラズマ放電が安定して維持される電力の中でも最も小さい電力W20であることを特徴とする請求項1のプラズマ処理終了方法。
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