JPH09330913A - プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置Info
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- JPH09330913A JPH09330913A JP15062596A JP15062596A JPH09330913A JP H09330913 A JPH09330913 A JP H09330913A JP 15062596 A JP15062596 A JP 15062596A JP 15062596 A JP15062596 A JP 15062596A JP H09330913 A JPH09330913 A JP H09330913A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハーの大口径化に伴い、プラズマ処理反
応室が大きくなり、結果としてプラズマ処理における反
応生成物ラジカルのウエハー面内の不均一性が発生す
る。 【解決手段】 本発明のプラズマ発生方法は、プラズマ
処理中に任意の箇所の任意のラジカルをラジカル導入制
御器１８により計測し、不足しているラジカル成分を追
加制御しながら不要な解離を防ぎプラズマを発生するこ
とにより、被エッチング基板１１面内でラジカルの過不
足をなくし、プラズマを均一に保つことができる。
応室が大きくなり、結果としてプラズマ処理における反
応生成物ラジカルのウエハー面内の不均一性が発生す
る。 【解決手段】 本発明のプラズマ発生方法は、プラズマ
処理中に任意の箇所の任意のラジカルをラジカル導入制
御器１８により計測し、不足しているラジカル成分を追
加制御しながら不要な解離を防ぎプラズマを発生するこ
とにより、被エッチング基板１１面内でラジカルの過不
足をなくし、プラズマを均一に保つことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波放電を用い
たプラズマ発生方法に関するものであり、特にプラズマ
中のラジカル量を独自に制御することにより均一なプラ
ズマを発生させるものである。
たプラズマ発生方法に関するものであり、特にプラズマ
中のラジカル量を独自に制御することにより均一なプラ
ズマを発生させるものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波放電を用いたプラズマ発生方法
は、半導体デバイスにおける微細加工のためのドライエ
ッチング、薄膜形成のためのプラズマＣＶＤ等さまざま
な分野で用いられており、加工寸法の微細化や膜質の高
精度な制御のために、高真空高均一プラズマ生成が求め
られている。
は、半導体デバイスにおける微細加工のためのドライエ
ッチング、薄膜形成のためのプラズマＣＶＤ等さまざま
な分野で用いられており、加工寸法の微細化や膜質の高
精度な制御のために、高真空高均一プラズマ生成が求め
られている。
【０００３】昨今のウエハーの大口径化時代において、
１２インチ（３００ｍｍ）ウエハーでの半導体デバイス
での各種検討が盛んになりつつある。上記したウエハー
の大口径化時代では、主にプラズマエッチングにおける
反応生成物ラジカルのウエハー面内の不均一性が、大き
な問題となってきている。それは、以下の理由によるも
のである。
１２インチ（３００ｍｍ）ウエハーでの半導体デバイス
での各種検討が盛んになりつつある。上記したウエハー
の大口径化時代では、主にプラズマエッチングにおける
反応生成物ラジカルのウエハー面内の不均一性が、大き
な問題となってきている。それは、以下の理由によるも
のである。
【０００４】まず第１に、ウエハー周辺付近では、排気
口に近いため反応生成物ラジカルが排気され易いため、
ウエハー周辺部におけるラジカル成分がウエハーの中心
部と比較して少なくなる。
口に近いため反応生成物ラジカルが排気され易いため、
ウエハー周辺部におけるラジカル成分がウエハーの中心
部と比較して少なくなる。
【０００５】第２に、ウエハー中心付近では、反応生成
物ラジカルがウエハー周辺付近を経由して排気されるた
め、ウエハー中心付近で滞留し易くなり、結果としてそ
の成分はウエハー周辺付近に較べて多くなる。
物ラジカルがウエハー周辺付近を経由して排気されるた
め、ウエハー中心付近で滞留し易くなり、結果としてそ
の成分はウエハー周辺付近に較べて多くなる。
【０００６】以上より、プラズマエッチング中に不均一
が発生し、形状制御性及び寸法精度が著しく悪化するも
のである。
が発生し、形状制御性及び寸法精度が著しく悪化するも
のである。
【０００７】上記の問題点に対する改善方法として、被
エッチング基板の存在する方向から排気する方法と、被
エッチング基板の存在する方向と対向する方向から排気
する方法の両方を兼ね備えている装置及び方法が提案さ
れ、反応生成物ラジカルの均一排気が実現できるとされ
ている。しかし、上記の方法では排気口が複数存在する
ため反応室内での反応生成物ラジカルの気流が乱れ、局
所的な不均一箇所が発生する。それが１２インチ系と大
きくなれば、反応生成物ラジカルの不均一が顕著とな
り、排気方法を工夫するというものでは対処できず、ラ
ジカルそのものを制御しなければならないという問題が
ある。
エッチング基板の存在する方向から排気する方法と、被
エッチング基板の存在する方向と対向する方向から排気
する方法の両方を兼ね備えている装置及び方法が提案さ
れ、反応生成物ラジカルの均一排気が実現できるとされ
ている。しかし、上記の方法では排気口が複数存在する
ため反応室内での反応生成物ラジカルの気流が乱れ、局
所的な不均一箇所が発生する。それが１２インチ系と大
きくなれば、反応生成物ラジカルの不均一が顕著とな
り、排気方法を工夫するというものでは対処できず、ラ
ジカルそのものを制御しなければならないという問題が
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って上記のような排
気の仕方に依存する構成では、反応室が大きくなるにつ
れて、プラズマ内のラジカルを均一に維持するのは困難
である。そこで本発明は上記問題点に鑑み、ラジカルガ
スを直接反応室内に導入することにより、排気の均一化
によらず、面内で均一なラジカル状態を有するプラズマ
を、安定に提供することを目的とする。
気の仕方に依存する構成では、反応室が大きくなるにつ
れて、プラズマ内のラジカルを均一に維持するのは困難
である。そこで本発明は上記問題点に鑑み、ラジカルガ
スを直接反応室内に導入することにより、排気の均一化
によらず、面内で均一なラジカル状態を有するプラズマ
を、安定に提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、高周波放電を用いたプラズマ処理におい
て、被処理基板に対向して複数個のラジカル測定器とラ
ジカルガス導入器を設置し、プラズマ処理中に任意のラ
ジカルをレーザ誘起蛍光分光（ＬＩＦ）法や四重極質量
分析（Ｑ−ｍａｓｓ）法もしくは発光分光法等により計
測し、そのラジカル成分を制御しながらプラズマを発生
する構成となっている。また、任意のラジカルが不足し
ている場所に、そのガスを追加供給することができる構
成となっている。またパルス変調プラズマにおいては、
高周波電力が印加されない時間にラジカルガスの追加供
給を行なう構成となっている。
成するために、高周波放電を用いたプラズマ処理におい
て、被処理基板に対向して複数個のラジカル測定器とラ
ジカルガス導入器を設置し、プラズマ処理中に任意のラ
ジカルをレーザ誘起蛍光分光（ＬＩＦ）法や四重極質量
分析（Ｑ−ｍａｓｓ）法もしくは発光分光法等により計
測し、そのラジカル成分を制御しながらプラズマを発生
する構成となっている。また、任意のラジカルが不足し
ている場所に、そのガスを追加供給することができる構
成となっている。またパルス変調プラズマにおいては、
高周波電力が印加されない時間にラジカルガスの追加供
給を行なう構成となっている。
【００１０】本発明は上記した構成によるプラズマ発生
において、排気口に近い等の理由で反応生成物ラジカル
量が局所的に少なくなる領域へ直接ラジカルを追加供給
し制御することによりプラズマを常に均一に保つという
ものである。
において、排気口に近い等の理由で反応生成物ラジカル
量が局所的に少なくなる領域へ直接ラジカルを追加供給
し制御することによりプラズマを常に均一に保つという
ものである。
【００１１】
（実施の形態１）以下では本発明実施の形態１における
プラズマ発生方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施の形態におけるプラズマ発生装置の概
略図を示したものである。
プラズマ発生方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施の形態におけるプラズマ発生装置の概
略図を示したものである。
【００１２】図１において、１１は被エッチング基板、
１２は反応ガス導入口、１３は１．８ＭＨｚの下部高周
波電源、１４は２．０ＭＨｚの上部高周波電源、１５は
反応室、１６はうず巻コイル、１７は反応ガス排気口、
１８はラジカル導入制御器一式を示している。
１２は反応ガス導入口、１３は１．８ＭＨｚの下部高周
波電源、１４は２．０ＭＨｚの上部高周波電源、１５は
反応室、１６はうず巻コイル、１７は反応ガス排気口、
１８はラジカル導入制御器一式を示している。
【００１３】上記のように、被エッチング基板１１の存
在する方向と対向する場所に、複数個（ここでは５個）
のラジカル導入制御器１８を搭載してウエハー面内にお
ける複数箇所のラジカル量を検出し、各々のデータを基
にしてラジカルの導入量を決定することにより、高精度
で高均一なプラズマを得るものである。
在する方向と対向する場所に、複数個（ここでは５個）
のラジカル導入制御器１８を搭載してウエハー面内にお
ける複数箇所のラジカル量を検出し、各々のデータを基
にしてラジカルの導入量を決定することにより、高精度
で高均一なプラズマを得るものである。
【００１４】そこで以下では上記のような系においてプ
ラズマを制御する方法について詳細に説明する。
ラズマを制御する方法について詳細に説明する。
【００１５】まず下記の表に本実施の形態におけるプラ
ズマ発生方法のプラズマ発生条件を示す。
ズマ発生方法のプラズマ発生条件を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】ポリシリコン膜３００ｎｍが堆積された被
エッチング基板に対して、Ｃｌ2プラズマを放電させ
る。放電が安定した後、ＳｉＣｌ4ラジカル量をラジカ
ル導入制御器１８にて検出する。ここで、ラジカル導入
制御器１８の概略図を図２に示す。
エッチング基板に対して、Ｃｌ2プラズマを放電させ
る。放電が安定した後、ＳｉＣｌ4ラジカル量をラジカ
ル導入制御器１８にて検出する。ここで、ラジカル導入
制御器１８の概略図を図２に示す。
【００１８】図２に示すように、まずラジカル検出セン
サ２１及びその検出器を通してＳｉＣｌ4ラジカル量を
把握する。なおここではラジカル検出に四重極質量分析
器（Ｑ−ｍａｓｓ）を採用している。そこでそれを計５
ポイント各々で実施する。そこで得られたラジカル密度
は、ａ点及びｂ点では５ｘ１０11ｃｍ-3、ｃ点では５ｘ
１０12ｃｍ-3、ｄ点では１ｘ１０12ｃｍ-3、ｅ点では２
ｘ１０12ｃｍ-3となった。この情報をラジカル制御器に
とりこみ比較して少ない箇所には、その割合に応じてラ
ジカルガスを流量計を介して導入する。ａ点及びｂ点で
は２ｓｃｃｍ、ｄ点では０．５ｓｃｃｍ、ｅ点では１ｓ
ｃｃｍの量を導入する。ｃ点は供給過多領域であるので
ラジカルガスを導入しない。上記のように、本実施の形
態では、ウエハー面内のラジカルガスの供給を局所的に
制御する。
サ２１及びその検出器を通してＳｉＣｌ4ラジカル量を
把握する。なおここではラジカル検出に四重極質量分析
器（Ｑ−ｍａｓｓ）を採用している。そこでそれを計５
ポイント各々で実施する。そこで得られたラジカル密度
は、ａ点及びｂ点では５ｘ１０11ｃｍ-3、ｃ点では５ｘ
１０12ｃｍ-3、ｄ点では１ｘ１０12ｃｍ-3、ｅ点では２
ｘ１０12ｃｍ-3となった。この情報をラジカル制御器に
とりこみ比較して少ない箇所には、その割合に応じてラ
ジカルガスを流量計を介して導入する。ａ点及びｂ点で
は２ｓｃｃｍ、ｄ点では０．５ｓｃｃｍ、ｅ点では１ｓ
ｃｃｍの量を導入する。ｃ点は供給過多領域であるので
ラジカルガスを導入しない。上記のように、本実施の形
態では、ウエハー面内のラジカルガスの供給を局所的に
制御する。
【００１９】上記の一連の工程を図３に示すように繰り
返し行なうことにより常に均一なラジカル状態が存在す
るプラズマを得ることが可能となる。
返し行なうことにより常に均一なラジカル状態が存在す
るプラズマを得ることが可能となる。
【００２０】なお、上記の例ではラジカル計測に、四重
極質量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）法を用いたが、レーザ誘
起蛍光分光（ＬＩＦ）法や発光分光法を用いても同様の
効果が得られるのは言うまでもない。
極質量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）法を用いたが、レーザ誘
起蛍光分光（ＬＩＦ）法や発光分光法を用いても同様の
効果が得られるのは言うまでもない。
【００２１】（実施の形態２）次に本発明実施の形態２
におけるプラズマ発生方法について図面を参照しながら
説明する。なお、本実施の形態に使用した装置系は上記
した実施の形態１における図１の構成と同様である。
におけるプラズマ発生方法について図面を参照しながら
説明する。なお、本実施の形態に使用した装置系は上記
した実施の形態１における図１の構成と同様である。
【００２２】上記のような系においてプラズマを制御す
る方法を以下に詳細に説明する。まず下記の表に本実施
の形態におけるプラズマ発生方法のプラズマ発生条件を
示す。
る方法を以下に詳細に説明する。まず下記の表に本実施
の形態におけるプラズマ発生方法のプラズマ発生条件を
示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】酸化膜８００ｎｍが堆積された被エッチン
グ基板に対して、Ｃ4Ｆ8／Ｈｅプラズマにより放電させ
る。放電が安定した後、Ｃ2Ｆ4ラジカル量をラジカル導
入制御器１８にて検出する。まずラジカル検出センサ２
１及びその検出器を通してＣ 2Ｆ4ラジカル量を把握す
る。なおラジカル検出にはレーザ誘起蛍光分光（ＬＩ
Ｆ）法の原理を採用している。そこでそれを計５ポイン
ト各々で実施する。そこで得られたラジカル密度は、ａ
点及びｂ点では７ｘ１０11ｃｍ-3、ｃ点では５ｘ１０12
ｃｍ-3、ｄ点では３ｘ１０12ｃｍ-3、ｅ点では４ｘ１０
12ｃｍ-3となった。この情報をラジカル制御器にとりこ
み比較して少ない箇所には、その割合に応じてラジカル
ガスを流量計を介して導入する。
グ基板に対して、Ｃ4Ｆ8／Ｈｅプラズマにより放電させ
る。放電が安定した後、Ｃ2Ｆ4ラジカル量をラジカル導
入制御器１８にて検出する。まずラジカル検出センサ２
１及びその検出器を通してＣ 2Ｆ4ラジカル量を把握す
る。なおラジカル検出にはレーザ誘起蛍光分光（ＬＩ
Ｆ）法の原理を採用している。そこでそれを計５ポイン
ト各々で実施する。そこで得られたラジカル密度は、ａ
点及びｂ点では７ｘ１０11ｃｍ-3、ｃ点では５ｘ１０12
ｃｍ-3、ｄ点では３ｘ１０12ｃｍ-3、ｅ点では４ｘ１０
12ｃｍ-3となった。この情報をラジカル制御器にとりこ
み比較して少ない箇所には、その割合に応じてラジカル
ガスを流量計を介して導入する。
【００２５】この時、ラジカルガスを導入するタイミン
グとしては２通りが考えられる。一つは、図４に示すパ
ルス変調における時刻（Ａ）のタイミングであり、この
時は高周波電源がＯＮしており、もう一つは時刻（Ｂ）
のタイミングであり、この時は高周波電源がＯＦＦして
いる。
グとしては２通りが考えられる。一つは、図４に示すパ
ルス変調における時刻（Ａ）のタイミングであり、この
時は高周波電源がＯＮしており、もう一つは時刻（Ｂ）
のタイミングであり、この時は高周波電源がＯＦＦして
いる。
【００２６】時刻（Ａ）において、Ｃ2Ｆ4ラジカルガス
を導入すると、高周波がＯＮしているためさらに解離が
進みやすくなり、ＣＦ4やＣＦ3等が生成され易く望み通
りのラジカル制御ができない。一方時刻（Ｂ）におい
て、Ｃ2Ｆ4ラジカルガスを導入すると、高周波がＯＦＦ
しているため解離が進むことはなくＣＦ4やＣＦ3等もほ
とんど発生せず、導入したラジカルそのものを望み通り
に制御することができる。
を導入すると、高周波がＯＮしているためさらに解離が
進みやすくなり、ＣＦ4やＣＦ3等が生成され易く望み通
りのラジカル制御ができない。一方時刻（Ｂ）におい
て、Ｃ2Ｆ4ラジカルガスを導入すると、高周波がＯＦＦ
しているため解離が進むことはなくＣＦ4やＣＦ3等もほ
とんど発生せず、導入したラジカルそのものを望み通り
に制御することができる。
【００２７】従って、パルス変調プラズマにおいては、
時刻（Ｂ）でラジカルガスを導入することとする。具体
的には、ａ点及びｂ点では８ｓｃｃｍ、ｄ点では１ｓｃ
ｃｍ、ｅ点では０．５ｓｃｃｍの量を導入する。ｃ点は
供給過多領域であるのでラジカルガスを導入しない。こ
の作業を図３に示す様に繰り返し行なう事により常に均
一なラジカル状態が存在するプラズマを得ようというも
のである。
時刻（Ｂ）でラジカルガスを導入することとする。具体
的には、ａ点及びｂ点では８ｓｃｃｍ、ｄ点では１ｓｃ
ｃｍ、ｅ点では０．５ｓｃｃｍの量を導入する。ｃ点は
供給過多領域であるのでラジカルガスを導入しない。こ
の作業を図３に示す様に繰り返し行なう事により常に均
一なラジカル状態が存在するプラズマを得ようというも
のである。
【００２８】なお、図４における時刻（Ａ）においてラ
ジカルガスを導入しても安定に均一化されるまでには時
間を要するものの、同様の効果が得られることは言うま
でもない。
ジカルガスを導入しても安定に均一化されるまでには時
間を要するものの、同様の効果が得られることは言うま
でもない。
【００２９】また、本実施の形態ではラジカル計測に、
レーザ誘起蛍光分光（ＬＩＦ）法を用いたが、四重極質
量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）法や発光分光法等を用いても
同様の効果が得られるのは言うまでもない。
レーザ誘起蛍光分光（ＬＩＦ）法を用いたが、四重極質
量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）法や発光分光法等を用いても
同様の効果が得られるのは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマ発生方
法は、被処理基板に対向して複数個のラジカル測定器と
ラジカルガス導入器を設置し、プラズマ処理中に任意の
ラジカルを計測し、そのラジカル成分を制御しながらプ
ラズマを発生することにより、ウエハー面内でラジカル
の過不足をなくすことによりプラズマを均一に保つとこ
とができる。そして、本発明は今後の１２インチ化に向
けた大口径化においても大変有用である。
法は、被処理基板に対向して複数個のラジカル測定器と
ラジカルガス導入器を設置し、プラズマ処理中に任意の
ラジカルを計測し、そのラジカル成分を制御しながらプ
ラズマを発生することにより、ウエハー面内でラジカル
の過不足をなくすことによりプラズマを均一に保つとこ
とができる。そして、本発明は今後の１２インチ化に向
けた大口径化においても大変有用である。
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマ発生装置
の概略図
の概略図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマ発生装置
のラジカル導入制御器の概略図
のラジカル導入制御器の概略図
【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマ発生方法
のラジカル制御のフローチャート
のラジカル制御のフローチャート
【図４】パルス変調プラズマにおけるラジカルガス導入
のタイミングを示す図
のタイミングを示す図
１１ 被エッチング基板 １２ 反応ガス導入口 １３ 下部高周波電源 １４ 上部高周波電源 １５ 反応室 １６ うず巻コイル １７ ガス排気口 １８ ラジカルガス導入制御器 ２１ ラジカル検出センサー ２２ ラジカルガス導入口
Claims (4)
- 【請求項１】高周波放電を用いたプラズマ発生方法であ
って、被処理基板面内の複数箇所のラジカルを測定する
工程と、前記測定の結果に基づいてラジカルガスの供給
を局所的に制御する工程とを有するプラズマ発生方法。 - 【請求項２】ラジカルガスの供給を局所的に制御する工
程において、ラジカルが不足している場所に、ラジカル
ガスを追加供給することを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ発生方法。 - 【請求項３】高周波放電をパルス変調により行い、ラジ
カルガスの供給を局所的に制御する工程において、高周
波電力が印加されていない時間にラジカルガスの追加供
給をすることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生
方法。 - 【請求項４】高周波放電を用いたプラズマ発生手段と、
被処理基板に対向して設置された複数個のラジカル測定
手段と、前記ラジカル測定手段による測定結果に基づい
てラジカルガスを局所的に制御して供給する手段とを有
するプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15062596A JPH09330913A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15062596A JPH09330913A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330913A true JPH09330913A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15500958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15062596A Pending JPH09330913A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | プラズマ発生方法及びプラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330913A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
| US8337713B2 (en) | 2003-05-06 | 2012-12-25 | Lam Research Corporation | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor |
| JP2014112697A (ja) * | 2014-01-15 | 2014-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15062596A patent/JPH09330913A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8337713B2 (en) | 2003-05-06 | 2012-12-25 | Lam Research Corporation | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor |
| WO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
| JPWO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
| JP2014112697A (ja) * | 2014-01-15 | 2014-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
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