JPH05136095A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPH05136095A JPH05136095A JP32645391A JP32645391A JPH05136095A JP H05136095 A JPH05136095 A JP H05136095A JP 32645391 A JP32645391 A JP 32645391A JP 32645391 A JP32645391 A JP 32645391A JP H05136095 A JPH05136095 A JP H05136095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチングにおける半導体基板の温度
制御の応答性を向上する。 【構成】 半導体基板２９を設置する電極２５への冷媒
供給を行う複数の冷媒槽７，８，９の温度制御を個別に
行なう。
制御の応答性を向上する。 【構成】 半導体基板２９を設置する電極２５への冷媒
供給を行う複数の冷媒槽７，８，９の温度制御を個別に
行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体制御装置に関
し、特にドライエッチング装置において、半導体基板を
設置する電極の温度制御を行う温度制御システムに関す
る。
し、特にドライエッチング装置において、半導体基板を
設置する電極の温度制御を行う温度制御システムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のドライエッチング装置の
温度制御システムを示す図である。図３に示すように、
一次冷却装置１は、一次冷却装置１内の冷媒により配管
４を介して冷媒槽７内の冷媒の温度を信号ケーブル２２
を介してコントローラ２８から送られる設定に従い制御
する。
温度制御システムを示す図である。図３に示すように、
一次冷却装置１は、一次冷却装置１内の冷媒により配管
４を介して冷媒槽７内の冷媒の温度を信号ケーブル２２
を介してコントローラ２８から送られる設定に従い制御
する。
【０００３】冷媒槽７は温度モニター２４を有し、信号
ケーブル２３を介してコントローラ２８にモニタリング
温度を出力する。冷媒槽７内の冷媒はポンプ１３により
配管２６、バルブ１６を介して電極２５内に送りこま
れ、温度モニター２４から信号ケーブル２３を介してコ
ントローラ２８へ出力されたモニタリング温度とコント
ローラ２８の設定温度が一致するように温度を変化さ
せ、配管２７、バルブ１９を介して冷媒槽７に戻る。
ケーブル２３を介してコントローラ２８にモニタリング
温度を出力する。冷媒槽７内の冷媒はポンプ１３により
配管２６、バルブ１６を介して電極２５内に送りこま
れ、温度モニター２４から信号ケーブル２３を介してコ
ントローラ２８へ出力されたモニタリング温度とコント
ローラ２８の設定温度が一致するように温度を変化さ
せ、配管２７、バルブ１９を介して冷媒槽７に戻る。
【０００４】このように従来のこの種のドライエッチン
グ装置の温度制御システムは、冷媒槽７が一つしかな
く、半導体基板２９を設置する電極２５の温度制御は、
一次冷却装置１の温度制御に依存していた。
グ装置の温度制御システムは、冷媒槽７が一つしかな
く、半導体基板２９を設置する電極２５の温度制御は、
一次冷却装置１の温度制御に依存していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置では、一次
冷却装置１の温度制御システムでは、一定温度に保つこ
とについては問題にされてないが、温度変化時の応答性
は悪く、通常常温から０℃まで１０分前後、０℃から−
２０℃までは２０〜３０分程度かかる。
冷却装置１の温度制御システムでは、一定温度に保つこ
とについては問題にされてないが、温度変化時の応答性
は悪く、通常常温から０℃まで１０分前後、０℃から−
２０℃までは２０〜３０分程度かかる。
【０００６】一枚処理型のドライエッチング装置では、
各半導体基板の処理時間は１〜５分程度で、同一半導体
基板において異なるプロセス条件によるエッチングを連
続で行うステップエッチングでは、各ステップエッチン
グ時間はさらに短くなる。このため、各ステップエッチ
ングごとに電極２５の温度を変えたい場合、一次冷却装
置１の温度変化時の応答性が悪く、実用化されていな
い。
各半導体基板の処理時間は１〜５分程度で、同一半導体
基板において異なるプロセス条件によるエッチングを連
続で行うステップエッチングでは、各ステップエッチン
グ時間はさらに短くなる。このため、各ステップエッチ
ングごとに電極２５の温度を変えたい場合、一次冷却装
置１の温度変化時の応答性が悪く、実用化されていな
い。
【０００７】本発明の目的は、電極の温度制御の十分な
応答性が得られるようにしたドライエッチング装置を提
供することにある。
応答性が得られるようにしたドライエッチング装置を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング装置においては、真
空処理室内に導入したプロセスガスを高周波電力の印加
によりプラズマ化し、該プラズマを用いて半導体基板上
の被エッチング物をエッチングするドライエッチング装
置であって、半導体基板を設置する電極への冷媒供給を
行う複数の冷媒槽と、前記各冷媒槽を個別に温度制御す
る温度制御装置とを有するものである。
め、本発明に係るドライエッチング装置においては、真
空処理室内に導入したプロセスガスを高周波電力の印加
によりプラズマ化し、該プラズマを用いて半導体基板上
の被エッチング物をエッチングするドライエッチング装
置であって、半導体基板を設置する電極への冷媒供給を
行う複数の冷媒槽と、前記各冷媒槽を個別に温度制御す
る温度制御装置とを有するものである。
【０００９】
【作用】電極への冷媒供給を行う複数の冷媒槽を設け、
各冷媒槽を個別に温度制御することにより、電極の温度
制御の速応性を向上し、かつ、効率良く基板温度を変化
させる。
各冷媒槽を個別に温度制御することにより、電極の温度
制御の速応性を向上し、かつ、効率良く基板温度を変化
させる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す構成図である。
る。図１は、本発明の一実施例を示す構成図である。
【００１１】図１において、本実施例では、半導体基板
２９を設置する電極２５に冷媒供給を行う複数の冷媒槽
７，８，９を有し、複数の一次冷却装置１，２，３を用
いて各冷媒槽７，８，９を個別に温度制御するようにし
たものである。
２９を設置する電極２５に冷媒供給を行う複数の冷媒槽
７，８，９を有し、複数の一次冷却装置１，２，３を用
いて各冷媒槽７，８，９を個別に温度制御するようにし
たものである。
【００１２】一次冷却装置１は、一次冷却装置１内の冷
媒により配管４を介して冷媒槽７内の冷媒の温度を信号
ケーブル２２を介してコントローラ２８から送られる設
定に従い制御する。冷媒槽７は温度モニター１０を有
し、信号ケーブル２２を介してコントローラ２８にモニ
タリング温度を出力する。冷媒槽７内の冷媒はポンプ１
３により配管２６、バルブ１６を介して電極２５内に送
りこまれ、温度モニター２４から信号ケーブル２３を介
してコントローラ２８へ出力されたモニタリング温度と
コントローラ２８の設定温度が一致するように温度を変
化させ、配管２７、バルブ１９を介して冷媒槽７に戻
る。
媒により配管４を介して冷媒槽７内の冷媒の温度を信号
ケーブル２２を介してコントローラ２８から送られる設
定に従い制御する。冷媒槽７は温度モニター１０を有
し、信号ケーブル２２を介してコントローラ２８にモニ
タリング温度を出力する。冷媒槽７内の冷媒はポンプ１
３により配管２６、バルブ１６を介して電極２５内に送
りこまれ、温度モニター２４から信号ケーブル２３を介
してコントローラ２８へ出力されたモニタリング温度と
コントローラ２８の設定温度が一致するように温度を変
化させ、配管２７、バルブ１９を介して冷媒槽７に戻
る。
【００１３】他の冷媒槽８，９についても、一次冷却装
置２，３を用いて同様に温度制御が行なわれる。ここで
配管５，６、温度モニター１１，１２、ポンプ１４，１
５、バルブ１７，１８，２０，２１は、冷媒槽７のもの
と同様の働きをする。
置２，３を用いて同様に温度制御が行なわれる。ここで
配管５，６、温度モニター１１，１２、ポンプ１４，１
５、バルブ１７，１８，２０，２１は、冷媒槽７のもの
と同様の働きをする。
【００１４】冷媒槽７，８，９内の冷媒は、予めコント
ローラ２８に設定された温度Ａ，Ｂ，Ｃになるように一
次冷却装置１，２，３によって温度制御されている。
ローラ２８に設定された温度Ａ，Ｂ，Ｃになるように一
次冷却装置１，２，３によって温度制御されている。
【００１５】電極２５が温度Ａを必要とした場合、バル
ブ１６，１９が開き、温度Ａに保たれた冷媒槽７内の冷
媒がポンプ１３により電極２５内部に送りこまれる。こ
のとき、バルブ１７，１８，２０，２１は閉じられ、冷
媒槽８，９内の冷媒は電極２５内部には送りこまれな
い。
ブ１６，１９が開き、温度Ａに保たれた冷媒槽７内の冷
媒がポンプ１３により電極２５内部に送りこまれる。こ
のとき、バルブ１７，１８，２０，２１は閉じられ、冷
媒槽８，９内の冷媒は電極２５内部には送りこまれな
い。
【００１６】電極２５が温度Ｂを必要とした場合、バル
ブ１６，１９が瞬時にとじる。同時にバルブ１７，２０
が開き、温度Ｂに保たれた冷媒槽８内の冷媒がポンプ１
４により電極２５内部に送りこまれる。このとき、バル
ブ１８，２１は閉じられ、冷媒槽９内の冷媒は電極２５
内部には送りこまれない。電極２５が温度ＡからＢへ変
化する時間は２〜１０秒である。
ブ１６，１９が瞬時にとじる。同時にバルブ１７，２０
が開き、温度Ｂに保たれた冷媒槽８内の冷媒がポンプ１
４により電極２５内部に送りこまれる。このとき、バル
ブ１８，２１は閉じられ、冷媒槽９内の冷媒は電極２５
内部には送りこまれない。電極２５が温度ＡからＢへ変
化する時間は２〜１０秒である。
【００１７】図２は、本発明の温度制御システムを用い
てエッチングした半導体基板上の酸化膜を示す断面図で
ある。
てエッチングした半導体基板上の酸化膜を示す断面図で
ある。
【００１８】図１において、冷媒槽７，８，９の冷媒を
例えば、−５０℃，−３０℃，０℃に設定する。第１ス
テップエッチングにて冷媒槽７の冷媒を電極２５に送り
こみ、電極２５を−５０℃に保ちエッチングを行う。
例えば、−５０℃，−３０℃，０℃に設定する。第１ス
テップエッチングにて冷媒槽７の冷媒を電極２５に送り
こみ、電極２５を−５０℃に保ちエッチングを行う。
【００１９】同様に、第２ステップエッチングにて−３
０℃、第３ステップエッチングにて０℃でエッチングを
行う。
０℃、第３ステップエッチングにて０℃でエッチングを
行う。
【００２０】その結果、Ｓｉ酸化膜３０の半導体基板３
１の表面に対するエッチング角度を図２のように制御で
きる。第１，第２，第３ステップエッチングによるエッ
チング角度は、それぞれおよそ６０°，８０°，９０°
となる。
１の表面に対するエッチング角度を図２のように制御で
きる。第１，第２，第３ステップエッチングによるエッ
チング角度は、それぞれおよそ６０°，８０°，９０°
となる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板を設置する電極への冷媒供給を行う複数の冷媒槽を有
し、かつ、それぞれの冷媒槽を個別に温度制御する温度
制御装置を有することにより、電極の温度制御の速応性
がよく、効率よく半導体基板温度を変化させることが可
能となるため、同一半導体基板における異なるプロセス
条件によるエッチングを連続で行うステップエッチング
において半導体基板上の被エッチング物の半導体基板面
に対するエッチング角度を任意に制御できるという効果
がある。
板を設置する電極への冷媒供給を行う複数の冷媒槽を有
し、かつ、それぞれの冷媒槽を個別に温度制御する温度
制御装置を有することにより、電極の温度制御の速応性
がよく、効率よく半導体基板温度を変化させることが可
能となるため、同一半導体基板における異なるプロセス
条件によるエッチングを連続で行うステップエッチング
において半導体基板上の被エッチング物の半導体基板面
に対するエッチング角度を任意に制御できるという効果
がある。
【００２２】特に超ＬＳＩのコンタクトホール形成時に
マージンの少ない部位のコンタクトホール形成で大きな
効果を見いだせるものである。
マージンの少ない部位のコンタクトホール形成で大きな
効果を見いだせるものである。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の温度制御システムを用いてエッチング
した半導体基板上の被エッチング物の断面図である。
した半導体基板上の被エッチング物の断面図である。
【図３】従来の温度制御システムを示す構成図である。
１，２，３ 一次冷却装置 ４，５ ６ 配管 ７，８，９ 冷媒槽 １０，１１，１２ 温度モニター １３，１４，１５ ポンプ １６，１７，１８ バルブ １９，２０，２１ バルブ ２２，２３ 信号ケーブル ２４ 温度センサー ２５ 電極 ２６，２７ 配管 ２８ コントローラ ２９ 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 真空処理室内に導入したプロセスガスを
高周波電力の印加によりプラズマ化し、該プラズマを用
いて半導体基板上の被エッチング物をエッチングするド
ライエッチング装置であって、 半導体基板を設置する電極への冷媒供給を行う複数の冷
媒槽と、 前記各冷媒槽を個別に温度制御する温度制御装置とを有
することを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32645391A JPH05136095A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32645391A JPH05136095A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136095A true JPH05136095A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18187984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32645391A Pending JPH05136095A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136095A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522051A (ja) * | 2002-04-02 | 2005-07-21 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| JP2007214171A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理方法 |
| JP2009054653A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Air Liquide Japan Ltd | 熱処理装置およびこれを用いた液化ガス供給装置 |
| JP2010010397A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2013541842A (ja) * | 2010-09-15 | 2013-11-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体製造中にプラズマ成分のフラックス及び蒸着を制御するための方法、並びにそれを実現するための装置 |
| JP2016012593A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
| JP2018120924A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のチャンバ本体の内部のクリーニングを含むプラズマ処理方法 |
| US10580660B2 (en) | 2015-06-26 | 2020-03-03 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etching system and method |
| US10971372B2 (en) | 2015-06-26 | 2021-04-06 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etch with controllable etch selectivity of Si-containing arc or silicon oxynitride to different films or masks |
| KR102489501B1 (ko) * | 2022-01-13 | 2023-01-18 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
| WO2023229163A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP32645391A patent/JPH05136095A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522051A (ja) * | 2002-04-02 | 2005-07-21 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| JP4698951B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2011-06-08 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
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| US10502508B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-12-10 | Tokyo Electron Limited | System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing equipment and stage temperature control method |
| JP2016012593A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
| US10580660B2 (en) | 2015-06-26 | 2020-03-03 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etching system and method |
| US10971372B2 (en) | 2015-06-26 | 2021-04-06 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etch with controllable etch selectivity of Si-containing arc or silicon oxynitride to different films or masks |
| US11380554B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-07-05 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etching system and method |
| US11538691B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etch with controllable etch selectivity of Si-containing arc or silicon oxynitride to different films or masks |
| JP2018120924A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のチャンバ本体の内部のクリーニングを含むプラズマ処理方法 |
| US11342167B2 (en) | 2017-01-24 | 2022-05-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method including cleaning of inside of chamber main body of plasma processing apparatus |
| KR102489501B1 (ko) * | 2022-01-13 | 2023-01-18 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
| WO2023229163A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
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