JP5581366B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5581366B2
JP5581366B2 JP2012249865A JP2012249865A JP5581366B2 JP 5581366 B2 JP5581366 B2 JP 5581366B2 JP 2012249865 A JP2012249865 A JP 2012249865A JP 2012249865 A JP2012249865 A JP 2012249865A JP 5581366 B2 JP5581366 B2 JP 5581366B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
etching
substrate
sputtering
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012249865A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013070073A (ja
Inventor
泰宏 森川
弘綱 鄒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2012249865A priority Critical patent/JP5581366B2/ja
Publication of JP2013070073A publication Critical patent/JP2013070073A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5581366B2 publication Critical patent/JP5581366B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H01L21/30655Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/046Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3435Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、NLD(磁気中性線放電)を利用したプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関する。
半導体製造分野の薄膜製造工程においては、基板の表面に配線用の薄膜や絶縁性薄膜を形成する成膜工程が行われる。成膜装置には、プラズマCVD装置やスパッタ装置が広く用いられている。
スパッタ装置としては、ターゲット裏面に電磁石や永久磁石を配置し、ターゲット表面上にリング状のマグネトロン放電プラズマを発生させ、ターゲットをスパッタし、そのスパッタ物を基板に堆積させて成膜するマグネトロンスパッタ装置が知られている(特許文献1参照)。マグネトロンスパッタ装置は、効率よくプラズマを形成できるため、比較的低温、低ガス圧下での成膜が可能であり、成膜レートも高いという利点がある。
また、従来、シリコン基板の表面の加工には、プラズマエッチング(ドライエッチング)方法が広く用いられている。室温における原子状(ラジカル)フッ素とシリコンの反応は自発的であり、比較的高いエッチングレートが得られることから、シリコン基板のエッチングでは、エッチングガスとしてSF、NF、COF、XeF等のフッ素を含むガスが多用されている。ところが、フッ素を含むエッチングガスを用いたシリコン基板のドライエッチングは等方的であるため、形成された凹凸パターン(エッチングパターン)の凹部の側面にもエッチングが進行する。このため、スルーホールやディープトレンチなどの微細でアスペクト比の高いビアを高精度に形成することが困難であった。
そこで近年、パターンの側面に保護膜を形成しながらエッチングを行うことで、エッチングの横方向の広がりを抑え、パターン側面の垂直性を維持できるシリコン基板の深掘り加工技術が提案されている。
例えば特許文献2,3には、エッチング工程と保護膜形成工程を交互に繰り返して行うことで、エッチング工程で露出したパターンの底部および側面にポリマー層からなる保護膜を形成しながらエッチングを行う方法が開示されている。保護膜形成工程で凹部の側面に形成されたポリマー層は、パターンの底部に形成されたポリマー層に比べて、エッチング工程において除去される量が少ないため、このパターンの側面に形成されたポリマー層がエッチング保護膜として機能し、エッチング方向をパターンの深さ方向に制限する異方性エッチングが実現可能となる。
特に、特許文献2には、保護膜の成膜手法として、CHF系ガスを用いたCVD法が開示されている。また、特許文献3には、保護膜の成膜手法として、基板に対向配置されたスパッタターゲットに対するアルゴンガスを用いたスパッタ法が開示されている。
特開2001−271163号公報 米国特許第5,501,893号明細書 WO2006/003962号公報
一般に、スパッタ装置においては、プラズマ中のイオンとの衝突によりターゲット表面から叩き出されたスパッタ粒子(スパッタ物)は基板に対して直線的に入射するため、基板表面の段差部分や高アスペクト比の孔あるいは溝の側壁に対する成膜精度が基板とターゲットの間の幾何学的配置関係に大きく影響される。このため、基板表面の成膜領域全体にわたって均一なカバレッジ性を確保できないという問題がある。特にマグネトロンスパッタ装置においては、プラズマ密度の分布に起因したターゲットのエロージョン速度の相違が、均一性確保をより困難にしている。
一方、シリコン基板の深掘り加工技術の分野においては、加工精度の向上と生産性の改善が求められている。深掘り加工技術の加工精度の向上には、エッチングパターンの高精度な形状制御が必須となる。このため、形成したビアのサイドエッチングを保護膜で防止しながら、ビアの形状精度を向上させるようにしている。
この場合、エッチングパターンの凹部を被覆する保護膜のカバレッジ性が重要な要素となる。カバレッジ性は、一般に、パターンの形状が微細なほど、パターンの深さが深くなるほど、制御が困難となる。また、生産性の改善には、カバレッジ性の面内分布の向上を図らなければならない。したがって、所望のパターン形状を有するビア付き基板を生産性高く得るためには、保護膜のカバレッジ性向上とその面内分布を高度にコントロール可能な技術が不可欠となる。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、カバレッジ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することにある。
本発明の一形態に係るプラズマ処理装置は、真空チャンバと、ステージと、ターゲット材と、プラズマ源とを具備する。
前記ステージは、基板を支持するためのもので、前記真空チャンバの内部に設置される。前記ターゲット材は、前記ステージと対向して設置される。前記プラズマ源は、前記真空チャンバ内に高周波電場を形成する電場形成手段と、前記真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁場形成手段とを含む。前記プラズマ源は、前記電場形成手段および前記磁場形成手段によって前記ステージと前記ターゲット材との間に発生させたプラズマで、前記基板をエッチングする、または、前記ターゲット材をスパッタし、そのスパッタ物を当該プラズマで分解して前記基板へ堆積させる。
本発明の第1の実施形態によるプラズマ処理装置の概略構成図である。 図1のプラズマ処理装置の一動作例を示すタイミングフローである。 NLDスパッタとICPスパッタによるパターンの溝幅とカバレッジ比との関係を示す図である。 スパッタ用ターゲット材(PTFE)のC1s波形分離スペクトルを示す図である。 ICPスパッタ膜のC1s波形分離スペクトルを示す図である。 NLDスパッタ膜のC1s波形分離スペクトルを示す図である。 ICPスパッタおよびNLDスパッタのスパッタレートの面内分布を示す図である。 ICPエッチングおよびNLDエッチングのエッチングレートの面内分布を示す図である。 ICPおよびNLDを用いたシリコン基板の深掘り加工を行ったときの面内のパターン形状を示す図である。 本発明の第2の実施形態によるスパッタ装置の概略構成図である。 本発明の第3の実施形態によるスパッタ装置の概略構成図である。 本発明の第4の実施形態によるスパッタ装置の概略構成図である。 図1に示したプラズマ処理装置の構成の変形例を示す図である。
本発明の一実施の形態に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバの内部でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程とを交互に繰り返す。
前記保護膜の形成工程は、前記基板と前記基板に対向して配置されたターゲット材との間に高周波電場と磁気中性線を形成してプラズマを発生させることを含む。前記ターゲット材はスパッタされ、そのスパッタ物は前記プラズマで分解して前記基板へ堆積させられる。
上記プラズマ処理方法においては、プラズマによりターゲットから叩き出されたスパッタ物を基板表面に堆積させるに際して、そのスパッタ物をプラズマで分解、再励起してイオンや活性種を生成する。これにより、プラズマCVDに類似した成膜形態が得られ、カバレッジ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。
特に、プラズマ源に高周波電場と磁気中性線を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、NLD(磁気中性線放電)と称される高密度プラズマの一形態であり、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能である。
上記プラズマ処理方法は、ターゲットのスパッタ物をプラズマで分解して基板上へ堆積させるようにしている。これにより、カバレッジ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。
上記プラズマ処理方法において、ターゲット材は、合成樹脂、珪素、炭素、炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素など、成膜すべき材料の種類に応じて適宜選択することができる。また、プロセスガスは、アルゴン等の希ガスを含む不活性ガス、C、CHF等のフッ素含有ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いることができる。フッ素含有ガスはそれ自体、成膜ガスとして機能させることができ、例えば、当該ガスの分解生成物とスパッタ物の反応物を基板上へ堆積させることが可能となる。
本発明の一実施の形態に係るプラズマ処理装置は、本発明の一形態に係るプラズマ処理装置は、真空チャンバと、ステージと、ターゲット材と、プラズマ源とを具備する。
前記ステージは、基板を支持するためのもので、前記真空チャンバの内部に設置される。前記ターゲット材は、前記ステージと対向して設置される。前記プラズマ源は、前記真空チャンバ内に高周波電場を形成する電場形成手段と、前記真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁場形成手段とを含む。前記プラズマ源は、前記電場形成手段および前記磁場形成手段によって前記ステージと前記ターゲット材との間に発生させたプラズマで、前記基板をエッチングする、または、前記ターゲット材をスパッタし、そのスパッタ物を当該プラズマで分解して前記基板へ堆積させる。
上記プラズマ処理装置においては、プラズマによりターゲットから叩き出されたスパッタ物を基板表面に堆積させるに際して、そのスパッタ物をプラズマで分解、再励起してイオンや活性種を生成する。これにより、プラズマCVDに類似した成膜形態が得られ、カバレッジ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。
以下、本発明の各実施形態について図面を参照して説明する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態によるプラズマ処理方法を実施するためのプラズマ処理装置11の概略構成図である。図示するプラズマ処理装置11は、NLD(磁気中性線放電:magnetic Neutral Loop Discharge)型のプラズマエッチング装置としての機能と、NLDを利用したスパッタ装置としての機能を有している。
図1において、真空槽21は、プラズマ形成空間21aを含む真空チャンバを形成する。真空槽21にはターボ分子ポンプ等の真空ポンプPが接続され、真空槽21の内部が所定の真空度に真空排気されている。
プラズマ形成空間21aの周囲は、真空槽21の一部を構成する筒状壁22によって区画されている。筒状壁22は石英等の透明絶縁材料で構成されている。筒状壁22の外周側には、第1の高周波電源RF1に接続されたプラズマ発生用の高周波コイル(アンテナ)23(電場形成手段)と、この高周波コイル23の外周側に配置された三つの磁気コイル24A,24B,24Cからなる磁気コイル群24(磁場形成手段)がそれぞれ配置されている。
磁気コイル24Aと磁気コイル24Cにはそれぞれ同一方向に電流が供給され、磁気コイル24Bには他の磁気コイル24A,24Cと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ形成空間21aにおいて、磁場ゼロとなる磁気中性線25が環状に連続して形成される。そして、高周波コイル23により磁気中性線25に沿って誘導電場(高周波電場)が形成されることで、放電プラズマが発生される。
特に、NLD方式のプラズマ処理装置においては、磁気コイル24A〜24Cに流す電流の大きさによって、磁気中性線25の形成位置および大きさを調整することができる。すなわち、磁気コイル24A,24B,24Cに流す電流をそれぞれI、I、Iとしたとき、I>Iの場合は磁気中性線25の形成位置は磁気コイル24C側へ下がり、逆に、I<Iの場合は磁気中性線25の形成位置は磁気コイル24A側へ上がる。また、中間の磁気コイル24Bに流す電流Iを増していくと、磁気中性線25のリング径は小さくなると同時に、磁場ゼロの位置での磁場の勾配が緩やかになる。これらの特性を利用することで、プラズマ密度分布の最適化を図ることができる。
一方、真空チャンバの内部には、半導体ウエハ(例えばシリコン基板)やガラス基板等の被処理基板Wを支持するステージ26が設置されている。本実施形態では、被処理基板Wとしてシリコン基板が用いられている。ステージ26は導電体で構成されており、コンデンサ27を介して第2の高周波電源RF2に接続されている。なお、ステージ26には、基板Wを所定温度に加熱するためのヒータ等の加熱源が内蔵されていてもよい。
プラズマ形成空間21aの上部には、天板28が設置されている。天板28は、ステージ26の対向電極として構成されており、コンデンサ29を介して第3の高周波電源RF3が接続されている。天板28のプラズマ形成空間21a側の面には、スパッタにより基板Wを成膜するためのターゲット材31が取り付けられている。ターゲット材31は、本実施形態では、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂材が用いられているが、これ以外の合成樹脂材料、あるいは珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材、窒化珪素材等が適用可能である。
天板28の近傍には、真空槽21の内部にプロセスガスを導入するためのガス導入部材30が設置されている。スパッタ用のプロセスガスとしては、アルゴンや窒素等の希ガスあるいは不活性ガスのほか、C、CHF等のフッ素含有ガス、あるいは、これら不活性ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスが用いられる。特に、プロセスガスとしてC、CHF等のフロロカーボン系ガスはそれ自体、成膜ガスとして機能させることができ、例えば、当該ガスの分解生成物とターゲット材31のスパッタ物の反応物を基板W上へ堆積させることが可能となる。エッチングガスとしては、SF、NF、SiF、XeF、COFの少なくとも何れか一種又は不活性ガスとの混合ガスが用いられる。本実施形態では、エッチングガスとして、SFとArの混合ガスが用いられる。
以上のように構成される本実施形態のプラズマ処理装置11においては、ステージ26上に載置された基板Wに対してエッチング工程と保護膜形成工程を交互に繰り返し行うことで、基板表面に高アスペクト比の孔またはディープトレンチ等からなるビアを形成する。
図2は、本実施形態のプラズマ処理装置11の一動作例を示すタイミングチャートである。図2において、Aは、ステージ26に印加される第2の高周波電源RF2の印加タイミング、Bは、天板28に印加される第3の高周波電源RF3の印加タイミング、Cは、真空槽21の内部における圧力変化を示している。この例では、エッチング工程の処理圧力(プロセスガス導入量)は、保護膜形成工程のそれよりも高く設定されている。なお、第1の高周波電源RF1は、エッチング工程および保護膜形成工程を通じて、高周波コイル23に常時入力されている。
基板Wの表面にはあらかじめ、レジストマスクが形成されている。このレジストマスクには、有機レジストやメタルマスク等が用いられる。エッチング工程および保護膜形成工程では、プラズマ形成空間21aに、磁気コイル群24により環状の磁気中性線25が形成されるとともに、第1の高周波電源RF1から高周波コイル23への電力投入により、磁気中性線25に沿って誘導結合プラズマが形成される。
エッチング工程において、真空槽21の内部に導入されたエッチングガス(例えばArとSF)は、プラズマ形成空間21aでプラズマ化し、生成されたイオンとラジカルによりステージ26上の基板Wをエッチング処理する。このとき、第2の高周波電源RF2からの電力投入で基板バイアスがONとなり、イオンをステージ26側へ加速させ、基板上のラジカル生成物をスパッタ除去してエッチング性を高める。すなわち、フッ素ラジカルがシリコンと反応してラジカル生成物を形成し、これをプラズマ中のイオンによるスパッタ作用で除去することで、シリコン基板のエッチング処理が進行する。
一方、エッチング工程を所定時間行った後、真空槽21の内部に残留するエッチングガスが排気される。そして、成膜用のプロセスガス(例えばAr)が真空槽21の内部に導入されることで保護膜形成工程が開始される。導入されたプロセスガスは、プラズマ形成空間21aでプラズマ化する。このとき、基板バイアス(RF2)はOFFとなり、代わりに、第3の高周波電源RF3からの電力投入で天板バイアスがONとなる。その結果、天板28に設置されたターゲット材31はプラズマ中のイオンによりスパッタされ、そのスパッタ物が基板Wの表面および上述のエッチング工程で形成された凹部に付着する。以上のようにして、エッチング凹部の底部および側面に、保護膜として機能するポリマー層が形成される。
ここで、ターゲット材31から叩き出されたスパッタ粒子は、プラズマ形成空間21aに形成されているNLDプラズマを通過して基板Wへ到達する。このとき、スパッタ粒子は、磁気中性線25が形成される高密度プラズマ領域で分解、再励起されることにより、化学的蒸着法(CVD法)に類似する成膜形態で、基板Wの表面に対して等方的に入射する。したがって、本実施形態によって得られるエッチングパターンの段差被膜(保護膜)は、磁気中性線25が形成されないICPプラズマのみによるスパッタプロセスに比べて、カバレッジ性が高く、面内均一性に優れる。
保護膜形成工程を所定時間行った後、再び上述したエッチング工程が行われる。このエッチング工程の初期段階は、エッチング凹部の底面を被覆する保護膜の除去作用に費やされる。その後、保護膜の除去により露出したエッチング凹部の底面のエッチング処理が再開される。このとき、プラズマ中のエッチングガスのイオンは、基板バイアス作用によって基板に対して垂直方向に入射する。このため、エッチング凹部の側面を被覆する保護膜に到達するイオンは、エッチング凹部の底面に到達するイオンに比べて少ない。したがって、エッチング工程の間、エッチング凹部の側面を被覆する保護膜は完全に除去されることなく残留する。これにより、エッチング凹部の側面とフッ素ラジカルとの接触が回避され、凹部の側面のエッチングによる侵食が防止される。
以後、上述のエッチング工程と保護膜形成工程が交互に繰り返し行われることで、基板表面に対して垂直方向の異方性エッチングが実現される。以上のようにして、基板Wの内部に高アスペクト比のビア(コンタクトホール、トレンチ)が作製される。
本実施形態によれば、基板W上のマスクパターンを含むエッチングパターンを覆う段差被膜としての保護膜の形成に際して、ICPプラズマを用いたスパッタ処理を磁気中性線25の存在下で行うことにより、磁気中性線を形成せずにICPプラズマのみを用いてスパッタ処理を行った場合に比べて、高いカバレッジ性を得ることができる。
図3は、本発明に係るNLDを利用したスパッタ処理におけるマスクパターンの溝幅とカバレッジ比との関係を示す一実験結果である。なお比較として、磁気中性線を形成せずにICPプラズマのみを利用してスパッタ処理を行った場合(以下単に「ICPスパッタ」ともいう。)のカバレッジ特性をも図3に示す。
カバレッジ比は、図3に示すように、シリコン基板(直径20cm(8インチ))の表面に形成した厚さ1μmのマスクパターンPRを被覆する段差被膜について、マスク上面(凹凸パターンの凸部上面)の膜厚(デポ厚)Aに対するマスク側面(凹凸パターンの凹部側面)の膜厚(デポ厚)Bの比(B/A)と定義される。ターゲット材はPTFEとした。NLDおよびICPのスパッタ条件はそれぞれ以下のとおりである。
(NLDスパッタ条件)
・プロセスガス:Ar 30[sccm]
・高周波電力 RF1:3000[W] 13.56[MHz]
RF2: 0[W]
RF3: 500[W] 12.50[MHz]
・処理時間:4[sec]
・処理圧力:2.6[Pa]
・磁気コイル電流 磁気コイル24A:30.6[A]
磁気コイル24B:49.3[A]
磁気コイル24C:30.6[A]
環状磁気中性線の半径:146[mm]
(ICPスパッタ条件)
・プロセスガス:Ar 30[sccm]
・高周波電力 RF1:3000[W] 13.56[MHz]
RF2: 0[W]
RF3: 500[W] 12.50[MHz]
・処理時間:4[sec]
・処理圧力:2.6[Pa]
図3の結果から明らかなように、マスクパターンの凹部の幅(溝幅)が100μm以下のとき、ICPスパッタの場合にはカバレッジ比が0.8(80%)を下回っているのに対し、NLDスパッタの場合には0.8を超えるカバレッジ比が得られた。その理由は、NLDスパッタの方が、ICPスパッタに比べて、プラズマによるスパッタ粒子の再励起効率が高く、したがって電気的に中性なラジカルの発生量がNLDスパッタの方が多くなり、基板上のマスクパターンに対して等方的に入射するスパッタ物が増えるためであると考えられる。
プラズマによるスパッタ粒子の再励起効率の違いは、基板上に形成されるスパッタ膜の材料組成の違いに現れる。図4、図5および図6は、ターゲット材、ICPスパッタ膜、およびNLDスパッタ膜について測定したC1s波形分離スペクトルをそれぞれ示している。ICPによるスパッタ膜の波形分離結果(図5)とNLDによるスパッタ膜の波形分離結果(図6)を比較すると、「CF2」、「CF」および「C−C」のピークの大きさの相関が異なっており、両スパッタ膜の組成の相違が現れている。
また、図3に示すように、NLDスパッタの場合、パターン凹部の溝幅が5μm以下になるとカバレッジ比が大幅に向上することがわかる。そして、溝幅2μmのときに0.97という非常に高いカバレッジ比が得られた。このように、凹凸パターンが微細ピッチになるほど、NLDスパッタによる効果が顕著となり、微細パターンに対して優れたカバレッジ特性を得ることが可能となる。
次に、エッチング工程とスパッタ工程(保護膜形成工程)を交互に繰り返してシリコン基板を深掘り加工したときのパターン形状の面内均一性の評価結果について説明する。
シリコン基板(直径20cm(8インチ))の表面にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチング工程と保護膜形成工程(スパッタ工程)を交互に繰り返し、シリコン基板の深掘り加工を行った。プロセスは、磁気中性線を形成しないICPエッチング(以下単に「ICPエッチング」ともいう。)及びICPスパッタの組合せと、NLDエッチング及びNLDスパッタの組合せで行った。
ICPエッチング条件およびICPスパッタ条件はそれぞれ以下のとおりである。
(ICPエッチング条件)
・プロセスガス:Ar 30[sccm]
SF 300[sccm]
・高周波電力 RF1:1500[W] 13.56MHz
RF2: 60[W] 12.50MHz
RF3: 0[W]
・処理時間:7[sec]
・処理圧力:10[Pa]
(ICPスパッタ条件)
・プロセスガス:Ar 30[sccm]
・高周波電力 RF1:3000[W] 13.56MHz
RF2: 0[W]
RF3: 500[W] 12.50MHz
・処理時間:4[sec]
・処理圧力:2.6[Pa]
NLDエッチング条件およびNLDスパッタ条件はそれぞれ以下のとおりである。
(NLDエッチング条件)
・プロセスガス:Ar 30[sccm]
SF 300[sccm]
・高周波電力 RF1:1500[W] 13.56[MHz]
RF2: 60[W] 12.50[MHz]
RF3: 0[W]
・処理時間:7[sec]
・処理圧力:10[Pa]
・磁気コイル電流 磁気コイル24A:30.6[A]
磁気コイル24B:54.0[A]
磁気コイル24C:30.6[A]
(NLDスパッタ条件)
・プロセスガス:アルゴン(Ar) 30[sccm]
・高周波電力 RF1:3000[W] 13.56[MHz]
RF2: 0[W]
RF3: 500[W] 12.50[MHz]
・処理時間:4[sec]
・処理圧力:2.6[Pa]
・磁気コイル電流 磁気コイル24A:30.6[A]
磁気コイル24B:49.3[A]
磁気コイル24C:30.6[A]
環状磁気中性線の半径:146[mm]
図7は、ICPスパッタおよびNLDスパッタのそれぞれについて測定したスパッタレートの面内分布を示している。そして、図8は、ICPエッチングおよびICPエッチングのそれぞれについて測定したエッチングレートの面内分布を示している。図7、図8において、X軸、Y軸は、基板面内における直交する2軸方向を表している。また、図9にICPおよびNLDのそれぞれにおけるシリコン基板の加工部(ウエハ中心位置と径方向の両エッジ部から10mm内方側の位置)の断面SEM写真を示す。
図9に示すように、ICPエッチングの場合は、レジストマスクの直下部においてシリコン基板のサイドエッチングが認められる。これに対して、NLDエッチングの場合、シリコン基板のサイドエッチングはほとんど認められず、基板表面に対して垂直に一様な溝幅でパターンが形成されていることが確認される。これは、上述したようにICPスパッタに比べてNLDスパッタの方が保護膜のカバレッジ特性が高く、その結果、パターンの側壁をサイドエッチングから効果的に防止できるためであると考えられる。
また、図7および図8に示すように、ICPスパッタによるスパッタレートの面内分布に関してはウエハ中心部の方がエッジ部よりも高く、ICPエッチングによるエッチングレートの面内分布に関してはウエハ中心部の方がエッジ部よりも低い。その結果、図9に示すように、ウエハ中心部に比べてエッジ部の方が、パターンのサイドエッチングの程度が大きく、特に、レジストマスクの直下部においてパターンが細く括れている。また、NLDエッチングの場合に比べて、ICPエッチングの場合にはエッチング深さの面内バラツキが大きい。
以上の結果から明らかなように、ICPに比べて、NLDの方が、スパッタレートおよびエッチングレートの優れた面内均一性が得られ、基板表面全域にわたってエッチングパターンの側壁への均一な保護膜の形成と、基板表面に垂直なエッチング加工を実現することができる。また、本実施形態によれば、シリコン基板の深掘り加工技術において、加工精度の向上と生産性の改善を図ることができる。
<第2の実施形態>
図10は、本発明の第2の実施形態によるプラズマ処理装置としてのスパッタ装置12の概略構成図である。なお、図において上述の第1の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
本実施形態のスパッタ装置12は、真空槽21と天板28の間に筒状壁22(図1)が設けられておらず、天板28が直接、真空槽21の上部に設置された構成を有している。ステージ26と天板28の間はプラズマ形成空間21aとされている。ステージ26と天板28の間のギャップDは、10mm以上40mm以下に設定されている。
プラズマの発生に必要な高周波電場は、ステージ26とその対向電極である天板28によって形成される。すなわち、ステージ26と天板28の間の容量結合によってプラズマ形成空間21aに高周波電場が形成される。また、真空槽21の上部に配置された磁気コイル群24によってプラズマ形成空間21aに環状の磁気中性線25が形成される。なお、この環状磁気中性線25は、磁気コイル24Aを流れる電流(I)を、磁気コイル24Cを流れる電流(I)よりも大きくすることで、プラズマ形成空間21aの所定位置に形成される。
プラズマ形成空間21aは、導入されたプロセスガスのプラズマを発生させる。天板28に設置されたターゲット材31はプラズマによりスパッタされ、ターゲット材31から叩き出されたスパッタ粒子は、プラズマで分解して基板W上に堆積される。これにより、上述の第1の実施形態と同様に、基板Wの表面に対して均一性の優れたスパッタ膜が形成される。
<第3の実施形態>
図11は、本発明の第3の実施形態によるプラズマ処理装置としてのスパッタ装置13の概略構成図である。なお、図において上述の第1の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
本実施形態のスパッタ装置13において、天板28は、中央部に開口を有するリング状を呈し、これに合わせてターゲット材31も環状に形成されている。天板28の開口には、絶縁部材34を介して電極部材33が取り付けられており、この電極部材33にはコンデンサ32を介して第4の高周波電源RF4が接続されている。第4の高周波電源RF4は電極部材33へ所定の高周波電力を印加して、プラズマ形成空間21aに高周波電場を形成するとともに、磁気コイル群24によって形成される磁気中性線と協働して、プラズマ形成空間21aに高密度プラズマを発生させる。
本実施形態においても、上述の第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。特に本実施形態においては、プラズマ形成用の第4の高周波電源RF4と天板28に対するバイアス印加用の第3の高周波電源RF3をそれぞれ別電源で構成している。これにより、プラズマを維持しながら天板28に対する電力供給のON/OFFを周期的に切り替え、かつ、天板28に対する電力供給の停止時にプロセスガスとしてエッチングガス(例えばSFとArとの混合ガス)を導入することにより、基板Wに対する成膜プロセスとエッチングプロセスを交互に行うプラズマ処理装置を構成することが可能となる。この場合、成膜工程は、エッチングにより基板上に形成された凹所の側壁保護膜の形成工程として実施される。上記構成により、第1の実施形態と同様、加工精度および生産性に優れたシリコン基板の深掘り加工を実現することができるので、基板表面に高アスペクト比の孔または溝を形成することが可能となる。
<第4の実施形態>
図12は、本発明の第4の実施形態によるプラズマ処理装置としてのスパッタ装置14の概略構成図である。なお、図において上述の第1の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
本実施形態のスパッタ装置14において、天板28は、中央部に開口を有するリング状を呈し、これに合わせてターゲット材31も環状に形成されている。天板28の開口には、石英等の透明絶縁材料からなる窓部材35が取り付けられており、この窓部材35には、第4の高周波電源RF4と接続されたアンテナコイル36が取り付けられている。第4の高周波電源RF4はアンテナコイル36へ所定の高周波電力を印加して、プラズマ形成空間21aに誘導電場を形成するとともに、磁気コイル群24によって形成される磁気中性線と協働して、プラズマ形成空間21aに高密度プラズマを発生させる。
本実施形態においても、上述の第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、プラズマ形成用の第4の高周波電源RF4と天板28に対するバイアス印加用の第3の高周波電源RF3がそれぞれ別電源で構成されていることから、上述の第3の実施形態と同様に、エッチング工程と成膜工程を交互に実施可能なプラズマ処理装置を構成することができる。
さらに、透明な窓部材35の上方に基板Wの被処理面を検出するセンサ(図示略)を設置することで、基板Wのスパッタ膜厚あるいはエッチング深さを検出することが可能となる。これにより、基板を横方向から検出する場合と異なり、基板の表面変化をリアルタイムで検出することが可能となる。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
例えば以上の第1の実施形態では、プラズマ発生用の第1の高周波電源RF1とターゲットバイアス用の第3の高周波電源RF3とをそれぞれ別電源で構成した例について説明したが、これに限らず、図13に示すように、単一の高周波電源RFをこれら2つの高周波電源として構成することも可能である。なお、符号37は、高周波電源RFと天板28との間に設置された可変コンデンサである。
また、以上の実施形態では、保護膜形成用のプロセスガスとして、Arガス単体を用いた例について説明したが、これに限られない。例えば保護膜形成工程のプロセスガスに、Arと反応性ガス(C、CHF等)の混合ガスを用いてもよい。この場合、プロセスガス中の反応性ガスがプラズマ形成空間21aにおいてプラズマ化し、そのラジカル生成物が基板表面に堆積することによって、保護膜として機能するポリマー層を形成する。プロセスガスとして上記混合ガスを用いることで、Arガスのみをプロセスガスとして用いる場合に比べてスパッタレートの向上を図ることが可能となる。
また、以上の実施形態では、磁気中性線25の形成に磁気コイル群24を用いたが、これに代えて、真空チャンバの外部に配置した複数の永久磁石を用いて磁気中性線を形成するようにしてもよい。
更に、以上の実施形態では、本発明に係るスパッタ装置を、シリコン基板に対する深掘り加工用のプラズマ処理装置に適用した例について説明したが、これに限られず、エッチング処理を伴わない通常の成膜用途のスパッタ装置にも適用可能である。
11〜14 スパッタ装置(プラズマ処理装置)
21 真空槽
21a プラズマ形成空間(真空チャンバ)
23 高周波コイル(電場形成手段)
24 磁気コイル(磁場形成手段)
25 磁気中性線
26 ステージ
28 天板(対向電極)
30 ガス導入部
31 ターゲット材
33 電極部材(電場形成手段)
35 窓部材
36 アンテナコイル(電場形成手段)

Claims (4)

  1. 真空チャンバと、
    前記真空チャンバの内部に設置された、表面に凹部の幅が100μm以下である凹凸パターンを有するレジストマスクが形成された基板を支持するためのステージと、
    前記ステージと対向して設置され、中央部に開口を有する環状に形成されたターゲット材と、
    前記真空チャンバ内に高周波電場を形成する前記開口に設置された電場形成手段と、前記真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁場形成手段とを含み、前記電場形成手段および前記磁場形成手段によって前記ステージと前記ターゲット材との間に発生させたプラズマで、前記基板をエッチングする、または、前記ターゲット材をスパッタし、そのスパッタ物を当該プラズマで分解して前記基板へ堆積させるプラズマ源と
    を具備する
    プラズマ処理装置。
  2. 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
    前記磁場形成手段は、前記ターゲット材に関して前記ステージ側とは反対側の前記真空チャンバの外部に配置された複数の磁気コイルを含む
    プラズマ処理装置。
  3. 請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置であって、
    前記電場形成手段は、前記真空チャンバの外部に配置された高周波コイルを含む
    プラズマ処理装置。
  4. 請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置であって、
    前記電場形成手段は、
    前記ステージに対向する対向電極と、
    前記対向電極に接続された高周波電源とを含む
    プラズマ処理装置。
JP2012249865A 2007-08-08 2012-11-14 プラズマ処理装置 Active JP5581366B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012249865A JP5581366B2 (ja) 2007-08-08 2012-11-14 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007206021 2007-08-08
JP2007206021 2007-08-08
JP2012249865A JP5581366B2 (ja) 2007-08-08 2012-11-14 プラズマ処理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009526463A Division JP5207406B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-05 プラズマ処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013070073A JP2013070073A (ja) 2013-04-18
JP5581366B2 true JP5581366B2 (ja) 2014-08-27

Family

ID=40341361

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009526463A Active JP5207406B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-05 プラズマ処理方法
JP2012249865A Active JP5581366B2 (ja) 2007-08-08 2012-11-14 プラズマ処理装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009526463A Active JP5207406B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-05 プラズマ処理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110180388A1 (ja)
EP (1) EP2178109A4 (ja)
JP (2) JP5207406B2 (ja)
KR (1) KR101117929B1 (ja)
CN (1) CN101785088B (ja)
TW (1) TWI487804B (ja)
WO (1) WO2009020129A1 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009110567A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 株式会社アルバック プラズマ処理方法
ES2513866T3 (es) 2009-05-13 2014-10-27 Sio2 Medical Products, Inc. Revestimiento e inspección de recipientes
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
JP5684483B2 (ja) * 2010-02-26 2015-03-11 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置用アンテナ及び該アンテナを用いたプラズマ処理装置
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
KR101194282B1 (ko) 2010-05-17 2012-10-24 삼성메디슨 주식회사 3차원 초음파 검사기의 디스플레이 시스템 및 방법
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
JP5670177B2 (ja) * 2010-12-27 2015-02-18 株式会社アルバック プラズマエッチング方法
JP2012142495A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Ulvac Japan Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
WO2013030953A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置用アンテナ及び該アンテナを用いたプラズマ処理装置
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9786471B2 (en) * 2011-12-27 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Plasma etcher design with effective no-damage in-situ ash
CN102586890A (zh) * 2012-03-20 2012-07-18 北京大学 一种用于黑硅制备的设备
KR20140019577A (ko) * 2012-08-06 2014-02-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
AU2013352436B2 (en) 2012-11-30 2018-10-25 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014097388A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 株式会社アルバック 成膜方法及び成膜装置
KR20140095825A (ko) * 2013-01-25 2014-08-04 삼성전자주식회사 플라즈마 설비
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
CN110074968B (zh) 2013-03-11 2021-12-21 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
BR102014026134B1 (pt) * 2014-10-20 2022-09-27 Universidade Federal De Santa Catarina Processo e reator de plasma para tratamento termoquímico de superfície de peças metálicas
CN105586566B (zh) * 2014-11-03 2018-05-25 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室及半导体加工设备
EP3337915B1 (en) 2015-08-18 2021-11-03 SiO2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
JP6675260B2 (ja) * 2016-04-27 2020-04-01 東京エレクトロン株式会社 変圧器、プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法
US20170316921A1 (en) * 2016-04-29 2017-11-02 Retro-Semi Technologies, Llc Vhf z-coil plasma source
TWI615488B (zh) * 2016-05-18 2018-02-21 成膜裝置及其方法
JP7008474B2 (ja) * 2016-11-30 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
CN108172396B (zh) * 2016-12-07 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
KR101943729B1 (ko) * 2016-12-27 2019-01-30 세메스 주식회사 비아홀 충진 방법 및 장치
CN108668422B (zh) * 2017-03-30 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置
JP6889043B2 (ja) * 2017-06-15 2021-06-18 株式会社アルバック プラズマ処理装置
FR3073865B1 (fr) * 2017-11-17 2022-05-27 Centre Nat Rech Scient Revetement pour recepteur solaire et dispositif comportant un tel revetement
FR3073864B1 (fr) * 2017-11-28 2022-08-05 Centre Nat Rech Scient Reacteur de depot de couches et procede de depot associe
JP7175162B2 (ja) * 2018-11-05 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
CN115074680B (zh) * 2021-03-12 2023-08-08 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 溅射镀膜装置和设备及其溅射镀膜组件
WO2023042857A1 (ja) * 2021-09-15 2023-03-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN115386850B (zh) * 2022-08-30 2023-12-29 上海积塔半导体有限公司 磁控溅射沉积装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4645562A (en) * 1985-04-29 1987-02-24 Hughes Aircraft Company Double layer photoresist technique for side-wall profile control in plasma etching processes
DE4241045C1 (de) 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
EP1006557B1 (en) * 1996-02-09 2007-01-31 Ulvac, Inc. Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma
US6193855B1 (en) * 1999-10-19 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage
JP4533499B2 (ja) 2000-03-24 2010-09-01 株式会社アルバック 磁気中性線放電スパッタ装置
CN100355058C (zh) * 2001-05-04 2007-12-12 东京毅力科创株式会社 具有连续沉积和蚀刻的电离pvd
US6784096B2 (en) * 2002-09-11 2004-08-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias
EP1793418B1 (en) * 2004-07-02 2013-06-12 Ulvac, Inc. Etching method and system
JP4646053B2 (ja) * 2004-09-29 2011-03-09 株式会社アルバック 高周波電力用分岐スイッチ及びエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101785088A (zh) 2010-07-21
CN101785088B (zh) 2013-06-05
EP2178109A4 (en) 2012-12-19
KR101117929B1 (ko) 2012-02-29
TWI487804B (zh) 2015-06-11
JP5207406B2 (ja) 2013-06-12
JPWO2009020129A1 (ja) 2010-11-04
US20110180388A1 (en) 2011-07-28
EP2178109A1 (en) 2010-04-21
WO2009020129A1 (ja) 2009-02-12
KR20100046041A (ko) 2010-05-04
TW200925304A (en) 2009-06-16
JP2013070073A (ja) 2013-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5581366B2 (ja) プラズマ処理装置
US7109123B2 (en) Silicon etching method
JP2010021442A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR101858324B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법
TWI446439B (zh) 電漿處理方法
JP2012142495A (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
CN104576453B (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
KR101835683B1 (ko) 다층막을 에칭하는 방법
TW200411763A (en) Method for etching high-aspect-ratio features
KR100270269B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 방법
JP5060869B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5065726B2 (ja) ドライエッチング方法
JP4958658B2 (ja) プラズマ処理方法
JP5284679B2 (ja) プラズマエッチング方法
JP2022029847A (ja) シリコンのドライエッチング方法
CN108133888B (zh) 一种深硅刻蚀方法
JP2012227334A (ja) プラズマ処理方法
US11658040B2 (en) Plasma processing method
JP5918886B2 (ja) プラズマ処理方法
CN116348990A (zh) 低应力含碳层的沉积

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130815

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140701

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5581366

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250