JPH08279486A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JPH08279486A JPH08279486A JP11816193A JP11816193A JPH08279486A JP H08279486 A JPH08279486 A JP H08279486A JP 11816193 A JP11816193 A JP 11816193A JP 11816193 A JP11816193 A JP 11816193A JP H08279486 A JPH08279486 A JP H08279486A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハを電極上に静電吸着させて保持し、臭化
水素（ＨＢｒ）をエッチングガスに用いてエッチング処
理するプラズマ処理装置において、製品に悪影響を与え
ることなく、スループットの高いクリーニングを実施す
る。 【構成】エッチング終了後、電極２１上に静電吸着保持
されたウエハ２０の除電を実施する際、ガス流量制御器
１５よりＯ2ガスをエッチングチャンバー１１内に導入
し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させ、ウエハに滞電して
いる電荷をプラズマを通してアースに逃がすとともに、
同時にエッチングチャンバー１１内のクリーニングを実
施する。
水素（ＨＢｒ）をエッチングガスに用いてエッチング処
理するプラズマ処理装置において、製品に悪影響を与え
ることなく、スループットの高いクリーニングを実施す
る。 【構成】エッチング終了後、電極２１上に静電吸着保持
されたウエハ２０の除電を実施する際、ガス流量制御器
１５よりＯ2ガスをエッチングチャンバー１１内に導入
し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させ、ウエハに滞電して
いる電荷をプラズマを通してアースに逃がすとともに、
同時にエッチングチャンバー１１内のクリーニングを実
施する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理方法に係
り、特にウエハを電極上に静電吸着させて保持し、臭化
水素（ＨＢｒ）をエッチングガスに用いてエッチング処
理する場合に好適なプラズマ処理方法に関するものであ
る。
り、特にウエハを電極上に静電吸着させて保持し、臭化
水素（ＨＢｒ）をエッチングガスに用いてエッチング処
理する場合に好適なプラズマ処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】臭化水素（ＨＢｒ）を用いたエッチング
処理では、例えば、第５３回応用物理学会学術講演会講
演予稿集１６ａ−ＳＫ−７に記載のように、レジストマ
スク付きポリシリコン膜をＨＢｒガスを用いてエッチン
グすると、反応生成物がチャンバー内に堆積し易いこと
が知られている。このため、従来、チャンバー内の堆積
物を除去するクリーニング処理として、六弗化硫黄（Ｓ
Ｆ6）、三弗化窒素（ＮＦ3）、フロン１４（ＣＦ4）、
フロン２３（ＣＨＦ3）を単独、又はこれらに酸素
（Ｏ2）を混合したガスを用いてプラズマを発生させ、
チャンバー内をプラズマクリーニングしていた。
処理では、例えば、第５３回応用物理学会学術講演会講
演予稿集１６ａ−ＳＫ−７に記載のように、レジストマ
スク付きポリシリコン膜をＨＢｒガスを用いてエッチン
グすると、反応生成物がチャンバー内に堆積し易いこと
が知られている。このため、従来、チャンバー内の堆積
物を除去するクリーニング処理として、六弗化硫黄（Ｓ
Ｆ6）、三弗化窒素（ＮＦ3）、フロン１４（ＣＦ4）、
フロン２３（ＣＨＦ3）を単独、又はこれらに酸素
（Ｏ2）を混合したガスを用いてプラズマを発生させ、
チャンバー内をプラズマクリーニングしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、プラ
ズマ処理時間すなわちスループットの点について配慮さ
れていなかった。すなわち、従来のように弗素系ガスや
これらにＯ2ガスを混合したガスを使用してクリーニン
グを行った場合、電極上にエッチング処理後のウエハを
載置したまま行なうと加工形状に悪影響を与えることに
なり、また電極上にウエハを載置していなければ電極を
エッチングしてしまうため、電極上にダミーウエハを載
置する必要があった。このため反応生成物除去のクリー
ニングをウエハ毎に実施するためには、その都度ダミー
ウエハの載置が必要であり、ウエハ交換の時間がかかり
製品処理枚数の低下を招いていた。しかも、ウエハと電
極との間に静電吸着を利用している装置の場合には、ウ
エハを交換するたびにウエハ内の電荷を逃すための除電
シーケンスが必要であるため、更に時間が必要となって
しまう。
ズマ処理時間すなわちスループットの点について配慮さ
れていなかった。すなわち、従来のように弗素系ガスや
これらにＯ2ガスを混合したガスを使用してクリーニン
グを行った場合、電極上にエッチング処理後のウエハを
載置したまま行なうと加工形状に悪影響を与えることに
なり、また電極上にウエハを載置していなければ電極を
エッチングしてしまうため、電極上にダミーウエハを載
置する必要があった。このため反応生成物除去のクリー
ニングをウエハ毎に実施するためには、その都度ダミー
ウエハの載置が必要であり、ウエハ交換の時間がかかり
製品処理枚数の低下を招いていた。しかも、ウエハと電
極との間に静電吸着を利用している装置の場合には、ウ
エハを交換するたびにウエハ内の電荷を逃すための除電
シーケンスが必要であるため、更に時間が必要となって
しまう。
【０００４】本発明の目的は、製品に悪影響を与えるこ
となく、スループットの高いクリーニングを実施するこ
とのできるプラズマ処理方法を提供することにある。
となく、スループットの高いクリーニングを実施するこ
とのできるプラズマ処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、チャンバー内の電極上にウエハを静電吸着させてエ
ッチング処理を行うプラズマ処理方法において、エッチ
ング処理後のウエハに残留する静電吸着力を除去する際
に、Ｏ2ガスのガスプラズマを利用してウエハに帯電し
た電荷をプラズマ中に放出させて行うようにしたもので
ある。
に、チャンバー内の電極上にウエハを静電吸着させてエ
ッチング処理を行うプラズマ処理方法において、エッチ
ング処理後のウエハに残留する静電吸着力を除去する際
に、Ｏ2ガスのガスプラズマを利用してウエハに帯電し
た電荷をプラズマ中に放出させて行うようにしたもので
ある。
【０００６】
【作用】ＨＢｒをエッチングガスとして用いたプラズマ
処理の場合、被エッチング材のマスク材料であるフォト
レジストの主成分である炭素（Ｃ）とＨＢｒガス中の水
素（Ｈ）の重合物がエッチング処理室内に付着する。そ
こで、一枚のウエハをエッチング終了後、静電吸着によ
り保持されていたウエハを電極上に残したまま、エッチ
ングの処理ガスに替えてＯ2ガスをチャンバー内に供給
し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させる。これにより静電
吸着によるウエハ内の滞電の除電を行うことができると
ともに、チャンバー内に付着した反応生成物の主成分で
あるＣやＨをＯ2と反応させてチャンバー内のクリーニ
ングを同時に行うことができ、製品に悪影響を与えるこ
となく、スループットの高いクリーニングを実施するこ
とができる。
処理の場合、被エッチング材のマスク材料であるフォト
レジストの主成分である炭素（Ｃ）とＨＢｒガス中の水
素（Ｈ）の重合物がエッチング処理室内に付着する。そ
こで、一枚のウエハをエッチング終了後、静電吸着によ
り保持されていたウエハを電極上に残したまま、エッチ
ングの処理ガスに替えてＯ2ガスをチャンバー内に供給
し、Ｏ2ガスのプラズマを発生させる。これにより静電
吸着によるウエハ内の滞電の除電を行うことができると
ともに、チャンバー内に付着した反応生成物の主成分で
あるＣやＨをＯ2と反応させてチャンバー内のクリーニ
ングを同時に行うことができ、製品に悪影響を与えるこ
となく、スループットの高いクリーニングを実施するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１及び図２により説明
する。
する。
【０００８】図２は、本発明を実施するためのプラズマ
処理装置の一例で、マイクロ波プラズマエッチング装置
を示す。エッチングチャンバー１１が気密に取り付けら
れた真空室１２は、あらかじめ高真空排気ポンプ１３及
び補助ポンプ１４で構成される排気系により高真空排気
されており、その後、エッチング用ガスが流量制御器１
５を介してエッチングチャンバー１１内に導入される。
真空室１２内が一定のガス圧力に保持されると、マグネ
トロン１６によって発振したマイクロ波が導波管１７を
介してエッチングチャンバー１１内に導入され、磁場コ
イル１８によって形成された磁場との相乗作用によりエ
ッチングチャンバー１１内の放電部にプラズマが発生す
る。ここで、ウエハ２０を配置した電極２１に接続され
た高周波電源１９によって、プラズマ中のイオンをウエ
ハ２０に引き込み、引き込まれた活性イオンとウエハ２
０の被処理面とを反応させ、エッチング処理を行う。ま
た、電極２１に接続された静電吸着用電源２２によっ
て、ウエハ２０と電極２１との間に静電吸着を与え、ウ
エハ２０と電極２１との間の密着性を向上させて、冷却
効率を高められるようにしてある。エッチング処理が終
了しウエハ２０を搬出する際に、ウエハ２０の残留吸着
力を除去するために、エッチングチャンバー１１内にプ
ラズマを発生させてウエハに帯電した電荷をプラズマ中
に放出させる（この工程を静電吸着除電シ−ケンスと呼
ぶ。）ようになっている。
処理装置の一例で、マイクロ波プラズマエッチング装置
を示す。エッチングチャンバー１１が気密に取り付けら
れた真空室１２は、あらかじめ高真空排気ポンプ１３及
び補助ポンプ１４で構成される排気系により高真空排気
されており、その後、エッチング用ガスが流量制御器１
５を介してエッチングチャンバー１１内に導入される。
真空室１２内が一定のガス圧力に保持されると、マグネ
トロン１６によって発振したマイクロ波が導波管１７を
介してエッチングチャンバー１１内に導入され、磁場コ
イル１８によって形成された磁場との相乗作用によりエ
ッチングチャンバー１１内の放電部にプラズマが発生す
る。ここで、ウエハ２０を配置した電極２１に接続され
た高周波電源１９によって、プラズマ中のイオンをウエ
ハ２０に引き込み、引き込まれた活性イオンとウエハ２
０の被処理面とを反応させ、エッチング処理を行う。ま
た、電極２１に接続された静電吸着用電源２２によっ
て、ウエハ２０と電極２１との間に静電吸着を与え、ウ
エハ２０と電極２１との間の密着性を向上させて、冷却
効率を高められるようにしてある。エッチング処理が終
了しウエハ２０を搬出する際に、ウエハ２０の残留吸着
力を除去するために、エッチングチャンバー１１内にプ
ラズマを発生させてウエハに帯電した電荷をプラズマ中
に放出させる（この工程を静電吸着除電シ−ケンスと呼
ぶ。）ようになっている。
【０００９】上記のように構成された装置において、図
１に示すようにエッチングチャンバー１１内にエッチン
グガスとしてＨＢｒをガス流量制御器１５を介して供給
し、所定圧力に保持した後、マグネトロン１６からマイ
クロ波を発振しエッチングチャンバー１１内にプラズマ
を発生させる。このとき、既に磁場コイル１８により磁
場が形成されている。プラズマが発生すると、ウエハ２
０のエッチング処理が開始されるとともに、静電吸着用
電源２２によって電極２１上のウエハ２０が静電吸着さ
れて、エッチング処理が進行する。このエッチング処理
によって、被エッチング材のマスク材料であるフォトレ
ジストの主成分である炭素（Ｃ）とＨＢｒガス中の水素
（Ｈ）の重合物がエッチングチャンバー１１内に付着す
る。
１に示すようにエッチングチャンバー１１内にエッチン
グガスとしてＨＢｒをガス流量制御器１５を介して供給
し、所定圧力に保持した後、マグネトロン１６からマイ
クロ波を発振しエッチングチャンバー１１内にプラズマ
を発生させる。このとき、既に磁場コイル１８により磁
場が形成されている。プラズマが発生すると、ウエハ２
０のエッチング処理が開始されるとともに、静電吸着用
電源２２によって電極２１上のウエハ２０が静電吸着さ
れて、エッチング処理が進行する。このエッチング処理
によって、被エッチング材のマスク材料であるフォトレ
ジストの主成分である炭素（Ｃ）とＨＢｒガス中の水素
（Ｈ）の重合物がエッチングチャンバー１１内に付着す
る。
【００１０】ウエハ２０のエッチング終了後、静電吸着
により保持されていたウエハ２０を電極２１上に残した
まま、エッチングのプロセスガスに替えて除電ガスのＯ
2ガスをエッチングチャンバー１１内に供給し、Ｏ2ガス
のプラズマを発生させる。このプラズマを通してウエハ
２０に残留した電荷がアースに逃げ、ウエハ２０内の電
荷が無くなり、除電が行われる。また、Ｏ2プラズマを
発生させることにより、チャンバー内に堆積した反応生
成物の主成分であるＣやＨがＯと反応し、ＣＯｘ，Ｈ2
Ｏとなって除去され、チャンバー内がクリーニングされ
る。これによって、従来のように製品に悪影響を与える
ことなく、スループットの高いクリーニングを実施する
ことができる。
により保持されていたウエハ２０を電極２１上に残した
まま、エッチングのプロセスガスに替えて除電ガスのＯ
2ガスをエッチングチャンバー１１内に供給し、Ｏ2ガス
のプラズマを発生させる。このプラズマを通してウエハ
２０に残留した電荷がアースに逃げ、ウエハ２０内の電
荷が無くなり、除電が行われる。また、Ｏ2プラズマを
発生させることにより、チャンバー内に堆積した反応生
成物の主成分であるＣやＨがＯと反応し、ＣＯｘ，Ｈ2
Ｏとなって除去され、チャンバー内がクリーニングされ
る。これによって、従来のように製品に悪影響を与える
ことなく、スループットの高いクリーニングを実施する
ことができる。
【００１１】なお、本実施例では静電吸着除電シーケン
スを利用してウエハ毎のクリーニングが実施でき、エッ
チングチャンバー１１内をクリーンな状態に維持したま
ま、次のウエハのエッチング処理が可能となるが、静電
吸着を使用しない場合は、エッチングステップにクリー
ニングステップを加えることで同様にエッチングチャン
バー１１内をクリーンな状態に維持したまま、次のウエ
ハのエッチング処理を実行できる。
スを利用してウエハ毎のクリーニングが実施でき、エッ
チングチャンバー１１内をクリーンな状態に維持したま
ま、次のウエハのエッチング処理が可能となるが、静電
吸着を使用しない場合は、エッチングステップにクリー
ニングステップを加えることで同様にエッチングチャン
バー１１内をクリーンな状態に維持したまま、次のウエ
ハのエッチング処理を実行できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、一枚のウエハをエッチ
ング終了後、静電吸着により保持されていたウエハを電
極上に残したまま、エッチングの処理ガスに替えてＯ2
ガスをチャンバー内に供給し、Ｏ2ガスのプラズマを発
生させることにより、静電吸着によるウエハ内の滞電の
除電を行うことができるとともに、チャンバー内に付着
した反応生成物の主成分であるＣやＨをＯ2と反応させ
てチャンバー内のクリーニングを同時に行うことがで
き、製品に悪影響を与えることなく、スループットの高
いクリーニングを実施することができるという効果があ
る。
ング終了後、静電吸着により保持されていたウエハを電
極上に残したまま、エッチングの処理ガスに替えてＯ2
ガスをチャンバー内に供給し、Ｏ2ガスのプラズマを発
生させることにより、静電吸着によるウエハ内の滞電の
除電を行うことができるとともに、チャンバー内に付着
した反応生成物の主成分であるＣやＨをＯ2と反応させ
てチャンバー内のクリーニングを同時に行うことがで
き、製品に悪影響を与えることなく、スループットの高
いクリーニングを実施することができるという効果があ
る。
【図１】本発明のプラズマ処理の一実施例を示すタイム
チャートである。
チャートである。
【図２】本発明を実施するための装置の一例を示す概略
図である。
図である。
１１…エッチングチャンバー、１２…真空室、１３…高
真空排気ポンプ、１４…補助ポンプ、１５…ガス流量制
御器、１６…マグネトロン、１７…導波管、１８…磁場
コイル、１９…高周波電源、２０…ウエハ、２１…電
極、２２…静電吸着用電源。
真空排気ポンプ、１４…補助ポンプ、１５…ガス流量制
御器、１６…マグネトロン、１７…導波管、１８…磁場
コイル、１９…高周波電源、２０…ウエハ、２１…電
極、２２…静電吸着用電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内
Claims (2)
- 【請求項１】チャンバー内の電極上にウエハを静電吸着
させてエッチング処理を行うプラズマ処理方法におい
て、エッチング処理の後の前記ウエハに残留する静電吸
着力を除去する際に、Ｏ2ガスのガスプラズマを利用し
て前記ウエハに帯電した電荷を該プラズマ中に放出させ
て行うことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の前記エッチング処理は、臭
化水素をエッチングガスとして用いるエッチング処理で
あるプラズマ処理方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118161A JP2948053B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
| PCT/JP1994/000812 WO1994028578A1 (fr) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Procede de traitement au plasma |
| US08/553,435 US5681424A (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Plasma processing method |
| TW083104587A TW255839B (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | |
| KR1019950705168A KR100363340B1 (ko) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | 플라즈마처리방법 |
| EP94915274A EP0709877A4 (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | PLASMA TREATMENT PROCESS |
| EP99102733A EP0938134A3 (en) | 1993-05-20 | 1994-05-20 | Plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118161A JP2948053B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279486A true JPH08279486A (ja) | 1996-10-22 |
| JP2948053B2 JP2948053B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=14729618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5118161A Expired - Fee Related JP2948053B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948053B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270030A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、および後処理方法 |
| JP2007019452A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Magnachip Semiconductor Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| JP2017054853A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法および電子部品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049473A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Sony Corp | 基板処理装置 |
| JPH0444320A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP5118161A patent/JP2948053B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049473A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Sony Corp | 基板処理装置 |
| JPH0444320A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270030A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、および後処理方法 |
| JP2007019452A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Magnachip Semiconductor Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009200182A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 付着物除去方法及び基板処理方法 |
| JP2017054853A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法および電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2948053B2 (ja) | 1999-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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