JP6305087B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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前記被エッチング膜をエッチングする第一の工程と、
プラズマ処理が行われる処理室内に配置されたアースの電位よりも前記被エッチング膜を有する試料の電位を低くする第二の工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
第1反応ガスにより生成したプラズマを用い、前記被処理基板に高周波バイアスを印加しながら前記被処理基板をプラズマ処理する第二の工程と、
引き続き、前記被処理基板に高周波バイアスを印加しプラズマを生成している状態で、前記第1反応ガスを希ガスにより置換する第三の工程と、
引き続き、前記被処理基板に高周波バイアスを印加しプラズマを生成している状態で、第2反応ガスにより前記希ガスを置換し、前記第2反応ガスにより生成したプラズマを用いて前記被処理基板に高周波バイアスを印加しながら前記被処理基板をプラズマ処理する第四の工程と、
その後、前記プラズマ処理室から前記被処理基板を搬出する第五の工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
Claims (5)
- 処理室内にて被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記被エッチング膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
プラズマ処理が行われる処理室内に配置されたアースの電位よりも前記被エッチング膜を有する試料の電位を低くする第二の工程と、を有し、
前記試料の電位とプラズマの電位との電位差を第一の値以上とし、
前記第一の値は、前記アースの面積に対する前記試料の面積の比の二乗を1から減じた値により第二の値を除した値の二乗であり、
前記第二の値は、異物の質量により前記異物の帯電量の2倍を除した値の平方根によって25を除した値であり、
前記比は、1より小さいことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程は、前記試料に高周波電力を供給しながら行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程のプラズマは、希ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程のプラズマは、希ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
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