JP2007019452A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化イットリウムでコーティングされたセラミックドーム(34)を備えるチャンバ内にウェハ(32)を挿入するステップと、ウェハ(32)の表面に形成されたゲート構造をエッチングするステップと、エッチングにより生成されたエッチング残留物をドライ洗浄により除去するステップと、回復処理を行うステップとを含み、前記ドライ洗浄を、SF6ガスとO2ガスとの混合ガスを用いて、約1600Wのソースパワーと約50Wのバイアスパワーとを印加した状態で、前記混合ガスを約50秒間注入して行う。
【選択図】図3
Description
32 ウェハ
33 側壁
34 セラミックドーム
35 アンテナコイル
36 ソース電圧源
37 ベース電圧源
Claims (11)
- プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされたセラミックドームを備えるチャンバ内にウェハを挿入する第1ステップと、
前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第2ステップと、
SF6ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第2ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第3ステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記セラミックドームの表面にコーティングされた前記物質が、酸化イットリウムであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第3ステップにおいて、前記酸化イットリウムでコーティングされた前記セラミックドームを、前記セラミックドーム内の洗浄位置に応じて、圧力条件を変えて多段階に洗浄することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記エッチング残留物を除去する前記第3ステップが、前記SF6ガスとO2ガスとの混合ガスを用いてドライ洗浄するステップであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第3ステップにおいて、前記エッチングガスを、約1600Wのソースパワーと約50Wのバイアスパワーとを印加した状態で約50秒間注入することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされたセラミックドームを備えるチャンバ内にウェハを挿入する第1ステップと、
前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第2ステップと、
SF6ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第2ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第3ステップと、
回復処理を行う第4ステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記セラミックドームの表面にコーティングされた前記物質が、酸化イットリウムであることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第3ステップにおいて、前記酸化イットリウムでコーティングされた前記セラミックドームを、前記セラミックドーム内の洗浄位置に応じて、圧力条件を変えて多段階に洗浄することを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記エッチング残留物を除去する前記第3ステップが、前記SF6ガスとO2ガスとの混合ガスを用いてドライ洗浄するステップであることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第3ステップにおいて、前記エッチングガスを、約1600Wのソースパワーと約50Wのバイアスパワーとを印加した状態で約50秒間注入することを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記回復処理を行う前記第4ステップが、約1.3Pa(約10mTorr)の圧力下で、約500Wのソースパワーと約80Wのバイアスパワーとを印加した状態で、約100sccmのHBrガス、約40sccmのCl2ガス、約10sccmのHeガス、及び約1sccmのO2ガスを約100秒間注入して行うステップであることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
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