JP2007258426A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、
   フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ_２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記酸化ケイ素膜および前記窒化ケイ素膜をエッチングする工程を含み、
   前記フルオロカーボンガスの流量を２０〜４０ｍＬ／ｍｉｎに制御し、
   前記Ｏ _２ ガスの流量を６〜１５ｍＬ／ｍｉｎに制御する、プラズマエッチング方法。
2. プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ_２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記窒化ケイ素膜、前記酸化ケイ素膜および前記シリコン層を一括してエッチングするプラズマエッチング方法であって、
   前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の処理圧力に対し、前記シリコン層をエッチングする際の処理圧力を低下させ、
   前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量に対し、前記シリコン層をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量を低下させる、プラズマエッチング方法。
3. 前記フルオロカーボンガスが、ＣＦ_４ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_３Ｆ_８ガスまたはＣ_４Ｆ_８ガスである、請求項１または請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
4. 前記ハイドロフルオロカーボンガスが、ＣＨＦ_３ガス、ＣＨ_２Ｆ_２ガスまたはＣＨ_３Ｆガスである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
5. 前記フルオロカーボンガスの流量が１０〜５０ｍＬ／ｍｉｎである、請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
6. 前記Ｏ_２ガスの流量が１〜３０ｍＬ／ｍｉｎである、請求項２から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
7. 前記ハイドロフルオロカーボンガスと前記希ガスとの流量比（ハイドロフルオロカーボンガス流量／希ガス流量）が０．０１９〜０．１７３である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
8. 処理圧力が８〜１２Ｐａである、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
9. 前記フルオロカーボンガスまたはＯ_２ガスの流量により、前記パターンが疎な部位と密な部位におけるエッチング後の臨界寸法を制御する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
10. 前記フルオロカーボンガスの流量により、被処理体の面内におけるエッチング後の臨界寸法を制御する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
11. 前記シリコン層は、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンを主成分とするものである、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
12. コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御する、制御プログラム。
13. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
14. 被処理体に対しプラズマエッチング処理を行なうための処理室と、
    前記処理室内で被処理体を載置する支持体と、
    前記処理室内を減圧するための排気手段と、
    前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、
    前記処理室内で請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように制御する制御部と、
    を備えた、プラズマ処理装置。