KR102489501B1 - 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 - Google Patents
반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102489501B1 KR102489501B1 KR1020220064300A KR20220064300A KR102489501B1 KR 102489501 B1 KR102489501 B1 KR 102489501B1 KR 1020220064300 A KR1020220064300 A KR 1020220064300A KR 20220064300 A KR20220064300 A KR 20220064300A KR 102489501 B1 KR102489501 B1 KR 102489501B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- temperature
- manufacturing equipment
- cryogenic
- electrostatic chuck
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 130
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 99
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F25D17/00—Arrangements for circulating cooling fluids; Arrangements for circulating gas, e.g. air, within refrigerated spaces
- F25D17/02—Arrangements for circulating cooling fluids; Arrangements for circulating gas, e.g. air, within refrigerated spaces for circulating liquids, e.g. brine
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
반도체 제조 장비용 온도 조절 장치는 제 1 극저온 냉동기를 통해 냉매 가스를 예냉하는 예냉 탱크, 제 2 극저온 냉동기를 통해 극저온 냉각존을 형성하고, 상기 극저온 냉각존에서 상기 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지하는 극저온 탱크, 상기 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 제 1 배관 및 상기 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 상기 예냉 탱크로 공급하는 제 2 배관을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 포토(Photo) 공정, 식각(Etching) 공정, 세정(Cleaning) 공정 등이 존재한다. 이 중, 식각 공정은 포토 공정 후, 감광막(PR, Photo Resist)이 없는 하부막 부분을 제거해 필요한 패턴만을 남기는 단계로 반도체 제조 공정 중 핵심 공정에 해당한다.
이러한 반도체 제조 공정에서 식각 공정과 관련하여, 선행기술인 한국등록특허 제10-1251072호는 반도체 소자의 식각방법을 개시하고 있다.
최근 반도체 식각 공정에서 선폭 미세화(10nm 이하) 및 고종횡비(100 이상)의 기술이 요구됨에 따라, 기존의 이용 방식으로는 식각면의 중간 부분이 볼록해 지는 보잉(bowing) 현상 등의 문제를 해결하기 어려워졌다.
즉, 종래의 식각 공정은 기존 칠러 방식의 혼합액체 냉매인 R계열의 냉매의 한계(어는 점)때문에 영하 100℃이하에서 수행되기 어려웠다.
그러나 최근에는 영하 100℃이하에서 식각 중 발생하는 부산물(by-product)인 폴리머(Polymer)의 제어가 가능해졌다. 이로 인해, 극저온 식각 공정(Cryogenic etching)이 요구되고 있으며, 건식 식각 공정에서 핵심 부품인 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)을 영하 100℃이하(최대 150℃로 유지시키는 기술 또한 요구되고 있다.
예냉 탱크를 이용하여 제 1 극저온 냉동기를 통해 냉매 가스를 예냉하고, 극저온 탱크를 이용하여 제 2 극저온 냉동기를 통해 극저온 냉각존을 형성하고, 극저온 냉각존에서 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지하는 온도 조절 장치를 제공하고자 한다.
제 1 배관을 이용하여 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하고, 제 2 배관을 이용하여 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 예냉 탱크로 공급하는 온도 조절 장치를 제공하고자 한다.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 제 1 극저온 냉동기를 통해 냉매 가스를 예냉하는 예냉 탱크, 제 2 극저온 냉동기를 통해 극저온 냉각존을 형성하고, 상기 극저온 냉각존에서 상기 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지하는 극저온 탱크, 상기 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 제 1 배관 및 상기 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 상기 예냉 탱크로 공급하는 제 2 배관을 포함하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 제 3 배관을 더 포함하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 가스 공급부 및 상기 가스 공급부로부터 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 제 4 배관을 더 포함하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 1 극저온 냉동기, 상기 제 2 극저온 냉동기 및 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 가스 공급부를 통해 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이상의 온도에서 제 1 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 상기 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 극저온의 액화 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 2 온도에서 상기 제 2 온도 이상의 제 1 온도로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 가스 공급부를 통해 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 정전척 또는 상기 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정 또는 상기 정전척 또는 상기 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 제 1 극저온 냉동기, 상기 제 2 극저온 냉동기를 대기 상태로 동작시키는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 극저온 탱크는 단열 부재로 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제 1 배관은 단열 소재로 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 극저온 탱크는 상기 제 2 극저온 냉동기와 병렬로 접속되어 운전하도록 적어도 둘 이상의 탱크로 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비의 챔버로 공급하는 제 5 배관을 더 포함하고, 상기 제 3 배관은 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비의 정전척에 형성된 냉매 유로로 공급할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 상기 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크로부터 상기 냉매 가스를 상기 제 5 배관을 통해 상기 반도체 제조 장비의 챔버로 공급할 수 있다.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 제 1 극저온 냉동기를 통해 냉매 가스를 예냉하고, 제 2 극저온 냉동기를 통해 형성된 극저온 냉각존에서 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지시켜, 제 1 배관을 통해 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하고, 제 2 배관을 통해 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 예냉 탱크로 공급하여 영하 100℃이하에서도 식각 공정이 수행될 수 있도록 하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다. 극저온 기판의 온도를 영하 100℃이하의 극저온으로 제어하여 반도체 공정 및 공정 장비의 성능을 향상시켜 고사양의 반도체를 제조할 수 있도록 하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 통해 반도체 식각 장비, 극저온용 측정/평가용의 프로브 스테이션(probe station), 기타 공정 장비 중 극저온 영역이 요구되는 분야에 기존 칠러를 대신하여 이용할 수 있도록 하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
적어도 둘 이상의 극저온 탱크가 제 2 극저온 냉동기와 병렬로 접속되도록 구성됨으로써, 정전척의 온도를 낮추고, 기화된 액화 가스가 재액화되는 시간이 부족한 경우 이를 보완할 수 있도록 하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
적어도 둘 이상의 극저온 탱크가 제 2 극저온 냉동기와 병렬로 접속되도록 구성됨으로써, 공정 시간이 길어져 제 1 극저온 탱크의 용량이 부족한 경우 제 2 극저온 탱크를 사용할 수 있도록 하는 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 예냉 탱크에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 도시한 예시적인 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 적어도 둘 이상의 극저온 탱크로 구성된 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치에서 냉매 가스 및 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 예냉 탱크에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 도시한 예시적인 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 적어도 둘 이상의 극저온 탱크로 구성된 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치에서 냉매 가스 및 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.
본 명세서에 있어서 단말 또는 디바이스가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부는 해당 단말 또는 디바이스와 연결된 서버에서 대신 수행될 수도 있다. 이와 마찬가지로, 서버가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부도 해당 서버와 연결된 단말 또는 디바이스에서 수행될 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 온도 조절 장치(100)는 제 1 극저온 냉동기(110), 예냉 탱크(120), 제 2 극저온 냉동기(130), 극저온 탱크(140), 가스 공급부(150), 제 1 배관(160), 제 2 배관(161), 제 3 배관(162) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.
본 발명의 온도 조절 장치(100)는 식각 공정 중 웨이퍼에 전달된 고온의 열이 빠르게 냉각시키도록 하기 위한 것이다. 여기서, 식각 공정은 웨이퍼 상에 반도체 회로를 그려 넣는 포토(Photo) 공정이 끝나면, 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 공정이 요구되며, 이러한 반도체의 구조를 형성하는 회로 패턴을 만드는 공정을 의미한다.
식각 공정은 포토 공정에서 형성된 감광액 부분을 남겨둔 채 나머지 부분을 부식액을 이용하여 벗겨 냄으로써 회로 패턴을 형성할 수 있으며, 식각 공정이 종료되면, 감광액도 제거될 수 있다. 식각 공정은 반도체를 구성하는 여러 층의 얇은 막에 원하는 회로 패턴을 형성하는 과정이 반복될 수 있다.
이러한 식각 공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식(wet)과 건식(dry)으로 분류되며, 최근에는, 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 회로선폭이 미세해짐에 따라, 일반 대기압보다 낮은 압력이 진공 챔버(Chamber)에 가스를 주입한 후, 전기 에너지를 공급하여 플라즈마를 발생시키는 건식 식각 공정의 이용이 확대되고 있다. 이하에서는, 식각 공정 중 온도 조절 장치(100)의 각 부를 통해 웨이퍼에 전달된 고온의 열을 빠르게 냉각시키도록 하는 과정에 대해 설명하도록 한다.
제 1 극저온 냉동기(110) 및 제 2 극저온 냉동기(130)는 수 ~ 수십 K까지 냉각 가능할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는 -70℃, -100℃, -150℃ 등의 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 것이 가능하다. 이에 따라, 반도체 제조 공정에서 식각 공정 시, 기판 또는 정전척의 온도를 영하 100℃이하로 유지시켜, 요구되는 공정 환경을 제공할 수 있다.
예냉 탱크(120)는 제 1 극저온 냉동기(110)를 통해 냉매 가스를 예냉할 수 있다. 여기서, 예냉 탱크(120)는 냉매 가스의 온도의 연속성을 보장하고 후술하는 극저온 탱크(140)와 함께 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 실시간으로 공급하기 위한 것으로서, 극저온 탱크(140)와 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가질 수 있다.
예를 들어, 예냉 탱크(120)의 내부 온도는 극저온 탱크(140)의 온도보다 높을 수 있다. 즉, 제 1 극저온 냉동기(110)는 제 2 극저온 냉동기(130)에 비해 적은 용량을 가지거나 제어부(170)에 제 2 극저온 냉동기(130)보다 높은 온도로 동작하도록 제어될 수 있다.
여기서, 냉매 가스는 예를 들어, 헬륨 가스(He)일 수 있으며, 헬륨 가스는 1기압에서 절대온도 0K에서 고체가 되지 않으므로 냉매로 이용하기에 적합하며, 이상 기체에 가장 근접한 가스로, 친환경적이면서, 반응이 없는 비활성 가스로, 안전성, 무독성, 비가연성의 특징을 갖으며, 냉각 과정에서 생성부산물이 발생되지 않는다는 장점을 갖는다.
극저온 탱크(140)는 제 2 극저온 냉동기(130)를 통해 극저온 냉각존을 형성할 수 있다. 여기서, 극저온 탱크는 복수개로 구성될 수도 있으며, 복수개의 극저온 탱크는 각각의 제 2 극저온 냉동기를 통해 단계별 액화(예를 들어, 1단계 액화, 2단계 액화 등)을 수행할 수 있다.
극저온 탱크(140)는 제 2 극저온 냉동기(130)를 통해 20K 내지 80K의 상압보다 높은 가압 상태인 극저온 냉각존을 형성함으로써, 극저온 냉각존에서 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지하도록 할 수 있다. 이러한 액화 가스를 극저온 상태로 유지시키기 위해, 극저온 탱크(140)는 열전도성이 높은 금속의 단열 부재, 기타 단열재 마감 등으로 형성될 수 있다.
극저온 탱크(140)의 내부는 진공 단열 구조로서 사각기둥, 구, 타원형 형태로 구성될 수 있으며, 내부의 진공 단열 구조는 매시(mesh) 형태로 형성됨에 따라, 촉냉매제 역할을 수행할 수 있다.
극저온 탱크(140)는 압력 게이지를 포함할 수 있다. 극저온 탱크(140)에 포함된 압력 게이지를 통해 극저온 탱크(140)의 내부 가스의 잔량을 확인하도록 할 수 있다.
제 1 배관(160)은 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 1 배관(160)은 고압의 헬륨 액화 가스를 반도체 제조 장비의 정전척에 형성된 냉매 유로 또는 직접 웨이퍼로 공급할 수 있다. 이러한 제 1 배관은 단열 배관(예를 들어, SUS 배관)으로 구성될 수 있다.
제 1 배관(160)은 유체 제어 장치를 포함할 수 있다. 유체 제어 장치는 사용 조건이나 유체의 종류에 따라 유체가 가스인 경우, MFC(Mass Flow Controller)로 공급하고, 유체가 액체인 경우, 크라이오 펌프(Cryo liquid pump)로 공급하도록 유체의 공급을 제어할 수 있다. 이러한 유체 제어 장치는 압력의 변화에 영향을 받지 않고 전기 신호로 전송되는 설정 유량에 따라 유체의 유량을 자동으로 제어하는 역할을 수행하기 위해, 온도 센서와 압력 게이지 등을 포함할 수 있다.
제 2 배관(161)은 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 예냉 탱크(120)로 공급할 수 있다. 이를 통해, 액체 냉매가 정전척에 형성된 냉매 유로와 온도 조절 장치를 순환할 수 있다.
제 3 배관(162)은 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
여기서, 잠시 정전척에 형성된 냉매 유로에 대해 설명하도록 한다. 반도체 제조 공정 중 식각 공정은 고온의 플라즈마를 사용하며, 식각 공정 중 웨이퍼에 전달된 고온의 열은 공정 후 빠르게 냉각됨으로써, 다음의 공정으로 이동하게 한다. 플라즈마에 의해 가열된 고온의 웨이퍼를 신속하고 효과적으로 냉각하는 것은 반도체 제조 공정에 있어 중요한 사항 중 하나이며, 본 발명에서는 정전척의 내부에 형성된 냉매 유로를 통해 저온의 냉매를 순환시키는 방법을 이용하여 고온의 웨이퍼를 냉각시키도록 할 수 있다. 여기서, 정전척에 형성된 냉매 유로에는 냉매 입구 배관 및 냉매 출구 배관이 접속되어 있으며, 냉각 유체(예를 들어, 냉각수 등)가 흐르는 냉매 유로가 형성됨으로써, 정전척을 냉각 시키는 냉각 수단의 기능을 수행할 수 있다.
가스 공급부(150)는 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급부(150)는 챔버와 접속된 제 4 배관(미도시)을 통해 상온의 가스를 챔버로 공급할 수 있다. 여기서, 챔버는 원통 형상을 가지고 있으며, 예를 들어, 알루미늄으로 구성되어 있으며, 내벽면에는 양극 산화 처리가 실시된 것일 수 있다. 챔버는 내부에 있어서 부식성의 상온의 가스에 의해 웨이퍼에 처리를 실시하는 것일 수 있다. 제 4 배관은 챔버에 접속되고, 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관일 수 있다.
제어부(170)는 제 1 극저온 냉동기(110), 제 2 극저온 냉동기(130) 및 가스 공급부(150)를 제어할 수 있다.
일반적으로, 식각 공정은 복수의 처리 공정으로 구분되며, 각 처리 공정는 온도 유지 단계에 해당하며, 웨이퍼가 원하는 온도(소정 온도)로 유지되도록 한다. 그러나 각 처리 공정에서 원하는 온도가 상이하므로, 2개의 연속되는 처리 공정 간에 웨이퍼의 온도를 상승시키는 온도 상승 단계 또는 웨이퍼의 온도를 하강시키는 온도 하강 단계가 요구된다.
각 공정에서 원하는 웨이퍼의 온도는 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스, 극저온 탱크(140)에 저장된 극저온의 액화 가스 및 가스 공급부(150)로부터의 상온의 가스에 의해 제어될 수 있다.
이하에서는, 도 2 내지 도 5를 통해 식각 공정 중 웨이퍼에 전달된 고온의 열이 공정 후 빠르게 냉각시키기 위해, 제 1 극저온 냉동기(110), 제 2 극저온 냉동기(130) 및 가스 공급부(150)를 제어하는 과정에 대해 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 도시한 예시적인 도면이다.
도 2 및 5를 참조하면, 제어부(170)는 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정(P1 공정) 및 기판의 온도를 실온 이상으로 유지하는 공정(P2 공정) 시, 가스 공급부(150)를 통해 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
또는, 제어부(170)는 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정(P5 공정) 시, 가스 공급부(150)를 통해 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 예냉 탱크에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 3 및 5를 참조하면, 제어부(170)는 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이상의 온도에서 제 1 온도로 하강시키는 공정(P3 공정) 및 제 1 온도로 유지하는 공정(P4 공정) 시, 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
또는, 제어부(170)는 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 2 온도에서 제 2 온도 이상의 제 1 온도로 상승시키는 공정(P8 공정) 시, 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 4 및 5를 참조하면, 제어부(170)는 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 상기 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정(P6 공정) 및 제 2 온도로 유지하는 공정(P7 공정) 시, 극저온 탱크(140)에 저장된 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
다시 도 1로 돌아와서, 제어부(170)는 정전척 또는 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정 또는 정전척 또는 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정 시(P5 공정), 제 1 극저온 냉동기(110), 제 2 극저온 냉동기(130)를 대기 상태로 동작시킬 수 있다.
삭제
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 적어도 둘 이상의 극저온 탱크로 구성된 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치에서 냉매 가스 및 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 예시적인 도면이다.
도 6a를 참조하면, 적어도 둘 이상의 극저온 탱크(140)로 구성된 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치의 구성도를 도시한 것으로, 극저온 탱크(140)는 제 2 극저온 냉동기(130)와 병렬로 접속되어 운전하도록 적어도 둘 이상의 극저온 탱크로 구성될 수도 있다. 적어도 둘 이상의 극저온 탱크(140)는 하나의 제 2 극저온 냉동기(130)를 통해 액화를 수행할 수 있다. 여기서, 적어도 둘 이상의 극저온 탱크(140)는 각각의 제 2 극저온 냉동기를 통해 단계별 액화(예를 들어, 1단계 액화, 2단계 액화 등)을 수행할 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.
본 발명은 적어도 둘 이상의 극저온 탱크(140)가 제 2 극저온 냉동기(130)와 병렬로 접속됨으로써, 정전척의 온도를 낮추고 기화된 액화가 재액화되는 시간을 단축시킬 수 있다는 장점을 제공할 수 있다. 또한, 공정 시간이 길어짐에 따라 제 1 극저온 탱크(141)의 용량이 부족해진 경우, 제 2 극저온 탱크(142)를 이용하도록 하여 공정 과정에서 문제가 발생되지 않도록 할 수 있다.
제 1 배관(160)은 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다.
제 2 배관(161)은 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 예냉 탱크(120)로 공급할 수 있다.
제 3 배관(162)은 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비의 정전척에 형성된 냉매 유로로 공급할 수 있다.
제 4 배관(163)은 가스 공급부(150)로부터 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다. 여기서, 제 4 배관(163)은 챔버에 접속되며, 가스 공급부(150)로부터 챔버의 내부까지 연통하여 있는 배관일 수 있다. 예를 들어, 제 4 배관(163)은 가스 공급부(150)로부터 상온의 가스를 반도체 제조 장비로 공급함으로써, 상온에서 웨이퍼가 처리되도록 할 수 있다.
제 5 배관(164)는 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스를 반도체 제조 장비의 챔버로 공급할 수 있다. 이를 위해, 제 5 배관(164)은 제 4 배관(163)과 연결될 수 있으며, 제 5 배관(164)이 제 4 배관(164)과 연결됨으로써, 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스가 제 5 배관(164)을 통해 제 4 배관(163)을 거쳐 반도체 제조 장비의 웨이퍼로 직접 공급하도록 할 수 있다.
즉, 예냉 탱크(120)는 제 3 배관(162) 및 제 5 배관(164)과 각각 연결되나, 제 3 배관(162)을 통해 냉매 가스를 반도체 제조 장비의 정전척에 형성된 냉매 유로로 공급할 수 있으며, 제 5 배관(164)을 통해 예냉 탱크(120)로부터의 냉매 가스를 제 5 배관(164)과 연결된 제 4 배관(163)을 거쳐 반도체 제조 장비의 챔버로 공급함으로써, 챔버 내 웨이퍼로 냉매 가스를 직접 공급하도록 할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 예냉 탱크(120)에 저장된 냉매 가스 및 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 과정을 도시한 것으로, 반도체 제조 장비의 정전척 또는 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정 시, 제어부(170)는 극저온의 액화 가스를 제 1 배관(160)을 통해 반도체 제조 장비로 공급할 수 있다. 이 때, 제어부(170)는 예냉 탱크(120)로부터 냉매 가스를 제 5 배관(164)을 통해 반도체 제조 장비의 챔버로 공급할 수 있다.
이를 통해, 제어부(170)는 예냉 탱크(120)로부터 냉매 가스를 제 5 배관(164)과 연결된 제 4 배관(163)을 거쳐 반도체 제조 장비의 챔버 내 웨이퍼로 직접 공급하도록 할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 온도 조절 장치
110: 제 1 극저온 냉동기
120: 예냉 탱크
130: 제 2 극저온 냉동기
140: 극저온 탱크
150: 가스 공급부
160: 제 1 배관
161: 제 2 배관
162: 제 3 배관
163: 제 4 배관
164: 제 5 배관
170: 제어부
110: 제 1 극저온 냉동기
120: 예냉 탱크
130: 제 2 극저온 냉동기
140: 극저온 탱크
150: 가스 공급부
160: 제 1 배관
161: 제 2 배관
162: 제 3 배관
163: 제 4 배관
164: 제 5 배관
170: 제어부
Claims (15)
- 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치에 있어서,
제 1 극저온 냉동기를 통해 냉매 가스를 예냉하는 예냉 탱크;
제 2 극저온 냉동기를 통해 극저온 냉각존을 형성하고, 상기 극저온 냉각존에서 상기 냉매 가스가 액화된 액화 가스를 극저온으로 유지하는 극저온 탱크;
상기 극저온의 액화 가스를 반도체 제조 장비로 공급하는 제 1 배관; 및
상기 반도체 제조 장비로부터 회수되는 액화 가스를 상기 예냉 탱크로 공급하는 제 2 배관
을 포함하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 제 3 배관
을 더 포함하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 가스 공급부; 및
상기 가스 공급부로부터 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 제 4 배관
을 더 포함하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 극저온 냉동기, 상기 제 2 극저온 냉동기 및 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부
를 더 포함하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 가스 공급부를 통해 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이상의 온도에서 제 1 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 상기 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 극저온의 액화 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 2 온도에서 상기 제 2 온도 이상의 제 1 온도로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 가스 공급부를 통해 상기 상온의 가스를 상기 반도체 제조 장비로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 5 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 정전척 또는 상기 기판의 온도를 실온에서 상승시키는 공정 또는 상기 정전척 또는 상기 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 실온 이상으로 상승시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 제 1 극저온 냉동기, 상기 제 2 극저온 냉동기를 대기 상태로 동작시키는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 극저온 탱크는 단열 부재로 형성하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 배관은 단열 소재로 구성된 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 극저온 탱크는 상기 제 2 극저온 냉동기와 병렬로 접속되어 운전하도록 적어도 둘 이상의 탱크로 구성되는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 13 항에 있어서,
상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비의 챔버로 공급하는 제 5 배관을 더 포함하고,
상기 제 3 배관은 상기 예냉 탱크에 저장된 상기 냉매 가스를 상기 반도체 제조 장비의 정전척에 형성된 냉매 유로로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
- 제 14 항에 있어서,
상기 반도체 제조 장비의 정전척 또는 상기 정전척 상의 기판의 온도를 실온 이하의 제 1 온도에서 상기 제 1 온도 이하의 제 2 온도로 하강시키는 공정 시, 상기 제어부는 상기 예냉 탱크로부터 상기 냉매 가스를 상기 제 5 배관을 통해 상기 반도체 제조 장비의 챔버로 공급하는 것인, 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230004722A KR102654974B1 (ko) | 2022-05-25 | 2023-01-12 | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20220005500 | 2022-01-13 | ||
| KR1020220005500 | 2022-01-13 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230004722A Division KR102654974B1 (ko) | 2022-05-25 | 2023-01-12 | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102489501B1 true KR102489501B1 (ko) | 2023-01-18 |
Family
ID=85106688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220064300A KR102489501B1 (ko) | 2022-01-13 | 2022-05-25 | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102489501B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023229163A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136095A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| KR20130035755A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 한국전력공사 | 초전도 케이블 냉각을 위한 감압 냉동 시스템 및 그를 이용한 냉각 방법 |
| JP2015227775A (ja) * | 2010-05-12 | 2015-12-17 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 極低温冷却のためのシステム |
| KR101756181B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-07-26 | 하이리움산업(주) | 극저온 냉동기를 이용한 소용량 수소 액화시스템 |
-
2022
- 2022-05-25 KR KR1020220064300A patent/KR102489501B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136095A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JP2015227775A (ja) * | 2010-05-12 | 2015-12-17 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 極低温冷却のためのシステム |
| KR20130035755A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 한국전력공사 | 초전도 케이블 냉각을 위한 감압 냉동 시스템 및 그를 이용한 냉각 방법 |
| KR101756181B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-07-26 | 하이리움산업(주) | 극저온 냉동기를 이용한 소용량 수소 액화시스템 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023229163A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 크라이오에이치앤아이(주) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102489501B1 (ko) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 | |
| JP6839624B2 (ja) | 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法 | |
| JP3610275B2 (ja) | 半導体製造工程設備用熱電冷却温度調節装置 | |
| CN100382276C (zh) | 基板载放台、基板处理装置以及基板处理方法 | |
| KR101088254B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| TW201519359A (zh) | 可調溫度控制靜電夾組件 | |
| US6684652B2 (en) | Method of and an apparatus for regulating the temperature of an electrostatic chuck | |
| TW201442111A (zh) | 矽之乾式蝕刻方法 | |
| KR20210105820A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102654974B1 (ko) | 반도체 제조 장비용 온도 조절 장치 | |
| US20220005711A1 (en) | Systems for processing one or more semiconductor devices, and related methods | |
| CN103579080B (zh) | 在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的方法和装置 | |
| US20220139671A1 (en) | Cooling for a plasma-based reactor | |
| WO2020160079A1 (en) | Cooling system for processing chamber | |
| US8465593B2 (en) | Substrate processing apparatus and gas supply method | |
| JPH05136095A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| KR20190078791A (ko) | 반도체의 테스트 온도 편차를 개선하기 위한 반도체 테스트용 냉각 시스템 | |
| JP3167493B2 (ja) | 圧力制御装置 | |
| US20230352276A1 (en) | Low temperature manifold assembly for substrate processing systems | |
| US10126359B2 (en) | Free piston stirling cooler temperature control system for semiconductor test | |
| US20240071732A1 (en) | Edge ring, dry etching apparatus having the same, and operation method of etching apparatus | |
| CN218495402U (zh) | 制冷设备 | |
| US20240130082A1 (en) | Methods and apparatus for cooling a substrate support | |
| WO2024022501A1 (zh) | 制冷设备及其制冷方法 | |
| JP2022174870A (ja) | 多元冷凍サイクル装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| GRNT | Written decision to grant |