TW202239274A - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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趙順天
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Abstract

本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包含：具有處理空間的腔室；置放於前述處理空間內且支撐基板的支撐單元；及用於自供應至前述處理空間的製程氣體產生電漿的電漿產生單元，且其中前述電漿產生單元包含：第一電極及面向前述第一電極的第二電極，前述第二電極由能夠傳輸電磁波的材料製成。

Description

基板處理設備及基板處理方法
本文描述的本發明構思的實施例係關於一種用於處理基板之設備及使用電漿處理該基板之方法。
在半導體裝置製程期間，藉由進行微影術、蝕刻、灰化、離子佈植、薄膜沈積、清洗等各種製程，在基板上形成所需圖案。其中，蝕刻製程為選擇性地移除形成在基板上的膜的至少一部分的製程，並且使用濕法蝕刻及乾法蝕刻。
其中，使用電漿的蝕刻裝置用於乾法蝕刻。通常，為了形成電漿，在腔室的內部空間中產生電磁場，且電磁場將腔室中提供的製程氣體激發成電漿狀態。
電漿係指包含離子、電子、自由基等的電離氣體狀態。電漿由極高溫度、強電場或RF電磁場產生。在半導體裝置製程中，使用電漿進行蝕刻製程。
在使用電漿升高基板處理設備中的基板溫度的方法中，藉由使用其上置放有基板的基板支撐構件的加熱裝置(加熱線；heating wire)來升高基板的溫度。
然而，在使用加熱線的基板加熱方法中，基板的升溫需要很長時間，且難以均勻地加熱整個基板。
本發明構思的實施例提供一種用於在使用電漿的基板處理製程中快速加熱基板的基板處理設備及基板處理方法。
本發明構思的實施例亦提供一種用於方便地更換加熱源且控制基板之溫度的基板處理設備及基板處理方法。
本發明構思的技術目的不限於上述目的，熟習此項技術者藉由以下描述將清楚瞭解其他未提及的技術目的。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括具有處理空間的腔室；置放於前述處理空間內且支撐基板的支撐單元；及用於自供應至前述處理空間的製程氣體產生電漿的電漿產生單元，且其中前述電漿產生單元包含：第一電極、及面向前述第一電極的第二電極，前述第二電極由能夠傳輸電磁波的材料製成。
在實施例中，前述基板處理設備包含用於加熱前述基板的加熱單元。
在實施例中，前述加熱單元包含使用熱輻射的加熱裝置。
在實施例中，前述加熱裝置為IR燈、閃光燈、雷射或微波中的任一者。
在實施例中，前述第二電極設置在前述腔室的頂壁處，前述加熱單元設置在前述腔室的前述頂壁上方，且前述頂壁由能夠傳輸電磁波的材料製成。
在實施例中，前述第二電極設置為具有用於將反應氣體供應至置放在前述支撐單元上的前述基板上的通孔的噴頭類型。
在實施例中，前述第二電極由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(Carbon Nano Tube；CNT)、金屬奈米線或PEDOT-PSS中的任一者製成。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：進行電漿反應製程的腔室；設置在前述腔室內的底側處，將基板保持於其上且包括第一電極的支撐單元；設置在前述腔室的頂側處，用於為前述腔室內的電漿反應製程產生電場的第二電極；及用於將RF功率施加至前述第二電極及/或前述第一電極，以在前述第二電極與前述第一電極之間產生電場的電源供應裝置，其中前述第二電極由能夠傳輸電磁波的材料製成。
在實施例中，前述基板處理設備進一步包含用於加熱前述基板的加熱單元。
在實施例中，前述加熱單元包含使用熱輻射的加熱裝置。
在實施例中，前述加熱裝置為IR燈、閃光燈、雷射或微波中的任一者。
在實施例中，前述第二電極設置在前述腔室的頂壁處，且前述加熱單元設置在前述腔室的前述頂壁上方。
在實施例中，前述頂壁由能夠傳輸電磁波的材料製成。
在實施例中，前述第二電極由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線或PEDOT-PSS中的任一者製成。
在實施例中，前述第二電極設置為具有用於將反應氣體供應至置放在前述支撐單元上的前述基板上的通孔的噴頭類型。
本發明構思提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：具有帶透明窗的頂壁且提供電漿處理空間的腔室；設置在前述電漿處理空間的底側處，靜電地卡緊基板且作為底部電極的靜電卡盤；位於前述頂壁的前述透明窗下方及前述靜電卡盤上方，具有將反應氣體供應至置放在前述靜電卡盤上的前述基板上的通孔且作為頂部電極的噴頭；及設置在前述頂壁的前述透明窗上方且提供用於加熱前述基板的光能的加熱單元，其中前述噴頭由能夠傳輸前述加熱單元提供的電磁波的材料製成。
在實施例中，前述噴頭由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線或PEDOT-PSS中的任一者製成。
在實施例中，前述加熱裝置為IR燈、閃光燈、雷射或微波中的任一者。
在實施例中，前述基板處理設備進一步包含用於將RF功率施加至前述靜電卡盤及/或前述噴頭以在其間產生電場的電源供應裝置。
本發明構思提供一種基板處理設備中的基板處理方法。前述基板處理設備包括在處理腔室中彼此相對的頂部電極及底部電極，前述基板處理方法包含：使用與前述頂部電極相鄰的加熱單元加熱設置在前述處理腔室內的基板，前述頂部電極設置在前述處理腔室的前述頂壁下方及前述處理腔室的頂側，且前述頂壁及前述頂部電極由能夠傳輸電磁波的材料製成，使得自前述加熱單元發出的前述電磁波穿過前述頂壁及前述頂部電極以加熱位於前述頂部電極下方及前述底部電極上方的基板。
根據本發明構思的實施例，可使用熱輻射快速加熱基板。
根據本發明構思的實施例，方便更換加熱源及控制基板的溫度。
本發明構思的效果不限於上述效果，熟習此項技術者藉由以下描述將清楚瞭解其他未提及的效果。
本發明構思可進行各種修改且可具有各種形式，且本發明構思的具體實施例將在圖式中示出且詳細描述。然而，根據本發明構思的實施例並不旨在限制具體揭示的形式，且應理解，本發明構思包括本發明構思的精神及技術範圍內的所有變換、等效物及替換。在本發明構思的描述中，當可能使本發明構思的本質模糊不清時，可以省略對相關已知技術的詳細描述。
應理解，儘管術語第一、第二、第三等在本文中可用於描述各種元件、區域、層或部分，但前述元件、區域、層或部分不受前述術語的限制。相反，前述術語僅用於將一個元件、區域、層或部分與另一區域、層或部分區分開。因此，在不脫離例示性實施例的教導的情況下，下面討論的第一元件、區域、層或部分可稱為第二元件、區域、層或部分。
在本發明構思的實施例中，將描述用於使用電漿蝕刻基板的基板處理設備。然而，本發明構思的技術特徵不限於此，且可應用於使用電漿處理基板W的各種設備。本發明構思可應用於對由支撐單元支撐的基板執行任何處理的任何設備。
此外，在本發明構思的實施例中，靜電卡盤描述為支撐單元的實例。然而，本發明構思不限於此，且支撐單元可藉由機械夾持或真空來支撐基板。
圖1為示出了根據本發明構思的實施例的基板處理設備的視圖。
參看圖1，基板處理設備10可包括處理腔室100、支撐單元200、電漿產生單元400及加熱單元500。基板處理設備使用電漿處理基板W。
處理腔室100具有用於在其中執行製程的內部空間。支撐單元200位於處理腔室100的內部空間的底部區域中。基板置放在支撐單元200上。
電漿產生單元400自處理腔室100中的支撐單元200上方的處理氣體產生電漿。電漿產生單元400可包括第一電極420、第二電極440及高頻電源供應器460。第一電極420及第二電極440可設置為在上/下方向上彼此面對。第二電極440可設置在支撐單元200中。亦即，支撐單元200可用作電極。
第一電極420可由能夠傳輸電磁波的材料製成。更具體地，第一電極420可為透明電極，由加熱單元500提供的光能可穿過前述透明電極到達且加熱基板。在實施例中，第一電極420可為由氧化銦及氧化錫製成的氧化銦錫(ITO)材料形成的透明電極。在另一個實施例中，第一電極可以為氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線或金屬奈米線及PEDOT-PSS中的任一者。
第一電極420可位於設置在處理腔室100的頂壁110中的透明窗120下方。
根據實施例，第一電極420可接地429，且高頻電源供應器460可連接至第二電極440。或者，高頻電源供應器460可連接至第一電極420，且第二電極440可接地。在其他實施例中，高頻電源供應器460可連接至第一電極420及第二電極440兩者。
加熱單元500可設置在透明窗120上方。加熱單元500可為使用熱輻射的加熱裝置。在實施例中，加熱單元可包括IR燈。在另一實施例中，加熱單元可為任一熱源，諸如閃光燈、雷射或微波。加熱單元500發射光能，且光能可穿過透明窗120及第一電極420到達且加熱由第二電極440支撐的基板W。因此，基板可由光能快速加熱。
在本實施例中，加熱單元500示為設置在處理腔室外部，但不限於此。在實施例中，加熱單元500可在處理腔室內的第二電極下方，且在此情況下，第二電極可設置有透明材料，使得來自加熱單元500的光能可穿過第二電極到達且加熱基板W。
當在具有上述組態的基板處理設備10中執行電漿處理製程時，基板可由加熱單元500快速加熱。以此方式，藉由將第一電極420設置為透明電極(能夠傳輸諸如光能的電磁波的材料)，用於加熱基板的加熱單元500可設置在處理腔室100外部。此外，由於加熱單元500設置在處理腔室100外部，可促進因此加熱單元500的維護(更換燈、輸出容量改變等)，且可防止由電漿引起的損壞。
圖2為示出了根據本發明構思的另一實施例的基板處理設備10a的視圖。
參看圖2，基板處理設備10a可包括處理腔室100a、支撐單元200a、氣體供應單元300a、電漿產生單元400a及加熱單元500a。基板處理設備使用電漿處理基板W。
處理腔室100a具有用於在其中執行製程的內部空間。排氣孔103形成在處理腔室100a的底壁上。排氣孔103連接至安裝有泵122的排氣管路121。在製程期間產生的反應副產品及殘留在處理腔室100a中的氣體經由排氣孔103排放至排氣管路211。因此，副產品可排放至處理腔室100a的外部。此外，處理腔室100a的內部空間藉由排氣製程減壓至預定壓力。在實施例中，排氣孔103可設置在與隨後描述的襯墊單元130的通孔158直接連通的位置處。
開口104形成在處理腔室100a的側壁上。開口104用作基板進出處理腔室100a的通道。開口104由門組件(未示出)打開及關閉。根據實施例，門組件(未示出)具有外門、內門及連接板。外門設置在處理腔室的外壁上。內門設置在處理腔室的內壁上。外門及內門藉由連接板彼此固定連接。連接板經由開口自處理腔室的內部延伸至外部。門驅動器沿上/下方向移動外門。門驅動器可包括氣動缸或馬達。
支撐單元200a位於處理腔室100a的內部空間的底部區域中。支撐單元200a藉由靜電力支撐基板W。與此不同，支撐單元200a可以的各種方式(諸如，機械夾持)支撐基板W。
支撐單元200a可包括支撐板210、環組件260及氣體供應管路單元270。基板W置放在支撐板210上。支撐板210具有底座220及靜電卡盤240。靜電卡盤240藉由靜電力將基板W支撐於頂表面上。靜電卡盤240固定地耦合至底座220上。
環組件260設置為環形。環組件260經設置以圍繞支撐板210的圓周。在實施例中，環組件260經設置以圍繞靜電卡盤240的圓周。環組件260支撐基板W的邊緣區域。根據實施例，環組件260具有聚焦環262及絕緣環264。聚焦環262經設置以圍繞靜電卡盤240且將電漿集中在基板W上。絕緣環264經設置以圍繞聚焦環262。可選地，環組件260可包括與聚焦環262的圓周緊密接觸設置的邊緣環(未示出)，以防止靜電卡盤240的側表面被電漿損壞。與以上描述不同，環組件260的結構可進行各種改變。
氣體供應管路單元270包括氣體供應源272及氣體供應管路274。氣體供應管路274設置在環組件260與支撐板210之間。氣體供應管路274供應氣體以移除殘留在環組件260的頂表面或支撐板210的邊緣區域中的異物。在實施例中，氣體可為氮氣(N 2)。可選地，可供應其他氣體或清潔劑。氣體供應管路274可形成在支撐板210內部以連接在聚焦環262與靜電卡盤240之間。或者，氣體供應管路274可設置在聚焦環262內部且彎曲以連接在聚焦環262與靜電卡盤240之間。
根據實施例，靜電卡盤240可由陶瓷材料製成，聚焦環262可由矽材料製成，且絕緣環264可由石英材料製成。用於在製程期間將基板W保持在處理溫度的加熱構件282及冷卻構件284可設置在靜電卡盤240及/或底座220中。加熱構件282可設置為加熱線。冷卻構件284可設置為製冷劑流過的冷卻管路。根據實施例，加熱構件282可設置在靜電卡盤240中，且冷卻構件284可設置在底座220中。
氣體供應單元300a將處理氣體供應至處理腔室100a中。氣體供應單元300a包括氣體儲存單元310、氣體供應管路320及氣體入口330。氣體供應管路320連接氣體儲存單元310及氣體入口330。氣體供應管路320將儲存在氣體儲存單元310中的製程氣體供應至氣體入口330。用於打開及關閉通道或調節流過通道的流體的流速的閥322可安裝在氣體供應管路320處。
電漿產生單元400a自殘留在放電空間中的製程氣體產生電漿。放電空間對應於處理腔室100a中支撐單元200a上方的內部空間的一部分。電漿產生單元400可具有電容耦合電漿源。
電漿產生單元400a可包括頂部電極420、底部電極440及高頻電源供應器460。頂部電極420及底部電極440可設置為在上/下方向上彼此面對。
頂部電極420可為透明電極，由加熱單元500a提供的光能可穿過前述透明電極。例如，頂部電極420可為由氧化銦及氧化錫製成的氧化銦錫(ITO)材料形成的透明電極。在另一實施例中，頂部電極可為氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線或PEDOT-PSS中的任一者。
頂部電極420可位於設置在處理腔室100a的頂壁110中的透明窗120下方。透明窗120可由能夠傳輸電磁波的材料，如頂部電極製成。在實施例中，頂部電極420可包括噴頭422及環組件424。噴頭422可定位成面向靜電卡盤240且可設置有大於靜電卡盤240的直徑。噴頭422可設置為頂部電極。用於噴射氣體的複數個孔422a形成在噴頭422處。環組件424設置為圍繞噴頭422。環組件424可設置為與噴頭422緊密接觸。根據實施例中，噴頭422可設置為頂部電極。底部電極440可設置在靜電卡盤240內。
根據實施例，頂部電極420可接地429，且高頻電源供應器460可連接至底部電極440。在一些實施例中，高頻電源供應器460可連接至頂部電極420，且底部電極440可接地。在一些實施例中，高頻電源供應器460可連接至頂部電極420及底部電極440兩者。根據實施例，高頻電源供應器460可向頂部電極420及/或底部電極440連續地供電，或可施加脈衝功率。
圖3為示出了圖2的加熱單元的視圖。
參看圖2及圖3，加熱單元500a可設置在透明窗120上方以面向頂部電極420。加熱單元500a可包括外殼502、IR燈510及反射罩520。IR燈510發射光能，且光能可穿過透明窗120及頂部電極420，從而到達且加熱基板W。基板可由光能快速加熱。
對於具有上述組態的基板處理設備10a中的電漿處理，當氣體供應單元300a供應處理氣體時，處理氣體由處理腔室100a中的噴頭422噴射。在此情況下，電漿在處理腔室100a中產生，且可執行電漿處理。此外，當電漿處理製程進行時，基板可由加熱單元500a的IR燈510快速加熱。以此方式，藉由將頂部電極420設置為透明電極，用於加熱基板的加熱單元500a可設置在處理腔室100a外部。另外，由於加熱單元500a設置在處理腔室100a外部，可促進加熱單元500a的維護(更換燈、改變輸出容量等)，且可防止由電漿引起的損壞。
在本實施例中，以噴頭類型結構為例描述了頂部電極，但本發明構思不限於此。
儘管在實施例中使用電漿執行蝕刻製程，但基板處理製程不限於此，且可應用於使用電漿的各種基板處理製程，例如沈積製程、灰化製程及清潔製程。此外，在本實施例中，電漿產生單元描述為設置為電容耦合電漿源的結構。然而，與此不同，電漿產生單元可提供為電感耦合電漿(inductively coupled plasma，ICP)。電感耦合電漿可包括天線。另外，基板處理設備可進一步包括電漿邊界限制單元。電漿邊界限制單元可設置為例如環形，且可設置為圍繞放電空間以抑制電漿逸散至其外部。
本發明構思的效果不限於上述效果，且本發明構思所屬領域的熟習此項技術者可自說明書及圖式清楚地理解未提及的效果。
儘管目前為止已圖示及描述了本發明構思的較佳實施例，但本發明構思不限於上述具體實施例，且應注意，本發明構思所針對的一般技藝人士在不背離發明申請專利範圍中要求保護的發明構思的本質的情況下，可以各種方式實施本發明構思，且修改不應與發明構思的技術精神或前景分開解釋。
10:基板處理設備 10a:基板處理設備 100:處理腔室 100a:處理腔室 103:排氣孔 104:開口 110:頂壁 120:透明窗 121:排氣管路 122:泵 130:襯墊單元 200:支撐單元 200a:支撐單元 210:支撐板 211:排氣管路 220:底座 240:靜電卡盤 260:環組件 262:聚焦環 264:絕緣環 270:氣體供應管路單元 272:氣體供應源 274:氣體供應管路 282:加熱構件 284:冷卻構件 300a:氣體供應單元 310:氣體儲存單元 320:氣體供應管路 322:閥 330:氣體入口 400:電漿產生單元 400a:電漿產生單元 420:第一電極/頂部電極 422:噴頭 422a:孔 424:環組件 429:接地 440:第二電極/底部電極 460:高頻電源供應器 500:加熱單元 500a:加熱單元 502:外殼 510:IR燈 520:反射罩 W:基板
以上及其他目的及特徵將藉由參照以下隨附圖式的以下描述變得顯而易見，其中除非另有說明，否則相同的元件符號在各個圖式中指代相同的部分。
圖1為示出了根據本發明構思的實施例的基板處理設備的視圖。
圖2為示出了根據本發明構思的實施例的另一基板處理設備的視圖。
圖3為示出了圖2的加熱單元的視圖。
10:基板處理設備
100:處理腔室
110:頂壁
120:透明窗
200:支撐單元
400:電漿產生單元
420:第一電極
429:接地
440:第二電極
460:高頻電源供應器
500:加熱單元

Claims (20)

  1. 一種基板處理設備，其包含： 腔室，前述腔室具有處理空間； 支撐單元，前述支撐單元置放於前述處理空間內且支撐基板；及 電漿產生單元，前述電漿產生單元用於自供應至前述處理空間的製程氣體產生電漿； 其中，前述電漿產生單元包含： 第一電極；及 第二電極，前述第二電極面向前述第一電極，前述第二電極由能夠傳輸電磁波的材料製成。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其進一步包含用於加熱前述基板的加熱單元。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中，前述加熱單元包含使用熱輻射的加熱裝置。
  4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中，前述加熱裝置為IR燈、閃光燈、雷射及微波中的任一者。
  5. 如請求項3所述之基板處理設備，其中，前述第二電極設置在前述腔室的頂壁處，前述加熱單元設置在前述腔室的前述頂壁上方，且前述頂壁由能夠傳輸電磁波的材料製成。
  6. 如請求項5所述之基板處理設備，其中，前述第二電極設置為具有用於將反應氣體供應至置放在前述支撐單元上的前述基板上的通孔的噴頭類型。
  7. 如請求項1所述之基板處理設備，其中，前述第二電極由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線及PEDOT-PSS中的任一者製成。
  8. 一種基板處理設備，其包含： 腔室，電漿反應製程在前述腔室中進行； 支撐單元，前述支撐單元設置在前述腔室內的底側處，將基板保持於前述支撐單元上且包括第一電極； 第二電極，前述第二電極設置在前述腔室的頂側處，用於為前述腔室內進行的前述電漿反應製程產生電場；及 電源供應裝置，前述電源供應裝置用於將RF功率施加至前述第二電極及/或前述第一電極，以在前述第二電極與前述第一電極之間產生電場； 其中，前述第二電極由能夠傳輸電磁波的材料製成。
  9. 如請求項8所述之基板處理設備，其進一步包含用於加熱前述基板的加熱單元。
  10. 如請求項9所述之基板處理設備，其中，前述加熱單元包含使用熱輻射的加熱裝置。
  11. 如請求項10所述之基板處理設備，其中，前述加熱裝置為IR燈、閃光燈、雷射及微波中的任一者。
  12. 如請求項10所述之基板處理設備，其中，前述第二電極設置在前述腔室的頂壁處，且前述加熱單元設置在前述腔室的前述頂壁上方。
  13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中，前述頂壁由能夠傳輸電磁波的材料製成。
  14. 如請求項12所述之基板處理設備，其中，前述第二電極由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線及PEDOT-PSS中的任一者製成。
  15. 如請求項13所述之基板處理設備，其中，前述第二電極設置為具有用於將反應氣體供應至置放在前述支撐單元上的前述基板上的通孔的噴頭類型。
  16. 一種基板處理設備，其包含： 腔室，前述腔室具有帶透明窗的頂壁且提供電漿處理空間； 靜電卡盤，前述靜電卡盤設置在前述電漿處理空間的底側處，靜電地卡緊基板且作為底部電極； 噴頭，前述噴頭位於前述頂壁的前述透明窗下方且位於前述靜電卡盤上方，具有將反應氣體供應至置放在前述靜電卡盤上的前述基板上的通孔且作為頂部電極；及 加熱單元，前述加熱單元置放在前述頂壁的前述透明窗上方且提供用於加熱前述基板的光能； 其中，前述噴頭由能夠傳輸前述加熱單元提供的電磁波的材料製成。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中，前述噴頭由氧化銦錫(ITO)、氧化錳(MnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、FTO、AZO、石墨烯、碳奈米管(CNT)、金屬奈米線及PEDOT-PSS中的任一者製成。
  18. 如請求項16所述之基板處理設備，其中，前述加熱單元為IR燈、閃光燈、雷射或微波中的任一者。
  19. 如請求項16所述之基板處理設備，其進一步包含電源供應裝置，前述電源供應裝置用於將RF功率施加至前述靜電卡盤及/或前述噴頭以在其間產生電場。
  20. 一種基板處理設備中的基板處理方法，前述基板處理設備包含在處理腔室中彼此相對的頂部電極及底部電極，前述方法包含以下步驟： 使用與前述頂部電極相鄰的加熱單元加熱設置在前述處理腔室內的基板，前述頂部電極設置在前述處理腔室的前述頂壁下方及前述處理腔室的頂側，且前述頂壁及前述頂部電極由能夠傳輸電磁波的材料製成，使得自前述加熱單元發出的前述電磁波穿過前述頂壁及前述頂部電極，以加熱位於前述頂部電極下方及前述底部電極上方的基板。
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