JP2007501530A5 - - Google Patents
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- ウェーハ上のレイヤにプラズマエッチングを施す装置であって、
流体の移動が可能にガス源と連通し容量的に結合されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた第1電極と、
前記第1電極から間隔を置いて対向する第2電極と、
前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、約150kHzから約10MHzの間の高周波電力を供給する第1高周波電源と、
前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、約12MHzから約200MHzの間の高周波電力を供給する第2高周波電源と、
前記第1高周波電源に制御可能に接続され、前記第1高周波電源の供給電力を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する制御を行う第1変調制御器と
を備える装置。 - 前記第1電極と前記第2電極との間の間隔と、前記ウェーハの直径との比が、1:10から1:40との間になるように、前記第2電極は前記第1電極から離されている請求項1記載の装置。
- 更に、前記第2高周波電源に制御可能に接続され、前記第2高周波電源の供給電力を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する制御を行う第2変調制御器を備える請求項1または2記載の装置。
- 前記第1電極と前記第2電極との間の間隔は、8cm未満である請求項1ないし3のいずれか記載の装置。
- 前記第2高周波電源の周波数は、前記第1高周波電源の周波数の10倍より大きい請求項1ないし4のいずれか記載の装置。
- 更に、前記プロセスチャンバ内に設けられ、前記ウェーハの周囲にプラズマ空間を画定する閉じ込めリングを備える請求項1ないし5のいずれか記載の装置。
- 更に、前記第1変調制御器および前記第2変調制御器に制御可能に接続されたコントローラを備える請求項3記載の装置。
- ウェーハ上のレイヤにプラズマエッチングを施す装置であって、
流体の移動が可能にガス源と連通し容量的に結合されたプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に設けられた第1電極と、
前記第1電極から間隔を置いて対向し、前記第1電極との間に前記ウェーハをマウント可能な第2電極であって、前記第1電極と前記第2電極との間の間隔に対する前記ウェーハの直径のアスペクト比は、6:1から60:1の間である第2電極と、
前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、第1周波数で電力信号を供給する第1高周波電源と、
前記第1および第2電極のうちの少なくとも一方に電気的に接続され、前記第1高周波と異なる第2周波数で電力信号を供給する第2高周波電源と、
前記第1高周波電源に制御可能に接続され、前記第1高周波電源の電力信号を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する制御を行う第1変調制御器と、
前記第2高周波電源に制御可能に接続され、前記第2高周波電源の電力信号を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する制御を行う第2変調制御器と
を備える装置。 - 前記第1電極と前記第2電極との間の間隔は、8cm未満である請求項8記載の装置。
- 前記第2高周波電源の周波数は、前記第1高周波電源の周波数の10倍より大きい請求項8または9記載の装置。
- 更に、前記プロセスチャンバ内に設けられ、前記ウェーハの周囲にプラズマ空間を画定する閉じ込めリングを備える請求項8ないし10のいずれか記載の装置。
- 更に、前記第1変調制御器および前記第2変調制御器に制御可能に接続されたコントローラを備える請求項8ないし11のいずれか記載の装置。
- ウェーハ上のレイヤをエッチングする方法であって、
容量的に結合されたプロセスチャンバ内に前記ウェーハを配置する工程と、
前記プロセスチャンバ内にエッチングガスを供給する工程と、
容量的に結合される第1高周波信号を、前記プロセスチャンバ内に供給する工程と、
前記第1高周波信号を変調する工程と、
容量的に結合される第2高周波信号を、前記プロセスチャンバ内に供給する工程と、
前記第2高周波信号を変調する工程と
を備える方法。 - 前記第2高周波信号の周波数は、前記第1高周波信号の周波数の10倍より大きい請求項13記載の方法。
- 請求項13または14記載の方法であって、
前記第1高周波信号を変調する工程は、前記第1高周波信号を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する工程であり、
前記第2高周波信号を変調する工程は、前記第2高周波信号を約1kHzから約100kHzの間の周波数に変調する工程である方法。 - 請求項13ないし15のいずれか記載の方法によって形成された半導体デバイス。
- 請求項3または8記載の装置であって、
前記第2電極は、ウェーハを保持する機構を含み、
前記第1高周波電源および第2高周波電源は、前記第2電極に電気的に接続され、
第1変調制御器および第2変調制御器は、前記第2電極に対して周波数変調を行う装置。 - 前記第1の電極は接地される請求項1ないし7および17のいずれか記載の装置。
- 前記第1電極と前記第2電極との間の間隔と、前記ウェーハの直径との比が、1:10から1:40となるように、前記第2電極は前記第1電極から離されている請求項1ないし7および17,18のいずれか記載の装置。
- 前記第1電極と前記第2電極との間の間隔に対する前記ウェーハの直径のアスペクト比は、10:1から40:1の間である請求項8記載の装置。
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