JP2011228534A - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン及びSOI基板2に溝および/または穴を形成するエッチング方法であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスの混合ガスを用いて、プロセスガス導入口4から反応容器1内に導入して混合ガスプラズマを生成し、反応容器1内に設置する基板2を載置する電極(試料台)3内外に温度差を設け、かつ高周波バイアス電源11から高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを印加する。
【選択図】図1
Description
(実際のところTCR −45℃設定、Ar放電時間30秒で−40℃付近までウエハ温度が低下する。)
Arガスの供給を停止した後、一旦、反応容器1内を真空引し、SF6:400CCMとO2:60CCMとSiF4:25CCMのガスを供給して、反応容器1内をエッチングガスに置換する。反応容器1内は、図示しないAPCにより13.0Paに圧力調整される。
図4は、従来の800kHzのCWバイアス波形24と本実施例で使用した400kHzのTMバイアス波形25の例を示したものである。
2 被処理体
3 試料台
4 プロセスガス導入口
5 シャワープレート(多孔構造石英板)
6 マグネトロン
7 導波管
8 石英板
9 ソレノイドコイル
10 静電チャック
11 高周波電源
12 冷却ガス流路
13 冷媒循環流路
14 チラーユニット
15 冷却ガス供給口
16 高周波導入ポート
17 静電吸着電源
18 絶縁カバー
19 金属汚染低減パーツ
20 石英円筒
21 シリコン
22 マスクパターン
23 シリコンのサイドエッチング
24 CWバイアス波形
25 TMバイアス波形
Claims (8)
- SOI基板又はシリコン基盤に溝および/または穴を形成するエッチング方法であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスを用いて混合ガスを反応容器に導入して混合ガスプラズマを生成し、高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを、前記SOI基板又はシリコン基板に印加することを特徴とするエッチング方法。
- 請求項1に記載のエッチング方法において、前記フッ素含有ガスがSF6、S2F10、NF3、CF4、C2F8のいずれかもしくはこれらの2種以上の混合ガスであり、前記酸素含有ガスがO2、CO、CO2、SO2のいずれかもしくはこれらの混合ガスであり、前記珪素含有ガスがSiF4、SiCl4のいずれかもしくはこれらの混合ガスであることを特徴とするエッチング方法。
- 請求項1または請求項2に記載のエッチング方法において、前記反応容器内に設置された前記SOI基板又はシリコン基板を載置する電極の温度を0〜−60℃の温度とすることを特徴とするエッチング方法。
- 請求項3に記載のエッチング方法において、前記電極内の温度制御部分を2ヵ所以上有し、それぞれの部分の温度を0〜−60℃の温度とすることを特徴とするエッチング方法。
- SOI基板又はシリコン基盤に溝および/または穴を形成するエッチング装置であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスを用いて混合ガスを反応容器に導入し、混合ガスプラズマを生成する混合ガスプラズマ生成手段と、高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを、前記SOI基板又はシリコン基板に印加する高周波バイアス電源とを備えていることを特徴とするエッチング装置。
- 請求項5に記載のエッチング装置において、前記フッ素含有ガスがSF6、S2F10、NF3、CF4、C2F8のいずれかもしくはこれらの2種以上の混合ガスであり、前記酸素含有ガスがO2、CO、CO2、SO2のいずれかもしくはこれらの混合ガスであり、前記珪素含有ガスがSiF4、SiCl4のいずれかもしくはこれらの混合ガスであることを特徴とするエッチング装置。
- 請求項5または請求項6に記載のエッチング装置において、前記反応容器内に設置された前記SOI基板又はシリコン基板を載置する電極の温度を0〜−60℃の温度とすることを特徴とするエッチング装置。
- 請求項7に記載のエッチング装置において、前記電極内の温度制御部分を2ヵ所以上有し、それぞれの部分の温度を0〜−60℃の温度とすることを特徴とするエッチング装置。
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---|---|---|---|---|
JP2015018876A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社アルバック | 反応装置のコンディショニング方法 |
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CN109449250A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-08 | 常州比太黑硅科技有限公司 | 一种安全可控的太阳能硅片rie制绒工艺 |
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