JP2009010240A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット32の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。このコンディショニング工程は、定期的に行われ、例えば、基板を所定枚数処理するごとに行われる。これにより、ターゲット32の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。
【選択図】図1
Description
(実施条件)
・ターゲット材料:ポリテトラフルオロエチレン
・RF1:周波数 13.56MHz
パワー 1500W
・RF3:周波数12.5MHz
パワー 500W
・プロセスガス
処理例1 SF6/Ar=50/50(sccm)
処理例2 第1クリーニング工程 SF6/Ar=50/50(sccm)
第2クリーニング工程 SF6/Ar=50/50(sccm)
処理例3 第1クリーニング工程 SF6/Ar=50/50(sccm)
第2クリーニング工程 Ar=50(sccm)
・処理圧力
処理例1 3Pa
処理例2 第1クリーニング工程 3Pa
第2クリーニング工程 3Pa
処理例3 第1クリーニング工程 3Pa
第2クリーニング工程 3Pa
・処理時間
処理例1 30分
処理例2 第1クリーニング工程 30分
第2クリーニング工程 90秒
処理例3 第1クリーニング工程 30分
第2クリーニング工程 90秒
21 真空槽
23 高周波コイル
24 磁気コイル群
25 磁気中性線
26 ステージ
29 天板
32 ターゲット
33 ガス導入管
Claims (6)
- 真空槽内でプラズマを発生させて、シリコン基板をエッチングする工程と、前記基板に対向して配置されたターゲットをスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うプラズマ処理方法であって、
前記ターゲットの表面を清浄化するコンディショニング工程を有する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記コンディショニング工程は、前記真空槽内でエッチングガスを含むプロセスガスのプラズマを発生させて前記ターゲットの表面を清浄化するものであり、
前記ターゲットにバイアス電圧を印加しない第1クリーニング工程と、前記ターゲットにバイアス電圧を印加する第2クリーニング工程とが順に行われる
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記第2クリーニング工程では、前記プロセスガスとして不活性ガス単体が用いられる
ことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記エッチングガスは、SF6ガスである
ことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 前記プラズマは、前記真空槽内に磁気中性線を形成する磁場形成手段と、前記磁気中性線に沿って交番電場を形成する電場形成手段とを用いて発生させる
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。 - 前記ターゲットは、フッ素系樹脂からなる
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
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JP2005298894A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Fujitsu Ltd | ターゲットのクリーニング方法及び物理的堆積装置 |
JP2006100485A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Ulvac Japan Ltd | 高周波電力用分岐スイッチ及びエッチング装置 |
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- 2007-06-29 JP JP2007171363A patent/JP4958658B2/ja active Active
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