JP5659425B2 - 負イオンプラズマを生成する処理システムおよび中性ビーム源 - Google Patents
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- 負の電荷を有するイオンを含むプラズマを生成する処理システムであって:
第1プロセスガスを受け、かつ第1圧力で動作するように備えられた第1チャンバ;
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスを導入するように備えられた第1ガス注入システム;
前記第1チャンバと結合して第2プロセスガスを受け、かつ第2圧力で動作するように備えられた第2チャンバであって、基板処理のための基板処理システムと結合するように備えられた排出口を有する第2チャンバ;
前記第2チャンバと結合して前記第2プロセスガスを導入するように備えられた第2ガス注入システム;
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスからプラズマを生成するように備えられたプラズマ発生システム;
前記第1チャンバと第2チャンバの間に設けられた誘電材料から作られる分離部材であって、前記第2チャンバ内に静かなプラズマを生成するため、前記の第1チャンバのプラズマから前記第2チャンバへ電子を供給するように備えられた1つ以上のデバイ長よりも大きな開口部を有し、かつ、前記デバイ長よりも大きな開口部は、適切な電子の輸送を可能にするのに十分大きくて、前記分離部材を通り抜ける電子による加熱を減少させるのに十分小さい、分離部材;並びに、
前記第1及び第2チャンバと結合する圧力制御システムであって、前記第1チャンバから生じた電子が、少なくとも1種類の電気的に陰性のガス種を有する前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成するように前記第2圧力を制御するように備えられた圧力制御システム;
を有する処理システム。 - 前記プラズマ発生システムが、容量結合性プラズマ源、誘導結合性プラズマ源、変成器と結合するプラズマ源、マイクロ波プラズマ源、表面波プラズマ源、又はヘリコン波プラズマ源のうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の処理システム。
- 前記プラズマ発生システムは変成器結合プラズマ源を有し、
前記変成器結合プラズマ源は誘導コイルを有し、
前記誘導コイルは、前記第1チャンバの上方に設けられていて、かつ誘電体窓を介して前記第1チャンバ内部へ電磁(EM)エネルギーを結合するように備えられている、
請求項1に記載の処理システム。 - 前記第1チャンバの周囲に設けられていて前記プラズマと接するように備えられている1つ以上の電極;及び
前記1つ以上の電極と結合し、かつ該1つ以上の電極と電圧を結合するように備えられている電源;
をさらに有する、請求項1に記載の処理システム。 - 前記第1チャンバの周辺を取り囲み、かつ前記プラズマと接するように備えられている円筒形電極;及び、
前記円筒形電極と結合し、かつ前記円筒形電極に電圧を結合するように備えられている、電源;
をさらに有する、請求項1に記載の処理システム。 - 前記円筒形電極が円筒形の中空の陰極として機能し、かつ
前記電圧が-1V乃至-5kVの範囲の直流電圧を有する、
請求項5に記載の処理システム。 - 前記電圧が-1V乃至-2kVの範囲の直流電圧を有する、請求項6に記載の処理システム。
- 前記圧力制御システムが:
排気ダクトを介して前記第2チャンバと結合する排気システム;
前記排気システムと前記第2チャンバの間に設けられていて前記排気ダクトと結合するバルブ;
前記第2チャンバと結合して前記第2圧力を測定するように備えられている圧力測定装置;並びに、
前記圧力測定装置及び前記バルブと結合して、前記第2圧力の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを行うように備えられている制御装置;
を有する、
請求項1に記載の処理システム。 - 中性化装置グリッドをさらに有する処理システムであって、前記中性化装置グリッドは、前記第2チャンバの排出口と結合し、かつ前記負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
- 前記中性化装置グリッドを貫通するアパーチャの直径がデバイ長未満の長さである、請求項9に記載の処理システム。
- 前記第2チャンバの下流に設けられた第3チャンバをさらに有する処理システムであって、
圧力バリアは、前記第2チャンバと前記第3チャンバの間に設けられ、かつ前記第2チャンバの第2圧力と前記第3チャンバ領域の第3圧力との間の差圧を生成するように備えられていて、かつ
前記第3圧力は前記第2圧力よりも小さい、
請求項1に記載の処理システム。 - 前記圧力制御システムが前記第3チャンバと結合する、請求項11に記載の処理システム。
- 中性化装置グリッドをさらに有する処理システムであって、前記中性化装置グリッドは、前記の第3チャンバの排出口と結合し、かつ負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられている、請求項11に記載の処理システム。
- 前記中性化装置グリッドを貫通するアパーチャの直径がデバイ長未満の長さである、請求項13に記載の処理システム。
- 負に帯電したイオンによって生成させる中性ビーム源であって:
第1プロセスガスを受け、かつ第1圧力で動作するように備えられた第1チャンバ領域と、前記第1チャンバの下流に設けられる第2チャンバ領域であって、第2プロセスガスを受け、かつ第2圧力で動作するように備えられた第2チャンバを有する中性ビーム発生チャンバ;
前記第1チャンバ領域と結合して前記第1プロセスガスを導入するように備えられた第1ガス注入システム;
前記第2チャンバと結合して前記第2プロセスガスを導入するように備えられた第2ガス注入システム;
前記第1チャンバと結合して前記第1プロセスガスからプラズマを生成するように備えられたプラズマ発生システム;
前記第1チャンバ領域と第2チャンバ領域の間に設けられた誘電材料から作られる分離部材であって、前記第2チャンバ領域内に静かなプラズマを生成するため、前記第1チャンバ領域から前記第2チャンバ領域へ電子を供給するように備えられたデバイ長よりも大きな1つ以上の開口部を有し、かつ、前記デバイ長よりも大きな開口部は、適切な電子の輸送を可能にするのに十分大きくて、前記分離部材を通り抜ける電子による加熱を減少させるのに十分小さい、分離部材;
前記中性ビーム発生チャンバと結合する圧力制御システムであって、前記第1チャンバ領域から生じた電子が、前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成するように前記第2圧力を制御するように備えられた圧力制御システム;並びに、
前記の第2チャンバ領域の排出口と結合して、前記負に帯電したイオンの一部又は全部を中性化するように備えられた、アパーチャの直径がデバイ長未満の中性化装置グリッド;
を有する中性ビーム源。 - 前記第2チャンバ領域の下流に設けられた第3チャンバ領域をさらに有する中性ビーム源であって、前記第3チャンバ領域の排出口が、前記アパーチャの直径がデバイ長未満の中性化装置グリッドと結合する、請求項15に記載の中性ビーム源。
- 圧力バリアをさらに有する中性ビーム源であって、
前記圧力バリアは、前記第2チャンバ領域と前記第3チャンバ領域の間に設けられ、かつ前記の第2チャンバ領域の第2圧力と前記の第3チャンバ領域の第3圧力の間に差圧を生じさせるように備えられ、かつ
前記第3圧力は前記第2圧力よりも小さい、
請求項16に記載の中性ビーム源。 - 前記第1チャンバ領域の周囲を取り囲んで前記プラズマと接するように備えられている円筒形電極;及び、
前記円筒形電極と結合して電源を前記前記円筒形電極へ結合するように備えられている電源;
をさらに有する中性ビーム源であって、
前記円筒形電極は円筒形の中空の陰極として機能し、かつ
前記電圧は-1V(ボルト)乃至-5kVの範囲の直流(dc)電圧を有する、
請求項17に記載の中性ビーム源。 - 前記圧力制御システムが、接地された又は電気的にバイアス印加された排出シリンダを介して前記第3チャンバ領域と結合し、かつ
前記排出シリンダは、該排出シリンダを貫通する1つ以上の直径がデバイ長よりも長い開口部、若しくは該排出シリンダを貫通する1つ以上の直径がデバイ長未満の開口部、又は前記直径がデバイ長よりも長い開口部と直径がデバイ長未満の開口部の結合を有する、
請求項18に記載の中性ビーム源。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/862,358 | 2007-09-27 | ||
US11/862,358 US20090084501A1 (en) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | Processing system for producing a negative ion plasma |
PCT/US2008/077163 WO2009042534A1 (en) | 2007-09-27 | 2008-09-22 | Processing system for producing a negative ion plasma |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010541167A JP2010541167A (ja) | 2010-12-24 |
JP2010541167A5 JP2010541167A5 (ja) | 2011-10-27 |
JP5659425B2 true JP5659425B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=40506851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010527060A Expired - Fee Related JP5659425B2 (ja) | 2007-09-27 | 2008-09-22 | 負イオンプラズマを生成する処理システムおよび中性ビーム源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090084501A1 (ja) |
JP (1) | JP5659425B2 (ja) |
KR (1) | KR101419975B1 (ja) |
CN (1) | CN101809715B (ja) |
TW (1) | TWI505352B (ja) |
WO (1) | WO2009042534A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2939173B1 (fr) * | 2008-11-28 | 2010-12-17 | Ecole Polytech | Propulseur a plasma electronegatif a injection optimisee. |
US8323521B2 (en) * | 2009-08-12 | 2012-12-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques |
US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
EP2614520A4 (en) * | 2010-12-16 | 2015-12-23 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | OZONE AND PLASMA PRODUCTION USING AN ELECTRON BEAM TECHNOLOGY |
KR101893471B1 (ko) | 2011-02-15 | 2018-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 멀티존 플라즈마 생성을 위한 방법 및 장치 |
US9039911B2 (en) * | 2012-08-27 | 2015-05-26 | Lam Research Corporation | Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system |
CN103290392A (zh) * | 2012-03-01 | 2013-09-11 | 苏州汇智真空科技有限公司 | 共用电极的等离子体增强化学气相沉积装置及方法 |
US9431218B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-30 | Tokyo Electron Limited | Scalable and uniformity controllable diffusion plasma source |
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CA2916920A1 (en) | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Joseph D. Sherman | High reliability, long lifetime negative ion source |
US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
JP6247087B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および活性種の生成方法 |
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US20230031722A1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Voltage Control for Etching Systems |
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---|---|---|---|---|
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US7358484B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-04-15 | Tokyo Electron Limited | Hyperthermal neutral beam source and method of operating |
-
2007
- 2007-09-27 US US11/862,358 patent/US20090084501A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2010527060A patent/JP5659425B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-22 KR KR1020107008983A patent/KR101419975B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-22 WO PCT/US2008/077163 patent/WO2009042534A1/en active Application Filing
- 2008-09-22 CN CN2008801092291A patent/CN101809715B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-26 TW TW097137291A patent/TWI505352B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009042534A1 (en) | 2009-04-02 |
CN101809715A (zh) | 2010-08-18 |
TW200924051A (en) | 2009-06-01 |
KR20100080913A (ko) | 2010-07-13 |
US20090084501A1 (en) | 2009-04-02 |
KR101419975B1 (ko) | 2014-07-16 |
CN101809715B (zh) | 2012-11-14 |
JP2010541167A (ja) | 2010-12-24 |
TWI505352B (zh) | 2015-10-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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