JP2008244103A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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Abstract
【解決手段】サセプタ16には、下部高周波電源36より下部整合器40および下部給電棒44を介して主としてプラズマの生成に寄与する所定の周波数たとえば40MHzの下部高周波RFHが印加されるとともに、下部低周波電源38より下部整合器42および下部給電棒46を介して主としてサセプタ16上の半導体ウエハWに対するイオンの引き込みに寄与する所定の周波数たとえば3.2MHzの下部低周波RFLBが印加される。上部電極48には、上部低周波電源66より上部整合器68および上部給電棒70を介して主として上部電極48に対するイオンの引き込みに寄与する所定の周波数たとえば380kHzの上部低周波RFLTが印加される。
【選択図】 図1
Description
12 絶縁板
16 下部電極(サセプタ)
36 下部高周波電源
38 下部低周波電源
48 上部電極(シャワーヘッド)
60 処理ガス供給源
66 上部低周波電源
76 排気装置
82 低周波発振器(電源)
88,98 整合器
94 位相推移器
102 制御部
118,122,124 変圧器
Claims (11)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に所定周波数の高周波を印加する高周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記高周波よりも低い周波数の第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第2の電極に前記第1の低周波よりも低い周波数の第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1の低周波がイオンのプラズマ周波数よりも高い周波数であり、前記第2の低周波がイオンのプラズマ周波数よりも低い周波数である請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に所定周波数の高周波を印加する高周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記高周波よりも低い周波数の第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第2の電極に前記第1の低周波と同じ周波数の第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1および第2の低周波給電部が共通の低周波電源を有する請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1および第2の低周波給電部が前記第1および第2の低周波を個別に増幅するための第1および第2の増幅器をそれぞれ有する請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の低周波給電部が、給電ラインの途中で前記低周波電源側のインピーダンスと前記第1の電極側のインピーダンスとのマッチングをとるための第1の整合回路を有し、
前記第2の低周波給電部が、給電ラインの途中で前記低周波電源側のインピーダンスと前記第2の電極側のインピーダンスとのマッチングをとるための第2の整合回路を有する請求項4または請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1の低周波と前記第2の低周波との間の相対的な位相差を任意に可変制御するための位相差制御部を有する請求項4〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の内壁に付着した堆積膜を除去するためのプラズマクリーニングを行うときは、前記位相差を最大またはその近辺の値に設定する請求項7に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に所定周波数の高周波を印加する高周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記高周波よりも低い周波数の第1の低周波を印加する第1の低周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第2の電極に前記第1の低周波よりも高くて前記高周波よりも低い周波数の第2の低周波を印加する第2の低周波給電部と
を有するプラズマ処理装置。 - 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に所定周波数の第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第1の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第1の電極に前記第1の高周波よりも低い周波数の低周波を印加する低周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第2の電極に前記第1の高周波と同じ周波数の第2の高周波を印加する第2の高周波給電部と
を有するプラズマ処理装置。 - 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられ、前記処理容器内で前記第1の電極と平行に向かい合う第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
主として前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために、前記第1の電極に所定周波数の高周波を印加する高周波給電部と、
主として前記プラズマから前記第2の電極に入射するイオンのエネルギーを制御するために、前記第2の電極に前記高周波よりも周波数の低い低周波を印加する低周波給電部と
を有するプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007081844A JP5199595B2 (ja) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
US12/055,839 US20080236750A1 (en) | 2007-03-27 | 2008-03-26 | Plasma processing apparatus |
US13/399,749 US20120145186A1 (en) | 2007-03-27 | 2012-02-17 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007081844A JP5199595B2 (ja) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244103A true JP2008244103A (ja) | 2008-10-09 |
JP5199595B2 JP5199595B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=39792244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007081844A Active JP5199595B2 (ja) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080236750A1 (ja) |
JP (1) | JP5199595B2 (ja) |
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JP7018288B2 (ja) | 2017-10-10 | 2022-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20120145186A1 (en) | 2012-06-14 |
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