JP2015095396A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 内部に電極を有する絶縁部材を含む静電チャックを有し、前記静電チャックの上に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
   前記電極に直流電圧の印加を行わない状態で、前記基板を、第１の圧力を有する処理ガスのプラズマによってプラズマ除電しながら、前記基板の裏面に第２の圧力で伝熱ガスを供給する、第１工程、
   を含む、基板処理方法。
2. 前記第１の圧力に対する前記第２の圧力の比の値は、０よりも大きく１．２５以下の範囲内である、
   請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１工程は更に、
   前記電極に、負の直流電圧を印加する工程と、
   前記電極への前記負の直流電圧の印加を停止する工程と、
   を含む、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
4. 前記第１工程の前に、
   前記基板の裏面に前記伝熱ガスを供給しながら、前記電極に正の直流電圧を印加する工程と、
   前記基板の裏面への前記伝熱ガスの供給を停止する工程と、
   前記電極への前記正の直流電圧の印加を停止する工程と、
   前記電極に、前記正の直流電圧を再印加する工程と、
   を含む第２工程を含む、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記第２工程は、複数回繰り返して実施される、
   請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記第１工程と前記第２工程との間に、
   前記電極に、負の直流電圧を印加する工程と、
   前記電極への前記負の直流電圧の印加を停止する工程と、
   を含む、請求項４又は５に記載の基板処理方法。
7. 基板処理装置であって、
   基板を収容する処理容器と、
   前記処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台と、
   前記処理容器内に設けられ、前記載置台と対向する電極板と、
   前記処理容器内に所定のガスを供給するガス供給部と、
   前記載置台又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を印加する高周波電源と、
   前記載置台の上部に設けられ、前記基板の載置面を形成し、内部に電極を有する絶縁部材を含む、静電チャックと、
   前記電極に直流電圧を印加する直流電源と、
   前記基板処理装置の作動を制御する制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、
   前記電極に直流電圧の印加を行わない状態で、前記基板を、第１の圧力を有する処理ガスのプラズマによってプラズマ除電しながら、前記基板の裏面に第２の圧力で伝熱ガスを供給するよう、前記基板処理装置を制御する、
   基板処理装置。