JP2020177959A5 - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本開示の一の態様によれば、（ａ）処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、（ｂ）処理容器内にて基板を載置する第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極とのいずれかにプラズマ生成用の高周波電力を供給する工程と、（ｃ）基板の周囲に設けられたエッジリングに負の電圧を印加する工程と、（ｄ）前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマによりクリーニング処理を行う工程と、を有するクリーニング方法が提供される。

Claims (17)

1. （ａ）処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
   （ｂ）処理容器内にて基板を載置する第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極とのいずれかにプラズマ生成用の高周波電力を供給する工程と、
   （ｃ）基板の周囲に設けられたエッジリングに負の電圧を印加する工程と、
   （ｄ）前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマによりクリーニング処理を行う工程と、
   を有するクリーニング方法。
2. 前記（ｄ）は、前記第１電極に基板を載置しない、
   請求項１に記載のクリーニング方法。
3. 前記（ｃ）は、負の直流電圧を印加する、
   請求項１又は２に記載のクリーニング方法。
4. 前記（ｃ）は、－５００Ｖ以上の電圧であって、０Ｖよりも小さい電圧を印加する、
   請求項３に記載のクリーニング方法。
5. 前記（ｃ）は、－５００Ｖ以下の電圧を印加する、
   請求項３に記載のクリーニング方法。
6. 前記（ｃ）は、前記プラズマ生成用の高周波電力よりも低い周波数を有する高周波電力を前記エッジリングにさらに供給する、
   請求項１～５のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
7. 前記（ｄ）は、前記エッジリングと、前記エッジリングの周辺である前記基板の外周及び前記エッジリングの周囲のカバーリングとをクリーニングする、
   請求項１～６のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
8. 前記クリーニングガスは、酸素含有ガスである、
   請求項１～７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
9. （ｅ）前記（ｄ）の開始後、所定時間が経過したか否かを判定する工程と、
   （ｆ）前記（ｅ）において、所定時間が経過したと判定した場合に、前記クリーニングガスの供給、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給及び前記負の電圧の印加を停止する工程と、を更に有する、
   請求項１～８のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
10. 前記（ｆ）において、前記クリーニングガスの供給の停止、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給の停止及び前記負の電圧の印加の停止を同時に行う、
    請求項９に記載のクリーニング方法。
11. 前記（ｆ）において、前記負の電圧の印加を停止した後に、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給を停止する、
    請求項９に記載のクリーニング方法。
12. 前記（ｂ）、前記（ｃ）及び前記（ｄ）を同時に行う、
    請求項１～１１のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
13. 前記（ｂ）の後に前記（ｃ）を行う、
    請求項１～１１のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
14. 前記（ｄ）は、前記第１電極にダミーウエハを載置した状態で実行する、
    請求項１～１３のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
15. 前記プラズマ生成用の高周波電力は、第１の高周波電源から出力され、前記負の電圧は前記エッジリングに接続された電源から出力される、
    請求項１～１４のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
16. 処理容器と、
    前記処理容器内にて基板を載置する第１電極と、
    前記第１電極に対向する第２電極と、
    基板の周囲に設けられたエッジリングと、
    制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
    前記制御部は、
    （ａ）前記処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
    （ｂ）前記第１電極と前記第２電極とのいずれかにプラズマ生成用の高周波電力を供給する工程と、
    （ｃ）前記エッジリングに負の電圧及び／又は前記プラズマ生成用の高周波電力よりも低い周波数を有する高周波電力を供給する工程と、
    （ｄ）前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマによりクリーニング処理を行う工程と、
    を制御する、プラズマ処理装置。
17. 前記プラズマ生成用の高周波電力は、第１の高周波電源から出力され、前記負の電圧は前記エッジリングに接続された電源から出力される、
    請求項１６に記載のプラズマ処理装置。