JP6889043B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
しかしながら、ドライエッチングでは、混合される各ガスの解離速度が異なるため、プラズマ分布を均一化したとしても、径方向おいて、各成分の比率が異なるため、同一のエッチング形状を得ることができない。
それに対し、基板を載置するステージ側の温度で反応を補正し、エッチング形状の均一化を図る手法が使われてきた。ステージ温度による補正は、エッチング速度の温度依存性に左右されるため、温度依存性の低いプロセスでは、使用することができない。また、基板の熱伝導率が高い場合は、十分な温度差を作り出すことができない。
本発明のプラズマ処理装置は、請求項1において、前記第二の周波数λ2と前記第三の周波数λ3が、λ2<λ3の関係にある場合は、前記ガス導入手段が前記チャンバの側壁部に配置されている、ことが好ましい。
本発明のプラズマ処理装置は、前記チャンバ内において、前記固体ソースの配置される領域が、前記第二電極または前記第三電極と重なる位置にあり、かつ、印加する周波数が低い方の電極を少なくとも覆うように配置されており、前記固体ソースが前記チャンバの上蓋と別体として設けられている、ことが好ましい。
本発明のプラズマ処理装置は、前記チャンバ内において、前記固体ソースの配置される領域が、前記第二電極および前記第三電極と重なる位置にあり、かつ、両電極を覆うように配置されており、前記固体ソースが前記チャンバの上蓋と別体として設けられている、ことが好ましい。
本発明のプラズマ処理装置は、前記チャンバ内において、前記チャンバの上蓋が前記固体ソースから構成されている、ことが好ましい。
本発明のプラズマ処理装置は、前記第一電極の外径をD、前記第二電極の外径をdと定義した場合、関係式D/2≦d≦Dを満たす、ことが好ましい。
本発明のプラズマ処理装置は、前記第二電極又は前記第三電極のうち、印加する周波数が低い方の電極には2MHzを、印加する周波数が高い方の電極には13.56MHzを、それぞれ印加するように、前記第二の高周波電源と前記第三の高周波電源が選択される、ことが好ましい。
したがって、本発明は、基板サイズや基板形状に依存することなく、エッチング形状が垂直な凹部を基板処理面の全域に亘って作製できる、プラズマ処理装置をもたらす。
図1は、本発明に係る第一実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図である。図2は、図1の装置において、内周側と外周側に2つのスパイラル状電極を配置し、各電極にそれぞれ異なる周波数の電源を接続する位置を示す平面図である。
図1のプラズマ処理装置10は、たとえば排気手段TMPにより減圧可能なチャンバ11内において被処理体Sに対してプラズマ処理する装置である。
このプラズマ処理装置10においては、ガス導入手段が上蓋13の中央部15a(15)に配置され、固体ソース20a(20)の配置される領域が外周側に配された電極[第三電極E3(アンテナAT3)]と重なる位置に設けられている。
図1のプラズマ処理装置10において、第二電極E2は印加する周波数が高い方の電極であり、第三電極E3は印加する周波数が低い方である。すなわち、図1のプラズマ処理装置10では、第二の周波数λ2と第三の周波数λ3が、λ2>λ3の関係にあり、前記ガス導入手段が上蓋13の中央部に配置されている
第一電極(支持手段)12は、チャンバ11内に配され、被処理体Sを載置する。高周波電源(第一の高周波電源)Aは、第一電極12に対して、周波数(第一の周波数)λ1のバイアス電圧を印加可能である。
プラズマ処理装置10は、チャンバ11内において、チャンバ11の上蓋13側、かつ、第一電極12と対向する位置に、スパッタリング用の固体ソース20を有する。特に、プラズマ処理装置10では、固体ソース20の配置される領域が外周側に配された第三電極E3と重なる位置に設けられている。
図3(a)に示すように、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。ゆえに、本発明によれば、基板面内において、基板の半径方向の位置に依存せず、すなわち、基板の中央部と同様に外周部においても、エッチング形状が垂直(ストレート型)な凹部(ホールやトレンチ等)を安定して作製することが可能となる。
図3(b)に示すように、基板の中央部ではエッチング形状が垂直な凹部となるのに対して、基板の外周部では凹部のエッチング形状がボーイング(樽型)となった。図3(b)の場合は、図3(a)の場合に比べて、基板の中央部も外周部も、凹部の深さ方向が浅くなることが分かった。
図3(c)に示すように、基板の中央部ではエッチング形状が垂直な凹部となり、そのエッチング形状は、凹部の深さも含めて、図3(a)の場合と同等であった。これに対して、基板の外周部では凹部のエッチング形状がボーイング(樽型)となり、基板の中央部に形成した凹部のエッチング形状とは明らかに異なることが分かった。
これに対して、フッ素元素の発光分光強度は、低周波の電源パワーが増えるに連れて微増する傾向であり、前記特定の閾値には影響されないことが確認された。
これより、上述した図3(a)の結果を得るためには、低周波の電源パワーを、特定の閾値以上に設定することが重要であることが分かった。
図5のグラフは、図1及び図2に示すプラズマ処理装置の場合、すなわち、ガス導入手段が上蓋の中央部に配置され、固体ソースの配置される領域が外周側に配された電極と重なる位置に設けられている場合である。
その結果、比率O/Fは、上述した図5(a)と同様の傾向となる。すなわち、基板中心からの距離が75mm付近を境として、低周波の電源パワー依存性が生じる。低周波の電源パワーが2kWの場合には、比率O/Fが、ほぼ一定の数値範囲にある。
(A1)図1のプラズマ処理装置は、チャンバ内において、前記チャンバの上蓋側、かつ、前記第一電極と対向する位置に、スパッタリング用の固体ソースを有することにより、固体ソースからプラズマ中に、不足するたとえば酸素元素が逐次導入される。
(A2)上記(A1)の作用により、被処理体である基板に対して、基板の半径方向において酸素元素が均一に供給されるので、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
(A3)ゆえに、図1のプラズマ処理装置によれば、基板面内において、基板の半径方向の位置に依存せず、すなわち、基板の中央部と同様に外周部においても、エッチング形状が垂直(ストレート型)な凹部(ホールやトレンチ等)を安定して作製することが可能となる。
ゆえに、図1のプラズマ処理装置は、基板サイズや基板形状に依存することなく、エッチング形状が垂直な凹部を、基板処理面の全域(基板の中央部から外周部)に亘って作製することに寄与する。
図7は、基板中心からの距離と、O及びFの発光分光強度との関係を示すグラフであり、図7(a)はOの発光分光強度、図7(b)はFの発光分光強度である。図7のグラフは、図6のプラズマ処理装置において、基板の支持手段(基板ステージ)である第一電極12の直径D[mm]は400に固定し、第二電極(アンテナ2)の直径d[mm]を150、300、400に変更した結果である。
ここで、符号Aは、高周波を印加した第二電極E2(アンテナ2)のみ使用した場合である。符号Bは、高周波を印加した第二電極E2(アンテナ2)と、低周波を印加した第二電極E3(アンテナ3)とを併用した場合である。
(B1)第二電極(アンテナ2)の直径dが、基板の支持手段(基板ステージ)である第一電極12の直径Dに対して1/2以下の場合は、外周部のプラズマ密度が低下し、Fラジカルの生成量が著しく低下する。このため、基板の外周部が、基板の中央部と同様にエッチングを行うことができない[図7(a)]。
(B2)第二電極(アンテナ2)の直径dが、基板の支持手段(基板ステージ)である第一電極12の直径Dの1.3倍以上の場合は、第二電極E3(アンテナ3)に低周波を印加し、固体ソース20から酸素元素を供給しても、基板から遠いため、基板外周部に効果が及ばない。
以上の結果より、本発明のプラズマ処理装置において、固体ソース20から酸素元素を供給する効果は、関係式D/2≦d≦Dを満たすことより得られることが分かった。
図8は、本発明に係る第二実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図であり、第一実施形態の変形例である。
図8のプラズマ処理装置は、ガス導入手段が上蓋13の中央部に配置され、固体ソース20b(20)の配置される領域が2つの電極[第二電極E2(アンテナAT2)、第三電極E3(アンテナAT3)]と重なる位置にある点のみ、図1のプラズマ処理装置と異なり、他の点は、図1のプラズマ処理装置と同一である。
すなわち、図8の構成からなるプラズマ処理装置においては、チャンバ11内において、固体ソース20bの配置される領域が、第二電極E2および第三電極E3と重なる位置にあり、かつ、両電極を覆うように配置されており、固体ソース20bがチャンバ11の上蓋13と別体として設けられている。
したがって、図8のプラズマ処理装置においても、図1のプラズマ処理装置と同様に、基板の中央部から外周部に亘る全域において、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
図9は、本発明に係る第三実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図であり、第二実施形態の変形例である。
図9のプラズマ処理装置は、チャンバ内において、チャンバの上蓋が固体ソース20c(20)から構成されている点のみ、図8のプラズマ処理装置と異なり、他の点は、図8のプラズマ処理装置と同一である。
したがって、図9のプラズマ処理装置においても、図1のプラズマ処理装置と同様に、基板の中央部から外周部に亘る全域において、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
図10は、本発明に係る第四実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図であり、第一実施形態の変形例である。
図10のプラズマ処理装置は、ガス導入手段がチャンバ11の側壁部15b(15)に配置され、固体ソース20d(20)の配置される領域が内周側の電極[第二電極E2(アンテナAT2)]と重なる位置にある。
図10のプラズマ処理装置10では、第二電極E2は印加する周波数が低い方の電極であり、第三電極E3は印加する周波数が高い方である。すなわち、図10のプラズマ処理装置10では、第二の周波数λ2と第三の周波数λ3が、λ2<λ3の関係にあり、前記ガス導入手段がチャンバ11の側壁部15b(15)に配置されている。
図10のプラズマ処理装置は、以上の点のみ、図1のプラズマ処理装置と異なり、他の点は、図1のプラズマ処理装置と同一である。
すなわち、ガス導入手段がチャンバ11の側壁部15b(15)に配置される場合は、基板中心において不具合な状況が発生する傾向にある。そこで、図10のプラズマ処理装置においては、固体ソース20d(20)を内周側の電極[第二電極E2(アンテナAT2)]と重なる位置に配置した。これにより、図1のプラズマ処理装置において基板外周部に対する作用・効果が、図10のプラズマ処理装置では、基板中心部に対して得られる。
したがって、図10のプラズマ処理装置においても、図1のプラズマ処理装置と同様に、基板の中央部から外周部に亘る全域において、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
図11は、本発明に係る第五実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図であり、第四実施形態の変形例である。
図11のプラズマ処理装置は、ガス導入手段がチャンバ11の側壁部15b(15)に配置され、固体ソース20e(20)の配置される領域が2つの電極[第二電極E2(アンテナAT2)、第三電極E3(アンテナAT3)]と重なる位置にある点のみ、図10のプラズマ処理装置と異なり、他の点は、図10のプラズマ処理装置と同一である。
すなわち、図10の構成からなるプラズマ処理装置においては、チャンバ11内において、固体ソース20eの配置される領域が、第二電極E2および第三電極E3と重なる位置にあり、かつ、両電極を覆うように配置されており、固体ソース20eがチャンバ11の上蓋13と別体として設けられている。
したがって、図11のプラズマ処理装置においても、図10のプラズマ処理装置と同様に、基板の中央部から外周部に亘る全域において、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
図12は、本発明に係る第六実施形態のプラズマ処理装置を示す断面図であり、第五実施形態の変形例である。
図12のプラズマ処理装置は、チャンバ内において、チャンバの上蓋が固体ソース20f(20)から構成されている点のみ、図11のプラズマ処理装置と異なり、他の点は、図11のプラズマ処理装置と同一である。
したがって、図12のプラズマ処理装置においても、図11のプラズマ処理装置と同様に、基板の中央部から外周部に亘る全域において、基板に加工される凹部の側面形状が、凹部の深さ方向において略直線状に保たれる。
Claims (8)
- プラズマ処理装置であって、
その内部の減圧が可能で、前記内部で被処理体に対してプラズマ処理されるように構成されるチャンバと、
前記チャンバ内に配され、前記被処理体を載置する平板状の第一電極と、
前記第一電極に対して、第一の周波数λ1のバイアス電圧が印加されるように構成された第一の電源と、
前記チャンバ外に配置され、前記チャンバの上蓋を挟んで、前記第一電極と対向し、かつ、中央部に配置された螺旋状の第二電極、及び、前記第二電極より外周部に配置された螺旋状の第三電極と、
前記第二電極に対して、第二の周波数λ2の交流電圧を印加する第二の高周波電源と、 前記第三電極に対して、第三の周波数λ3の交流電圧を印加する第三の高周波電源と、 前記チャンバ内にフッ素を含有するプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備え、 前記チャンバ内において、前記チャンバの上蓋側、かつ、前記第一電極と対向する位置に、スパッタリング用の固体ソースを有する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第二の周波数λ2と前記第三の周波数λ3が、λ2>λ3の関係にある場合は、
前記ガス導入手段が前記上蓋の中央部に配置されている、
ことを特徴とする請求項1に記載プラズマ処理装置。 - 前記第二の周波数λ2と前記第三の周波数λ3が、λ2<λ3の関係にある場合は、
前記ガス導入手段が前記チャンバの側壁部に配置されている、
ことを特徴とする請求項1に記載プラズマ処理装置。 - 前記チャンバ内において、前記固体ソースの配置される領域が、前記第二電極または前記第三電極と重なる位置にあり、かつ、印加する周波数が低い方の電極を少なくとも覆うように配置されており、
前記固体ソースが前記チャンバの上蓋と別体として設けられている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。 - 前記チャンバ内において、前記固体ソースの配置される領域が、前記第二電極および前記第三電極と重なる位置にあり、かつ、両電極を覆うように配置されており、
前記固体ソースが前記チャンバの上蓋と別体として設けられている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。 - 前記チャンバ内において、前記チャンバの上蓋が前記固体ソースから構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。
- 前記第一電極の外径をD、前記第二電極の外径をdと定義した場合、
関係式D/2≦d≦Dを満たす、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。 - 前記第二電極又は前記第三電極のうち、印加する周波数が低い方の電極には2MHzを、印加する周波数が高い方の電極には13.56MHzを、それぞれ印加するように、前記第二の高周波電源と前記第三の高周波電源が選択される、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。
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