JP5388306B2 - プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 - Google Patents
プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5388306B2 JP5388306B2 JP2010092291A JP2010092291A JP5388306B2 JP 5388306 B2 JP5388306 B2 JP 5388306B2 JP 2010092291 A JP2010092291 A JP 2010092291A JP 2010092291 A JP2010092291 A JP 2010092291A JP 5388306 B2 JP5388306 B2 JP 5388306B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- potential
- vmin
- vmax
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
また、請求項2に示すように、前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位VpとVmin<Vp−5[V] の関係を満たすことを特徴とする。これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
前記目的を達成するために、請求項3に記載の発明は、酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、前記基板のバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、Vmin<Vp<Vmaxを満たし、かつ、前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位VpとVmin<Vp−5[V]の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法を提供する。
このように、VmaxをVpより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、VminをVpより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。
例えば、基板温度が400℃のように低温の場合でも、シリコン基板やシリコン基板上に形成されたトレンチを高速に酸化してシリコン酸化膜を形成するとともに厚膜酸化も可能となる。また、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
また、請求項9に示すように、前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位VpとVmin<Vp−5[V] の関係を満たすことを特徴とする。これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
また、同様に前記目的を達成するために、請求項10に記載の発明は、酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、基板を設置するステージと、前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、前記基板に印加するバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、Vmin<Vp<Vmaxを満たし、かつ、前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位VpとVmin<Vp−5[V]の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置を提供する。
このように、VmaxをVpより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、VminをVpより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。また、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
Vmax<Vp+30[V] の関係を満たすことを特徴とする。
Vmin<Vp−5[V] の関係を満たすことを特徴とする。
Claims (12)
- 酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、
ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、
前記基板のバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、
Vmin<Vp<Vmax
を満たし、かつ、
前記基板のバイアス電位の最大値Vmaxが、プラズマ電位Vpと
Vmax<Vp+30[V]
の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法。 - 前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位Vpと
Vmin<Vp−5[V]
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ酸化方法。 - 酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、
ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、
前記基板のバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、
Vmin<Vp<Vmax
を満たし、かつ、
前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、プラズマ電位Vpと
Vmin<Vp−5[V]
の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法。 - 前記基板に対して印加されるバイアス電圧は、前記ステージに対して設置された高周波印加手段によって制御されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
- 前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項4に記載のプラズマ酸化方法。
- 前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が0[V]以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
- 前記プラズマ酸化によって酸化される基板は、シリコンまたはアルミニウムであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
- 酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を設置するステージと、
前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、
を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、
前記基板に印加するバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、
Vmin<Vp<Vmax
を満たし、かつ、
前記基板のバイアス電位の最大値Vmaxが、プラズマ電位Vpと
Vmax<Vp+30[V]
の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置。 - 前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、
プラズマ電位Vpと
Vmin<Vp−5[V]
の関係を満たすことを特徴とする請求項8に記載のプラズマ酸化装置。 - 酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を設置するステージと、
前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、
を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、
前記基板に印加するバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、
Vmin<Vp<Vmax
を満たし、かつ、
前記基板の温度が200℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Vminが、
プラズマ電位Vpと
Vmin<Vp−5[V]
の関係を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置。 - 前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
- 前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が0[V]以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010092291A JP5388306B2 (ja) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 |
US13/085,215 US8404602B2 (en) | 2010-04-13 | 2011-04-12 | Plasma oxidation method and plasma oxidation apparatus |
CN201110092993.6A CN102222613B (zh) | 2010-04-13 | 2011-04-13 | 等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010092291A JP5388306B2 (ja) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222860A JP2011222860A (ja) | 2011-11-04 |
JP5388306B2 true JP5388306B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=44761232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010092291A Expired - Fee Related JP5388306B2 (ja) | 2010-04-13 | 2010-04-13 | プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8404602B2 (ja) |
JP (1) | JP5388306B2 (ja) |
CN (1) | CN102222613B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5486383B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2014-05-07 | 富士フイルム株式会社 | ドライエッチング方法及び装置 |
JP6344639B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2018-06-20 | 学校法人トヨタ学園 | 窒化処理方法及び窒化処理装置 |
JP6257071B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2018-01-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
CN103681192B (zh) * | 2012-09-17 | 2017-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔离方法 |
JP7313929B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-07-25 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン照射装置 |
JP7349910B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2023-09-25 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置、及び負イオン生成方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160112A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH08203869A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Yasuhiro Horiike | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP3345636B2 (ja) | 1997-10-15 | 2002-11-18 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 極薄シリコン酸化膜の生成方法 |
JPH11224796A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Matsushita Electron Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2002033381A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 素子分離絶縁膜の形成方法及び、半導体装置の製造方法 |
JP2002280369A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Canon Sales Co Inc | シリコン基板の酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 |
TWI243422B (en) | 2002-03-26 | 2005-11-11 | Hitachi Int Electric Inc | Semiconductor device producing method and semiconductor producing device |
TWI237313B (en) | 2002-04-03 | 2005-08-01 | Hitachi Int Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2004047950A (ja) | 2002-04-03 | 2004-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP4643168B2 (ja) | 2004-03-31 | 2011-03-02 | 株式会社東芝 | シリコン基板の酸化処理方法 |
JP5209482B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2013-06-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 酸化処理方法 |
JP5199595B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2013-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
JP5227734B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-07-03 | ジョージア テック リサーチ コーポレーション | 基板の低エネルギー電子促進エッチング及びクリーニング方法及び装置 |
-
2010
- 2010-04-13 JP JP2010092291A patent/JP5388306B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-12 US US13/085,215 patent/US8404602B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-13 CN CN201110092993.6A patent/CN102222613B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8404602B2 (en) | 2013-03-26 |
JP2011222860A (ja) | 2011-11-04 |
CN102222613A (zh) | 2011-10-19 |
CN102222613B (zh) | 2015-07-15 |
US20110250763A1 (en) | 2011-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019244734A1 (ja) | 制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP5388306B2 (ja) | プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置 | |
US20210327681A1 (en) | Control method and plasma processing apparatus | |
KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
TWI552223B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR102265228B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP4773079B2 (ja) | プラズマ処理装置の制御方法 | |
JPWO2008026531A1 (ja) | プラズマ酸化処理方法 | |
CN110462798A (zh) | 在感应耦合等离子体处理室内以低偏压产生近衬底补充等离子体密度 | |
KR20150051879A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR19990072585A (ko) | 반도체소자의표면처리방법및장치 | |
JP6997642B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR20010087195A (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
JP2009545890A (ja) | Rf変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム | |
JP5802454B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
TW201715562A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP5089121B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2957403B2 (ja) | プラズマエッチング方法とその装置 | |
CN103928285A (zh) | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | |
JP2016119344A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2008027816A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20190100313A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램 | |
US20120252226A1 (en) | Plasma processing method | |
KR102498944B1 (ko) | 유기 재료들의 자가 제한 에칭을 수행하기 위한 프로세스 | |
JP7374023B2 (ja) | 検査方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5388306 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |