JP2015018876A - 反応装置のコンディショニング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そして、前記付着膜はさらにF及びOの少なくとも一方を含み、このF及びOを前記SF6/O2プラズマ照射工程で除去するようにしてもよい。
また、前記SF6/O2プラズマを発生させるSF6ガスとO2ガスは、流量(sccm)比で、SF6ガス:O2ガス=250:30〜150であることが好ましい。
また、前記反応装置が、エッチングガスとしてSF6ガス、O2ガス、SiF4ガス及びフルオロカーボンガスを用いたドライエッチング装置であり、SF6ガス、O2ガス、SiF4ガス及びフルオロカーボンガスに由来する前記付着膜が反応室の内部に形成されるものであってもよい。
図2に示すドライエッチング装置10を用い、Si基板を下記に示すエッチング条件で、3枚連続でエッチングした。次に、同じSi基板をダミー基板として、下記に示すコンディショニング条件でコンディショニングした。なお、コンディショニングは、O2プラズマ照射工程を1回行った後、SF6/O2プラズマ照射工程を1回行った。次に、再度、Si基板を下記に示すエッチング条件でエッチングし、このSi基板について、断面を10000倍の走査電子顕微鏡(SEM)で観察した。SEM観察結果を図3(a)に示す。
・エッチングガス・・・SF6(275sccm)、O2(40sccm)、SiF4(50sccm)
・エッチングガス圧力・・・11Pa
・キャリアガス・・・He
・キャリアガス圧力・・・1500Pa
・アンテナパワー(第1高周波電源21)・・・1000W
・バイアスパワー(第2高周波電源24)・・・25W
・エッチング時間・・・10分
<コンディショニング条件>
−O2プラズマ照射工程−
・O2プラズマ発生ガス:O2(100sccm)
・O2プラズマ発生ガス圧力・・・6.7Pa
・キャリアガス・・・He
・キャリアガス圧力・・・1500Pa
・アンテナパワー(第1高周波電源21)・・・1000W
・バイアスパワー(第2高周波電源24)・・・50W
・コンディショニング時間・・・15分
−SF6/O2プラズマ照射工程−
・SF6/O2プラズマ発生ガス:SF6(275sccm)、O2(40sccm)
・SF6/O2プラズマ発生ガス圧力・・・6.7Pa
・キャリアガス・・・He
・キャリアガス圧力・・・1500Pa
・アンテナパワー(第1高周波電源21)・・・1000W
・バイアスパワー(第2高周波電源24)・・・25W
・コンディショニング時間・・・15分
コンディショニングを行わなかった以外は、実施例1と同様の操作を行った。SEM観察結果を図3(b)に示す。
公知のプラズマCVD装置((株)アルバック社製、製品名:CMEシリーズ)を用い、Si基板上に下記に示すCVD条件で、5枚連続でSiOC膜を成膜した。次に、同じSi基板をダミー基板として、実施例1と同じコンディショニング条件でコンディショニングした。なお、コンディショニングは、O2プラズマ照射工程を1回行った後、SF6/O2プラズマ照射工程を1回行った。次に、再度、Si基板上に下記に示すCVD条件でSiOC膜を成膜し、このSi基板について、形成した膜の厚さを膜厚計で観察した。
コンディショニングを行わなかったこと以外は、実施例2と同様の操作を行った。
この結果、本発明のコンディショニングを行った実施例2においては、5枚目に成膜したSi基板も、1枚目のSi基板に形成された膜とほとんど同じ厚さ及び組成の膜が形成されており、成膜の再現性が良好であった。一方、本発明のコンディショニングを行わなかった比較例2においては、2枚目に成膜したSi基板は、1枚目に成膜したSi基板とは厚さ及び屈折率が異なる膜が形成されていた。
・成膜ガス:SF6/O2/SiF4(275/40/50sccm)
・成膜ガス圧力:9Pa
・キャリアガス:He
・アンテナパワー:2000W
・バイアスパワー:100W
・時間:15分
11 反応室 12 ロード/アンロード室
13 真空ポンプ 14 シャワープレート
15 円筒状側壁 16 プラズマ発生室
17a、17b、17c 磁場コイル 18 アンテナコイル
20、23 マッチングボックス 21 第1高周波電源
22 基板電極 24 第2高周波電源
25 天板 26 チラー
Claims (6)
- プラズマを用いた反応によりSi及びCを含む付着膜が反応室の内部に形成される反応装置のコンディショニング方法であって、
O2プラズマを前記付着膜に照射することによりCを除去するO2プラズマ照射工程と、
SF6ガス及びO2ガスを用いて発生させたSF6/O2プラズマを前記付着膜に照射することによりSiを除去するSF6/O2プラズマ照射工程と
を有することを特徴とする反応装置のコンディショニング方法。 - 前記O2プラズマ照射工程の後、前記SF6/O2プラズマ照射工程を行うことを特徴とする請求項1に記載する反応装置のコンディショニング方法。
- 前記付着膜はさらにF及びOの少なくとも一方を含み、このF及びOを前記SF6/O2プラズマ照射工程で除去することを特徴とする請求項1又は2に記載する反応装置のコンディショニング方法。
- 前記SF6/O2プラズマを発生させるSF6ガスとO2ガスは、流量比で、SF6ガス:O2ガス=250:30〜150であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載する反応装置のコンディショニング方法。
- 前記反応装置が、プラズマを用いてSi基板をエッチングするドライエッチング装置又はプラズマCVD装置であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載する反応装置のコンディショニング方法。
- 前記反応装置が、エッチングガスとしてSF6ガス、O2ガス、SiF4ガス及びフルオロカーボンガスを用いたドライエッチング装置であり、SF6ガス、O2ガス、SiF4ガス及びフルオロカーボンガスに由来する前記付着膜が反応室の内部に形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載する反応装置のコンディショニング方法。
Priority Applications (1)
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JP2015018876A true JP2015018876A (ja) | 2015-01-29 |
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JP2013143911A Pending JP2015018876A (ja) | 2013-07-09 | 2013-07-09 | 反応装置のコンディショニング方法 |
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JP (1) | JP2015018876A (ja) |
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