TW202343662A - 基板處理設備 - Google Patents

Abstract

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：腔室，在腔室中具有處理空間；支撐單元，其安置於處理空間內且經組態以支撐基板；及電漿產生單元，其經組態以自供應至處理空間之處理氣體產生電漿；且其中電漿產生單元包含：底部電極構件；及與底部電極構件相對的頂部電極構件，其中頂部電極構件包含：包括電極的電極板；由不同於電極板之材料製成的第一板；及第二板，且其中第二板、電極板及第一板堆疊於彼此上。

Description

基板處理設備

本文中所描述之本發明概念的實施例係關於一種基板處理設備及一種使用電漿的基板處理設備。

為了製造半導體裝置，所要圖案藉由執行諸如光微影製程、蝕刻製程、灰化製程、離子植入製程、薄膜沈積製程及清潔製程的各種製程形成於基板上。在前述製程中，蝕刻製程為自形成於基板上之膜移除所選擇加熱區的製程，且使用濕式蝕刻及乾式蝕刻。

使用電漿之蝕刻裝置用於乾式蝕刻。一般而言，為了產生電漿，電磁場形成於腔室之內部空間中，且電磁場激勵提供於腔室中之處理氣體至電漿狀態。

電漿指由離子、電子、自由基或類似者製成的離子化氣體狀態。電漿由極高溫度、強電場或高頻率電磁場產生。在半導體裝置製造製程中，蝕刻製程使用電漿執行。

在如前文所提及之使用電漿的基板處理設備中，作為提升基板之溫度的方法，基板之溫度藉由使用基板置放於上面之基板支撐構件之加熱構件(加熱導線)來提升。在使用加熱器加熱基板的習知方法之狀況下，花費長的時間來提高溫度及降低溫度，且難以均勻地加熱基板的全部。

為了解決此問題，提議一種在腔室之上部區處使用微波來使基板退火的方法。當使用此方法時，用於加熱要求的時間被減小，但非均一熱傳遞在基板中發生，使得基板之邊緣部分與中心部分之間的顯著溫度差在製程期間發生，此情形引起半導體晶片的生產率降低。

因此，需要重新設計腔室中頂部窗及電極的結構特性，以便由微波在基板之整個表面上產生均一加熱分佈。

本發明概念之實施例提供一種用於改善加熱及電漿之均一性的頂部窗及電極結構。

本發明概念之技術目的不限於上述各者，且其他未提及技術目的自以下描述內容對於熟習此項技術者將為顯而易見。

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：腔室，在前述腔室中具有處理空間；支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿；且其中前述電漿產生單元包含：底部電極構件；及與前述底部電極構件相對的頂部電極構件，其中前述頂部電極構件包含：包括電極的電極板；由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及第二板，且其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上。

在實施例中，前述頂部電極構件中之中心部分的厚度及邊緣部分的厚度實質上相等。

在實施例中，前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。

在實施例中，前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。

在實施例中，前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由以下各項中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物或其任何堆疊組合。

在實施例中，前述第一板之中心部分及邊緣部分的厚度、前述第二板之中心部分及邊緣區域的厚度、前述電極板之中心部分及邊緣區域的厚度設置為相同的。

在實施例中，前述電極板安置於前述第二板的頂部上。

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：腔室，在前述腔室中具有處理空間；支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿；且其中前述電漿產生單元包含：底部電極構件；及與前述底部電極構件相對的頂部電極構件，且其中前述頂部電極構件包含：包括電極的電極板；由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及第二板，且其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上，且前述頂部電極構件之中心部分的厚度與前述頂部電極構件之邊緣部分的厚度為不同的。

在實施例中，前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣部分的厚度為不同的。

在實施例中，前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣部分的厚度為不同的。

在實施例中，前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣區域的厚度為不同的，且前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣區域的厚度為不同的。

在實施例中，前述第二板之中心部分的厚度與前述第二板之邊緣區域的厚度為不同的。

在實施例中，前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。

在實施例中，前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。

在實施例中，前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由以下各項中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物或其任何堆疊組合。

本發明概念提供一種基板處理設備。前述基板處理設備包括：腔室，在前述腔室中具有處理空間；支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿；且其中前述電漿產生單元包含：底部電極構件；及與前述底部電極構件相對的頂部電極構件，且其中前述頂部電極構件包含：包括電極的電極板；由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及第二板，且其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上，且前述頂部電極構件之中心部分的第一厚度與前述頂部電極構件之邊緣部分的第二厚度為不同的，且前述第一厚度與前述第二厚度之間的差為前述第二厚度的500%或以下，或為前述第一厚度之500%或以下。

在實施例中，前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣部分的厚度為不同的。

在實施例中，前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣部分的厚度為不同的。

在實施例中，前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣區域的厚度為不同的。

前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣區域的厚度為不同的。

在實施例中，前述第二板之中心部分的厚度與前述第二板之邊緣區域的厚度為不同的。

在實施例中，前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。

在實施例中，前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。

在實施例中，前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由以下各項中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物或其任何堆疊組合。

根據本發明概念之實施例，可改善基板之整個表面處加熱及電漿的均一性。

本發明概念之效應不限於上文提及之效應，且其他未提及效應自以下描述內容對於熟習此項技術者將為顯而易見。

本發明概念之其他優勢及特徵以及用於達成優勢及特徵的方法將參看下文結合隨附諸圖詳細描述的實施例變得顯而易見。然而，本發明概念並不限於下文所揭示之實施例，但可以各種不同形式實施，且此實施例僅經提供以確保揭示內容為完整的且向熟習此項技術者充分告知本發明的範疇。

即使並未界定，本文中所使用之所有術語(包括技術及科技術語)具有與由熟習本發明屬之技術者通常接受的含義相同的含義。由通用詞典界定之術語可解譯為具有與本申請案之相關技術及/或文字之含義相同的含義，且在本文中在並未清楚地界定的情況下將不概念化或過於正式化。

諸如第一、第二及類似者的術語可用以描述各種組件，但組件不應受術語限制。術語僅用以區分組件的目的。舉例而言，第一組件可被稱作第二組件而不偏離本發明概念的範疇，且類似地第二組件亦可被稱作第一組件。

單數表達包括複數表達，除非以其他方式清楚地暗示。此外，諸圖中之形狀及大小可為了更清楚地解釋來誇示。

本文中使用之術語係出於僅描述特定實施例之目的，且並非意欲限制本發明的概念。如本文中所使用，單數形式「一」及「前述」意欲亦包括複數形式，除非上下文以其他方式清楚地指示。應進一步理解，術語「包含(comprise、comprising)」及/或「包括(include、including)」在用於本說明書中時指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。如本文中所使用，術語「及/或」包括相關聯之所列出項目中的任一者及一或多者的所有組合。此外，術語「例示性」意欲指實例或圖示。

在本發明概念之實施例中，將描述用於使用電漿蝕刻基板的基板處理設備。然而，本發明概念之技術特徵並非限於此，且可應用至用於使用電漿處理基板W的各種種類設備及/或置放於支撐單元上之基板經電漿處理所在的各種種類設備。

此外，在本發明概念之實施例中，作為支撐單元的靜電卡盤將經描述作為實例。然而，本發明改變不限於此，且支撐單元可由機械夾鉗或由真空來支撐基板。

圖1圖示根據本發明概念之實施例的基板處理設備。

參看圖1，基板處理設備10可包括製程腔室100、支撐單元200、氣體供應單元300、電漿產生單元400，及加熱單元500。基板處理設備10使用電漿來處理基板W。

製程腔室100具有用於在其中執行製程的空間。排氣孔103形成於製程腔室100的底部側上。排氣孔103連接至泵122安裝在上面的排氣管線121。在製程期間產生之反應副產物及剩餘在製程腔室100中的氣體經由排氣控103及排氣管線121排出至製程腔室100外部。此外，製程腔室100之內部空間由此排氣製程經減壓至預定壓力。在實施例中，排氣孔103可設置於一位置處以便與襯裡單元130的通孔158直接連通，前述襯裡單元130稍後將描述。

開口104形成於製程腔室100的側壁上。開口104充當基板進入且離開製程腔室100通過的通路。開口104由門總成(圖中未示)開啟並關閉。根據實施例，門總成(圖中未示)具有外部門、內部門及連接板。外部門設置於製程腔室的外部壁上。內部門設置於製程腔室的內部壁上。外部門及內部門由連接板固定地耦接至彼此。連接板經提供以經由開口自製程腔室內部延伸至外部。門驅動器在上/下垂直方向上移動外部門。門驅動器可包括氣缸或馬達。

支撐單元200定位於製程腔室100之內部的底部區中。支撐單元200由靜電力支撐基板W。不同於此情形，支撐單元200可以諸如機械夾鉗的各種方式支撐基板W。

支撐單元200可包括支撐板210、環總成260及氣體供應管線單元270。基板W置放於支撐板210上。支撐板210具有基座220及靜電卡盤240。靜電卡盤240由靜電力將基板W支撐在其頂表面上。靜電卡盤240固定地耦接至基座220上。

環總成260具有環形狀。環總成260經提供以包圍支撐板210的圓周。在實施例中，環總成260經提供以包圍靜電卡盤240的圓周。環總成260支撐基板W的邊緣區。根據實施例，環總成260具有聚焦環262及絕緣環264。聚焦環262經提供以包圍靜電卡盤240且使電漿聚焦至基板W。絕緣環264經提供以包圍聚焦環262。視需要，環總成260可包括邊緣環(圖中未示)，前述邊緣環與聚焦環262之圓周緊密接觸地設置以防止靜電卡盤240的側表面受電漿損害。不同於以上描述內容，環總成260之結構可經各種修改。

氣體供應管線單元270包括氣體供應源272及氣體供應管線274。氣體供應管線274經提供以供應氣體至環總成260與靜電卡盤240之間的空間。氣體供應管線274供應氣體以移除剩餘在環總成260之頂表面上或靜電卡盤240之邊緣區中的外來物質。在實施例中，氣體可為氮氣N ₂。視需要，可供應其他氣體或清潔劑。氣體供應管線274可經形成以在支撐板210內部連接於聚焦環262與靜電卡盤240之間。替代地，氣體供應管線274可設置於聚焦環262內部且經彎曲以連接於聚焦環262與靜電卡盤240之間。

根據實施例，靜電卡盤240可設置為陶瓷材料，聚焦環262可設置為矽材料，且絕緣環264可設置為石英材料。用於在製程期間將基板W維持於處理溫度的加熱構件282及冷卻構件284可設置於靜電卡盤240或基座220中。加熱構件282可設置為加熱導線。冷卻構件284可設置為製冷劑流過的冷卻管線。根據實施例，加熱構件282可設置於靜電卡盤240中，且冷卻構件284可設置於基座220中。

氣體供應單元300供應處理氣體至製程腔室100。氣體供應單元300包括氣體儲存單元310、氣體供應管線320及氣體入口埠330。氣體供應管線320連接氣體儲存單元310及氣體入口埠330。氣體供應管線320供應儲存於氣體儲存單元310中的處理氣體至氣體入口埠330。用於開啟且關閉通路或調整流過通路之流體之流動速率的閥322可安設於氣體供應管線320處。

電漿產生單元400自保持在放電空間中的處理氣體產生電漿。放電空間對應於製程腔室100中支撐單元200上方的空間。電漿產生單元400可具有電容耦接電漿源。

電漿產生單元可包括頂部電極構件420、底部電極構件及高頻率電源460。基座以金屬材料提供。基座在本發明概念的實施例中設置為底部電極構件220。頂部電極構件420及底部電極構件220可經設置以在上/下方向上面向彼此。

根據本發明概念之頂部電極構件420將參看圖2至圖6稍後描述。根據本發明概念之電漿產生單元可藉由以下操作來產生電漿：施加RF電壓至頂部電極構件420或底部電極構件220或者頂部電極構件420及底部電極220兩者以在頂部電極構件420與底部電極構件220之間產生電場。

根據本發明概念之頂部電極構件420可具有結構，前述結構包括第一板、電極板及第二板，使得由加熱單元500產生之微波可經遞送至基板而無損耗。

根據本發明概念之頂部電極構件420的詳細結構將稍後參看圖2至圖6描述。

根據本發明概念之電漿產生單元400可包括噴頭及環總成，其可形成於待稍後描述之頂部電極構件的第二板結構中。噴頭可定位於靜電卡盤240上方，且可具備大於靜電卡盤240之直徑的直徑。用於注入氣體之孔可形成於噴頭處。環總成經設置以包圍噴頭。環總成可設置為與噴頭緊密接觸。

根據實施例，頂部電極構件420可經接地429，且高頻率電源460可連接至底部電極構件220。在一些實施例中，高頻率電源460可連接至頂部電極構件420，且底部電極構件220可經接地。在一些實施例中，高頻率電源460可連接至頂部電極構件420及底部電極構件220兩者。根據實施例，高頻率電源460可連續地供應電力或脈衝電力至頂部電極構件420及/或底部電極構件。

加熱單元500可供應微波從而對支撐單元200上的基板進行退火處理。由於微波之波長遠長於半導體晶片之金屬佈線層的厚度及間距，因此微波刺穿至金屬材料中的深度小於若干μm。根據實施例，存在如下效應：藉由由微波加熱處理加熱基板或晶粒之表面來快速提升表面溫度至目標溫度。

加熱單元500可包括將微波導引至製程腔室100中的波導。加熱單元500可施加具有1至5 GHz之頻率的微波。根據本發明概念之實施例，由於基板之表面由微波選擇性地加熱，因此溫度增大速率及冷卻速率為快速的，且基板之表面可在短時間內經加熱至目標溫度，藉此縮短處理時間。

根據實施例，根據本發明概念之加熱單元500可提供為使用微波的加熱處理單元。替代地，根據本發明概念之加熱單元500可提供為使用雷射的加熱處理單元。在本發明概念中，諸如微波及雷射之加熱源可通過頂部電極構件420以加熱基板。頂部電極構件420可設置為光可透射通過的透明材料。

圖2圖示根據本發明概念之實施例的頂部電極構件420。

在本發明概念中，包括透明電極之頂部電極構件420經提議以改善基板的加熱均一性及電漿均一性。根據本發明概念之頂部電極構件420可包括：包括電極的電極板422、由不同於電極板422之材料的材料製成的第一板421及第二板423。根據實施例，頂部電極構件420可藉由堆疊第二板423、電極板422及第一板421來提供。

參看圖2至圖6，圖示頂部電極構件420可以第二板423、電極板422及第一板421之次序來堆疊且提供的實施例。然而，堆疊次序並不限於此，且第二板423、第一板421及電極板422可以此次序或任何其他次序堆疊。

下文中，作為實例，將描述以第二板423、電極板422及第一板421之次序來堆疊的頂部電極構件420。

根據本發明概念之頂部電極構件420可包括充當頂部電極的電極板422。接地或高頻率電源可連接至電極板422。電極板422可包括透明電極。第二板423可設置為抗蝕刻材料以防止材料在電漿處理製程期間蝕刻。根據實施例，第二板423可提供為包括噴頭的結構。然而，此係僅實例，且第二板423可經設置為並未包括噴頭的抗蝕刻材料。第一板421可充當介電窗。第一板421可為具有透明度的奈米導線。根據實施例，包括於頂部電極構件420中之電極板422、第一板421及第二板423可設置為透明材料，使得自加熱單元500提供的能量可通過。

根據實施例，電極板422可為由氧化銦錫ITO形成的透明電極。根據實施例，電極板422可為以下各者中之任一者：氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)、氧化鎂(Manganese Oxide；MnO)、碳奈米管(Carbon Nano Tube；CNT)、氧化鋅(Zinc Oxide；ZnO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide；IZO)、氧化銻錫(Antimony Tin Oxide；ATO)、SnO ₂、IrO ₂、RuO ₂、介電質/金屬/介電質多層(SnO2/Ag/SnO2)、石墨烯，其任何混合物或其任何堆疊組合。即，電極板422可設置為透明導電材料，藉此增大微波的透射率。

根據實施例，第一板421可設置為石英材料。根據實施例，第一板421可為SiO2。根據實施例，第二板423可設置為抗蝕刻材料。根據實施例，第二板423可為以下各者中的任一者：Y ₂O ₃、釔穩定氧化鋯YSZ (Yttria-stabilized zirconia，ZrO ₂/Y ₂O ₃₎、釔鋁石榴石YAG (yttrium aluminum garnet, Y ₃Al ₅O ₁₂)、Al ₂O ₃、Cr ₂O ₃、Nb2O ₅、Si ₃N ₃、其任何混合物或其任何堆疊組合。第二板423可設置為具有透明度以及抗電漿性且抗蝕刻性的材料。因此，第二板423可具有優良傳導率，且執行電極板422的保護。

根據圖2之實施例，頂部電極構件420之中心部分及邊緣部分之厚度可實質上為相等的。在圖2中，中心部分之厚度由t _b指示，且邊緣部分的厚度由t _a指示。參看圖2，中心部分之厚度與邊緣部分的厚度可為相同的。根據實施例，第一板421之厚度t ₄₂₁(第一板421之邊緣部分的厚度)、第二板423之厚度t ₄₂₂(第二板423之邊緣部分的厚度)及電極板422的厚度t ₄₂₃(電極板422之邊緣部分的厚度)可為相同的。根據實施例，第一板421之中心部分及邊緣部分、第二板423之中心部分及邊緣部分以及電極板422的中心部分及邊緣部分可具有相同厚度。

如圖2中所繪示，使用具有垂直堆疊之三層的頂部電極構件420，與僅設置為單一層的電極構件相比較，由加熱單元500施加的熱可易於遞送至製程腔室110，且可保護頂部電極構件420免受外部環境影響。

根據實施例，電極板422可安置於第二板423的頂部上，且因此受到保護免受電漿蝕刻影響。

圖3至圖6圖示根據本發明概念之另一實施例的頂部電極構件420。

根據圖3至圖6之實施例，第一板421、第二板423及電極板422的材料與參看圖2描述之彼等相同，且因此其任何重複描述將被省略。在圖3至圖6之實施例中，頂部電極構件420可具有與繪示於圖2中之彼等不同的厚度輪廓。

參看圖3至圖6，頂部電極構件420的中心部分之厚度t _b且邊緣部分之厚度t _a經不同地提供。頂部電極構件420的邊緣部分與中心部分之間的此厚度差可由電極板422、第一板421及/或第二板423引起。

根據圖3之實施例，第一板421可具有不均勻厚度，例如，第一板421之中心部分及邊緣部分的厚度可經不同地提供。電極板422及第二板423可具有均勻厚度，且進一步可具有平坦的頂及底表面。第一板421可具有平坦底表面及彎曲(凸起)頂表面。因此，在頂部電極構件420中，中心之厚度t _b可不同於邊緣之厚度t _a，例如中心之厚度t _b大於邊緣的厚度t _a。

根據圖4之實施例，電極板422可具有不均勻厚度，例如，電極板422之中心部分及邊緣部分的厚度可經不同地提供。第一板421及第二板423可具有均勻厚度，而第一板421可具有彎曲的頂及底表面，但第二板423可具有平坦的頂及底表面。電極板422可具有彎曲(凸起)的頂表面及平坦底表面。因此，在頂部電極構件420中，中心之厚度t _b可不同於邊緣之厚度t _a，例如，中心之厚度t _b大於邊緣的厚度t _a。

根據圖5之實施例，第一板421及電極板422可具有不均勻厚度。電極板422之中心部分及邊緣部分的厚度可為不同的，且第一板421之中心部分及邊緣部分的厚度可經不同地設置。第一板421可具有彎曲的頂及底表面，例如凸起的頂及底表面(凸起透鏡形狀)，藉此厚度自中心至邊緣逐漸地降低。電極板422可具有與第一板421之凸起底表面配合的凹入頂表面。第二板423在平坦的頂及底表面下具有均勻厚度。因此，在頂部電極構件420中，中心之厚度t _b可不同於邊緣之厚度t _a，例如，中心之厚度t _b大於邊緣的厚度t _a。

根據圖6之實施例，第二板423可具有不均勻厚度，例如，第二板423之中心部分及邊緣部分的厚度可經不同地提供。第二板423可具有平坦底表面及彎曲(凸起)頂表面，藉此第二板423之厚度可自中心至邊緣逐漸地減低。第一板421及電極板422可具有均勻厚度，而第一板421可具有彎曲的頂及底表面（凸起頂表面及凹入底表面），且電極板422可具有與第一板421之凹入底表面配合的彎曲（凸起）頂表面及與第二板423之凸起頂表面配合的彎曲（凹入）底表面。因此，在頂部電極構件420中，中心之厚度t _b可不同於邊緣之厚度t _a，例如，中心之厚度t _b大於邊緣的厚度t _a。

根據實施例，頂部電極構件420之中心部分的第一厚度及頂部電極構件420之邊緣部分的第二厚度可經不同地設置，且第一厚度與第二厚度之間的差可為第二厚度的500%或以下，或為第一厚度的500%或以下。經由此情形，熱傳遞可在不顯著改變結構情況下經均一地執行。

即，根據圖3至圖6的本發明概念，頂部電極構件420之中心部分及邊緣部分的厚度經不同地設定，藉此相較於圖2之實施例賦予至整個基板的更均一熱傳遞。更具體而言，在圖3至圖6之實施例中，中心部分及邊緣部分的厚度彼此不同，藉此藉由使得熱傳導率在中心部分及邊緣部分處不同而使得熱不均一地傳送至整個基板。此外，藉由使中心部分及邊緣部分的厚度不同，介電常數在中心部分及邊緣部分處可不同，使得電漿可貫穿整個基板經均一地激發。

根據本發明概念，可有可能的是藉由使用圖2的實施例將微波完全傳送至基板而無熱損失。根據實施例，在圖2之實施例的狀況下，當應用微波時，相等熱傳遞對於每一位置可能並非可能的，且因此熱傳遞效率對於基板的每一位置可發生變化。

根據本發明概念，存在如下效應：藉由經由圖3至圖6之實施例使得中心部分及邊緣部分的厚度彼此不同而確保熱傳遞及電漿的不均一性。因此，至頂部電極構件420之底部部分的均一傳遞可被誘發，藉此賦予均一熱傳遞，且因此增大半導體晶片的生產率。

根據本發明概念之頂部電極構件420的結構不限於圖2至圖6的實施例。在圖2至圖6中，圖示設定僅厚度為變數的實施例，但電極板422的位置及材料除了厚度外亦可經不同地設定。此外，在圖2至圖6中，圖示中心部分厚於邊緣部分的實施例，但取決於熱傳遞情形，相較於中心部分可提供較厚邊緣。

本發明概念的效應不限於以上效應，且未提及效應可自說明書及隨附圖式由熟習本發明概念關於的技術者來清楚地理解。

儘管本發明概念之較佳實施例迄今為止已經圖示且描述，但本發明概念並不限於上述特定實施例，且應注意，熟習本發明概念關於的技術者可以各種方式施行本發明概念而不偏離申請專利範圍中主張的本發明概念之本質，且修改不應與本發明概念之技術精神或展望分離地解譯。

10:基板處理設備 100:製程腔室 103:排氣孔 104:開口 110:製程腔室 121:排氣管線 122:泵 130:襯裡單元 158:通孔 200:支撐單元 210:支撐板 220:底部電極構件 240:靜電卡盤 260:環總成 262:聚焦環 264:絕緣環 270:氣體供應管線單元 272:氣體供應源 274:氣體供應管線 282:加熱構件 284:冷卻構件 300:氣體供應單元 310:氣體儲存單元 320:氣體供應管線 322:閥 330:氣體入口埠 400:電漿產生單元 420:頂部電極構件 421:第一板 422:電極板 423:第二板 429:接地 460:高頻率電源 500:加熱單元 t _b:厚度 t _a:厚度 t ₄₂₁:厚度 t ₄₂₂:厚度 t ₄₂₃:厚度

以上及其他目的及特徵參看以下諸圖自以下描述內容將變得顯而易見，其中貫穿各種諸圖，相似參考數字指類似零件，除非以其他方式指定。

圖1示出根據本發明概念之實施例的基板處理設備。

圖2示出根據本發明概念之實施例的頂部電極構件。

圖3至圖6示出根據本發明概念之另一實施例的頂部電極構件。

10:基板處理設備

100:製程腔室

103:排氣孔

104:開口

110:製程腔室

121:排氣管線

122:泵

130:襯裡單元

200:支撐單元

210:支撐板

220:底部電極構件

240:靜電卡盤

260:環總成

262:聚焦環

264:絕緣環

270:氣體供應管線單元

272:氣體供應源

274:氣體供應管線

282:加熱構件

284:冷卻構件

300:氣體供應單元

310:氣體儲存單元

320:氣體供應管線

322:閥

400:電漿產生單元

420:頂部電極構件

429:接地

460:高頻率電源

500:加熱單元

Claims (23)

1. 一種基板處理設備，包含： 腔室，在前述腔室中具有處理空間； 支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及 電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿； 其中前述電漿產生單元包含： 底部電極構件；及 與前述底部電極構件相對的頂部電極構件， 其中前述頂部電極構件包含： 包括電極的電極板； 由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及 第二板， 其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上。
2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中前述頂部電極構件中之中心部分的厚度及邊緣部分的厚度實質上相等。
3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。
4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。
5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由下述中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物及其任何堆疊組合。
6. 如請求項2至5中任一項所述之基板處理設備，其中前述第一板之中心部分及邊緣部分的厚度、前述第二板之中心部分及邊緣區域的厚度、前述電極板之中心部分及邊緣區域的厚度設置為相同的。
7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中前述電極板安置於前述第二板的頂部上。
8. 一種基板處理設備，包含： 腔室，在前述腔室中具有處理空間； 支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及 電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿， 其中前述電漿產生單元包含： 底部電極構件；及 與前述底部電極構件相對的頂部電極構件， 其中前述頂部電極構件包含： 包括電極的電極板； 由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及 第二板， 其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上，且 前述頂部電極構件之中心部分的厚度與前述頂部電極構件之邊緣部分的厚度為不同的。
9. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣部分的厚度為不同的。
10. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣部分的厚度為不同的。
11. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣區域的厚度為不同的，且前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣區域的厚度為不同的。
12. 如請求項8所述之基板處理設備，其中前述第二板之中心部分的厚度與前述第二板之邊緣區域的厚度為不同的。
13. 如請求項8至12中任一項所述之基板處理設備，其中前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。
14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。
15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由下述中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物及其任何堆疊組合。
16. 一種基板處理設備，包含： 腔室，在前述腔室中具有處理空間； 支撐單元，前述支撐單元安置於前述處理空間內且經組態以支撐基板；及 電漿產生單元，前述電漿產生單元經組態以自供應至前述處理空間之處理氣體產生電漿， 其中前述電漿產生單元包含： 底部電極構件；及 與前述底部電極構件相對的頂部電極構件， 其中前述頂部電極構件包含： 包括電極的電極板； 由不同於前述電極板之材料製成的第一板；及 第二板， 其中前述第二板、前述電極板及前述第一板堆疊於彼此上， 前述頂部電極構件之中心部分的第一厚度與前述頂部電極構件之邊緣部分的第二厚度為不同的，且 前述第一厚度與前述第二厚度之間的差為前述第二厚度的500%或以下或者為前述第一厚度的500%或以下。
17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣部分的厚度為不同的。
18. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣部分的厚度為不同的。
19. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述電極板之中心部分的厚度與前述電極板之邊緣區域的厚度為不同的，且 前述第一板之中心部分的厚度與前述第一板之邊緣區域的厚度為不同的。
20. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述第二板之中心部分的厚度與前述第二板之邊緣區域的厚度為不同的。
21. 如請求項16至20中任一項所述之基板處理設備，其中前述電極板、前述第一板及前述第二板經設置為透明材料。
22. 如請求項21所述之基板處理設備，其中前述第一板經設置為石英材料，且前述第二板經設置為抗蝕刻材料。
23. 如請求項22所述之基板處理設備，其中前述電極板為維持透明度的透明電極，且前述透明電極由下述中的至少一者製成：ITO、AZO、FTO、ATO、SnO ₂、ZnO、IrO ₂、RuO ₂、石墨烯、金屬奈米導線、CNT、其任何混合物及其任何堆疊組合。