JP5199595B2 - プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
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- H01J37/32183—Matching circuits
Description
12 絶縁板
16 下部電極(サセプタ)
36 下部高周波電源
38 下部低周波電源
48 上部電極(シャワーヘッド)
60 処理ガス供給源
66 上部低周波電源
76 排気装置
82 低周波発振器(電源)
88,98 整合器
94 位相推移器
102 制御部
118,122,124 変圧器
Claims (9)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に第1の周波数を有する高周波を印加する高周波給電部と、
前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の低周波給電部と低周波電源を共用して、前記第2の電極に前記第2の周波数を有する第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と、
前記第1の低周波と前記第2の低周波との間の相対的な位相差を可変に制御するための位相制御部と
を有するプラズマ処理装置において、前記基板に対するエッチング処理の終了後に行われるクリーニング方法であって、
前記エッチング処理の終了後に前記基板を前記処理容器から搬出し、前記位相制御部により前記位相差を調整して、前記処理容器の内壁に付着している堆積膜を除去するクリーニング方法。 - 前記堆積膜を除去する時の前記位相差を、前記エッチング処理を行う時の前記位相差よりも大きな値に設定する、請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記堆積膜を除去する際に前記位相差を180°に設定する、請求項1または請求項2に記載のクリーニング方法。
- 前記堆積膜を除去する際に前記位相差を最大値に設定する、請求項1または請求項2に記載のクリーニング方法。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に第1の周波数を有する高周波を印加する高周波給電部と、
前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の低周波給電部と低周波電源を共用して、前記第2の電極に前記第2の周波数を有する第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と、
前記第1の低周波と前記第2の低周波との間の相対的な位相差を可変に制御するための位相制御部と
を有し、
前記位相差を大きくするほど前記プラズマのプラズマ電位の時間平均値が高くなるプラズマ処理装置。 - 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に第1の周波数を有する高周波を印加する高周波給電部と、
前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の低周波給電部と低周波電源を共用して、前記第2の電極に前記第2の周波数を有する第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と、
前記第1の低周波と前記第2の低周波との間の相対的な位相差を可変に制御するための位相制御部と
を有し、
前記位相差を大きくするほど前記プラズマから前記処理容器の内壁に入射するイオンの平均エネルギーが高くなるプラズマ処理装置。 - 前記第1および第2の低周波給電部が、前記第1および第2の低周波のパワーをそれぞれ制御するためのパワーアンプを個別に有する、請求項5または請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1および第2の低周波給電部が、前記第2の周波数を通して前記第1の周波数のノイズを遮断するローパス・フィルタを個別に有する、請求項5〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波給電部が、前記第1の周波数を通して前記第2の周波数のノイズを遮断するハイパス・フィルタを有する、請求項5〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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