JP2007528610A5

JP2007528610A5 -

Info

Publication number: JP2007528610A5
Application number: JP2007502898A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2008-10-02

Claims

基板の上で、無機誘電体層とフォトレジストマスクとの間にＡＲＣ層を配した状態で、前記フォトレジストマスクを通して前記無機誘電体層をエッチングするための方法であって、
前記基板を処理室の中に置き、
前記処理室の中に、エッチャントガスと、ＣＯおよびＣＨ3Ｆを含む重合ガスとを含むＡＲＣ開口用混合ガスを供給し、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスからＡＲＣ開口用プラズマを形成し、
前記ＡＲＣ層が開口されるまで、前記ＡＲＣ開口用プラズマで前記ＡＲＣ層をエッチングし、
前記エッチング対象層が完全にエッチングされる前に、前記ＡＲＣ開口用混合ガスを停止させ、
前記無機誘電体層をエッチングする
方法。
請求項１に記載の方法であって、
ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層に対する選択性よりも高い選択性で前記ＡＲＣをエッチングする、方法。
請求項１または２のいずれかに記載の方法であって、
前記ＣＯの流量は、少なくとも１５０ｓｃｃｍである、方法。
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスは、更に、Ｏ2であるエッチング速度増進剤を含む、方法。
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、誘電体層であり、前記エッチャントガスは、Ｎ2およびＨ2の混合物と、ＣＨ4との少なくとも一方を含む、方法。
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記スタックの上にフォトレジストマスクを用意する方法。
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクは、１９３以上の生成フォトレジストで形成される、方法。
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ層は、有機材料で形成される、方法。
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ層は、有機材料で形成され、前記フォトレジストマスクは、１９３以上の生成フォトレジストで形成される、方法。
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層に対する場合と比べて５０：１を超える選択性で前記ＡＲＣをエッチングする、方法。
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、シリコン酸化物である、方法。
請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層をエッチングしない、方法。
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法で形成された半導体素子。
請求項１ないし１２のいずれかの方法を実施するための、コンピュータ可読媒体を伴う装置。
半導体素子を形成するための方法であって、
無機誘電体層を基板の上に置き、
前記無機誘電体層の上に有機ＡＲＣ層を形成し、
前記ＡＲＣ層の上にフォトレジストマスクを形成し、
前記基板を前記処理室の中に置き、
前記処理室の中に、エッチャントガスと、ＣＯおよびＣＨ3Ｆを含む重合ガスとを含むＡＲＣ開口用混合ガスを供給し、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスからＡＲＣ開口用プラズマを形成し、
前記ＡＲＣ層が開口されるまで、前記ＡＲＣ開口用プラズマで前記ＡＲＣ層をエッチングし、
前記無機誘電体層が前記ＡＲＣ開口用プラズマでエッチングされないように、前記ＡＲＣ開口用混合ガスの供給を停止し、
前記ＡＲＣ開口用プラズマと異なるエッチング用プラズマを供給し、
前記無機誘電体層を前記エッチング用プラズマでエッチングする
方法。
請求項１５に記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスは、更に、Ｏ2であるエッチング速度増進剤を含む、方法。
請求項１５または１６のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、誘電体層であり、前記ＡＲＣの開口を可能にするための前記エッチャントガスは、Ｎ2およびＨ2の混合と、ＣＨ4とのうち少なくとも一方を含む、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記基板は、２７ＭＨｚで０〜１０００Ｗ、２ＭＨｚで１００〜１０００Ｗの電力を供給する下部電極上に配置される、方法。
請求項１８に記載の方法であって、前記処理室内の温度は−２０℃〜４０℃の間である方法。
請求項１または１５に記載の方法であって、前記無機誘電体層はシリコン酸化物層である、方法。
請求項１または１５に記載の方法はさらに、
前記処理室内の圧力を２００〜３００ｍTorrの間に設定することを備える、方法。