JP6344639B2 - 窒化処理方法及び窒化処理装置 - Google Patents
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Description
<第1の実施形態>
1.窒化処理装置1の構成
窒化処理装置1の構成を、図1に基づいて説明する。窒化処理装置1は、チャンバー3内に、カソード5、予備アノード7、アノード9、及び加速電極11を備えている。また、チャンバー3には、アルゴン導入口13、窒素導入口15、真空排気口17が設けられている。チャンバー3内において、カソード5と予備アノード7とに挟まれ、アルゴン導入口13に面している領域は、初期放電形成領域19である。また、チャンバー3内において、加速電極11よりも右側の部分であって、窒素導入口15、及び真空排気口17に面している部分は、反応室21である。
窒化処理装置1を用いた窒化処理方法を、図1に基づいて説明する。まず、処理対象物23を反応室21内に設置する。反応室21内には、窒素導入口15から窒素ガスを導入する。処理対象物23の周囲には、コイル状に導線25を巻いておく。このとき、導線25は処理対象物23の表面に接触しないようにする。導線25の両端は、図示しない電源に接続されており、導線25に電流を流すことができる。導線25に電流が流れた場合、処理対象物23の表面に沿う方向(図1中の矢印Aの方向)の磁場が発生する。この磁場により、処理対象物23と後述するプラズマ31との電位差が小さくても、プラズマ31中の電子が処理対象物23へ流入することを抑制することができる。
窒化処理装置1を用いた窒化処理方法が奏する効果を確かめるために実施した試験について説明する。
(1)第1の試験
次の条件下、窒化処理装置1を用い、上述した窒化処理方法を実施した。
チャンバー3内の圧力:0.2Pa
電子ビーム29の加速電圧:80V
電子ビーム29の電流:8A
反応室21の温度:500℃
窒化処理の時間:5時間
バイアス電圧(プラズマ31の電位を基準とする、処理対象物23の電位):−50V又は−5V
導線25の電流:ON又はOFF
バイアス電圧が−50Vであり、導線25の電流をOFFとした条件で窒化処理を行った処理対象物(以下、処理対象物Xとする)と、バイアス電圧が−5Vであり、導線25の電流をONとした条件で窒化処理を行った処理対象物(以下、処理対象物Yとする)について、切断し、断面をナイタール液で腐食させて観察した。図2A,2Bに、その観察における断面写真を示す。図2Aの写真は、処理対象物X(バイアス電圧:−50V、導線25の電流:OFF)の写真であり、図2Bの写真は、処理対象物Y(バイアス電圧:−5V、導線25の電流:ON)の写真である。
未処理品(図3では「Untreated」と表記)では、鉄のピークのみが確認されるのに対して、処理対象物X(図3では「バイアス電圧:−50V」と表記)では、鉄と窒素の化合物であるFe3N及びFe4Nのピークが確認される。処理対象物Y(図3では「バイアス電圧:−5V」と表記)では、鉄と窒素の化合物のピークは認められず、α鉄のピークが広がりをもっている。これは、鉄の格子間に窒素が拡散したために、ピークの幅が拡がったものである。以上のことより、バイアス電圧が低いほど(イオンの衝突エネルギーが低いほど)、化合物層の形成を抑制できることが確認できた。
(2)第2の試験
基本的には前記第1の試験と同様にして、窒化処理方法を実施した。ただし、本第2の試験では、処理対象物として、図4A、図4B、図4Cに示す処理対象物100を用いた。図4Aは、処理対象物100を長手方向の側面から見た側面図であり、図4Bは、処理対象物100を短手方向の側面から見た側面図であり、図4Cは、処理対象物100の斜視図である。
以上の結果から、窒化処理装置1を用いた窒化処理方法によれば、工具や金型などの金属表面に鉄等の窒素化合物層を形成することなく、また、表面の粗さを増加させることなく、表面付近の硬度を高める窒化処理が可能となる。また、スリット(微細な構造)を持つ工具や金型においても、狭いスリットの内面を均一に窒化処理することが可能になる。
<第2の実施形態>
1.窒化処理装置201の構成
窒化処理装置201の構成を、図6に基づいて説明する。窒化処理装置201は、チャンバー203内に、複数のスリット202を備えた金属板204、その金属板204と接する石英ガラス窓205、及び処理対象物ホルダー207を備えている。処理対象物ホルダー207は、その上面に、処理対象物23を保持することができる。また、処理対象物ホルダー207は、図示しないヒータを内蔵しており、処理対象物23を加熱することができる。さらに、チャンバー203には、マイクロ波を送り込むための導波路209、窒素導入口211、及び真空排気口213が設けられている。チャンバー203の内部は、反応室215である。
窒化処理装置201を用いた窒化処理方法を説明する。まず、処理対象物23を処理対象物ホルダー207に取り付け、反応室215内に設置する。処理対象物23を500℃まで加熱し、次に、窒素導入口211から反応室215内に窒素ガスを導入する。次に、導波路209からマイクロ波を導入する。マイクロ波は、複数のスリット202を備えた金属板204及び石英ガラス窓205を透過し、その下側表面で表面波プラズマを発生させる。その表面波プラズマが反応室215内の窒素ガスに作用して、反応室215内で、高濃度の窒素原子を含むプラズマが発生する。この高濃度の窒素原子を含むプラズマにより、処理対象物23の表面が窒化処理される。
窒化処理装置201を用いた窒化処理方法によっても、工具や金型などの金属表面に鉄等の窒素化合物層を形成することなく、また、表面の粗さを増加させることなく、表面付近の硬度を高める窒化処理が可能となる。また、スリット(微細な構造)を持つ工具や金型においても、狭いスリットの内面を均一に窒化処理することが可能になる。
Claims (3)
- 窒素原子を含むプラズマを用いて、金属から成る処理対象物の窒化処理をする窒化処理方法であって、
前記処理対象物の電位が前記プラズマの電位より低く、
前記プラズマの電位と前記処理対象物の電位との電位差が50V以下であり、
前記処理対象物の付近に印加した磁場により、前記プラズマ中の電子が前記処理対象物へ流入することを抑制することを特徴とする窒化処理方法。 - 前記プラズマは、窒素を含むガスに電子ビーム又はマイクロ波を照射して生成したものであることを特徴とする請求項1記載の窒化処理方法。
- 窒素を含むガスに電子ビーム又はマイクロ波を照射して窒素原子を含むプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマを用いて金属から成る処理対象物の窒化処理をする窒化処理部と、
前記処理対象物の電位を、前記プラズマの電位より低く、前記プラズマの電位との電位差が50V以下となるように設定する電位設定部と、
前記処理対象物の付近に印加した磁場により、前記プラズマ中の電子が前記処理対象物へ流入することを抑制する抑制部と、
を備える窒化処理装置。
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