JP7462383B2 - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
一実施形態に係るプラズマ処理装置1について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例を示す断面模式図である。
次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置1が実行するクリーニング処理の一例について、図2及び図3を参照しながら説明する。図2は、本実施形態に係るクリーニング処理の一例を示すフローチャートである。図3は、本実施形態に係るクリーニング処理の一例を示すタイムチャートである。本実施形態に係るクリーニング処理方法は、制御部200により制御される。
最後に、本実施形態に係るクリーニング処理の効果の一例について、図5を参照しながら説明する。図5は、一実施形態に係るクリーニングの効果を擬似的に得るための実験を行った結果を示す図である。この実験では、図5(a)に示すようにエッジリング24上に有機膜Tを形成した状態でエッチングを行った。そして、有機膜Tのエッチングレートを測定することで、エッジリング24上の反応生成物のクリーニングの効果を擬似的に検証した。このときのプロセス条件は以下である。
ガス種 O2ガス
HFパワー ON
LFパワー OFF
上記プロセス条件において有機膜Tをエッチングしたときのエッチングレートを図5(b)に示す。図5(b)の右に示すエッジリング24に直流電圧を印加した場合(DC=-100V)のエッチングレートは、図5(b)の左に示すエッジリング24に直流電圧を印加しなかった場合(DC=0V)のエッチングレートよりも2割以上アップした。
10…処理容器
16…載置台(下部電極)
20…静電チャック
24…エッジリング
26…カバーリング
34…シャワーヘッド(上部電極)
48…第1の高周波電源
50…電源
66…ガス供給部
80…排気部
82…APCバルブ
83…TMP
84…ドライポンプ
90…第2の高周波電源
94…電源
200…制御部
Claims (15)
- (a)処理容器内で基板をプラズマ処理する工程と、
(b)前記(a)の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
(c)前記処理容器内にて基板を載置する第1電極と、前記第1電極に対向する第2電極とのいずれかにプラズマ生成用の高周波電力を供給する工程と、
(d)前記基板の周囲に設けられたエッジリングに負の電圧を印加する工程と、
(e)前記第1電極に前記基板又はダミーウエハを載置した状態で、前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより、前記基板の外周及び前記エッジリングに付着した反応生成物を除去するクリーニング処理を行う工程と、
を有するクリーニング方法。 - 処理容器と、
前記処理容器内で第1電極として機能し、基板を載置する載置台と、
前記基板を囲むように、前記載置台上に配置されるエッジリングと、
前記載置台に対向して配置され、プラズマ生成部を構成する第2電極と、
を含むプラズマ処理装置のクリーニング方法であり、
(a)前記処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
(b)前記第2電極にプラズマ生成用の高周波電力を供給する工程と、
(c)前記エッジリングに負の電圧を印加する工程と、
(d)前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより、前記基板の外周及び前記エッジリングに付着した反応生成物を除去するクリーニング処理を行う工程と、
を有するクリーニング方法。 - 前記クリーニング処理を行う工程は、前記載置台に基板を載置しない、
請求項2に記載のクリーニング方法。 - 前記エッジリングに負の電圧を印加する工程は、負の直流電圧を印加する、
請求項1~3のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記エッジリングに負の電圧を印加する工程は、-500V以上の電圧であって、0Vよりも小さい電圧を印加する、
請求項4に記載のクリーニング方法。 - 前記エッジリングに負の電圧を印加する工程は、-500V以下の電圧を印加する、
請求項4に記載のクリーニング方法。 - 前記エッジリングに負の電圧を印加する工程は、前記プラズマ生成用の高周波電力よりも低い周波数を有する高周波電力を前記エッジリングにさらに供給する、
請求項1~6のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記クリーニングガスは、酸素含有ガスである、
請求項1~7のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - (f)前記クリーニング処理を行う工程の開始後、所定時間が経過したか否かを判定する工程と、
(g)前記判定する工程において、所定時間が経過したと判定した場合に、前記クリーニングガスの供給、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給及び前記負の電圧の印加を停止する工程と、を更に有する、
請求項1~8のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記(g)において、前記クリーニングガスの供給の停止、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給の停止及び前記負の電圧の印加の停止を同時に行う、
請求項9に記載のクリーニング方法。 - 前記(g)において、前記負の電圧の印加を停止した後に、前記プラズマ生成用の高周波電力の供給を停止する、
請求項9に記載のクリーニング方法。 - 前記プラズマ生成用の高周波電力を供給する工程、前記エッジリングに負の電圧を印加する工程及び前記クリーニング処理を行う工程を同時に行う、
請求項1~11のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記プラズマ生成用の高周波電力を供給する工程の後に前記エッジリングに負の電圧を印加する工程を行う、
請求項1~11のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 処理容器と、
前記処理容器内にて基板を載置する第1電極と、
前記第1電極に対向する第2電極と、
前記基板の周囲に設けられるエッジリングと、
制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
(a))処理容器内で基板をプラズマ処理する工程と、
(b)前記(a)の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
(c)前記第1電極と前記第2電極とのいずれかにプラズマ生成用の第1の高周波電力を供給する工程と、
(d)前記エッジリングに負の電圧及び/又は前記第1の高周波電力よりも低い周波数を有する第2の高周波電力を供給する工程と、
(e)前記第1電極に前記基板又はタミーウエハを載置した状態で、前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより、前記基板の外周及び前記エッジリングに付着した反応生成物を除去するクリーニング処理を行う工程と、
を制御する、プラズマ処理装置。 - 処理容器と、
前記処理容器内で第1電極として機能し、基板を載置する載置台と、
前記基板を囲むように、前記載置台上に配置されるエッジリングと、
前記載置台に対向して配置され、プラズマ生成部を構成する第2電極と、
制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
(a)前記処理容器内にクリーニングガスを供給する工程と、
(b)前記第2電極にプラズマ生成用の第1の高周波電力を供給する工程と、
(c)前記エッジリングに負の電圧及び/又は前記第1の高周波電力よりも低い周波数を有する第2の高周波電力を供給する工程と、
(d)前記クリーニングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより、前記基板の外周及び前記エッジリングに付着した反応生成物を除去するクリーニング処理を行う工程と、
を制御する、プラズマ処理装置。
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