JP3000717B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
オーバーエッチング時の過剰ラジカルの影響による対下
地選択性と異方性の劣化を防止する方法に関する。
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
オーバーエッチング時の過剰ラジカルの影響による対下
地選択性と異方性の劣化を防止する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように半導体装置のデザイン・ルールが高度に微細化さ
れるに伴い、ドライエッチングの分野においても対下地
選択性の高い条件で被エッチング材料層をエッチングす
ることが極めて重要な技術となっている。たとえば、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴのゲート電極加工においては、酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）からなる薄いゲート絶縁膜に対して高選
択比がとれる条件で多結晶シリコン層やポリサイド膜等
のシリコン（Ｓｉ）系材料層をエッチングすることが必
要となる。また、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合等には、シリコン基板や多結
晶シリコン層等のＳｉ系材料層に対して高選択比がとれ
る条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜をエッチングすることが必
要となる。しかし、ドライエッチングにおいて対下地選
択性，異方性，エッチング速度，低汚染性，低ダメージ
性等の諸条件は相互にトレード・オフの関係にあるた
め、実際のプロセスではこれらの条件を実用レベルで許
容できる範囲に適宜調整しながらエッチングを行ってい
るのが実情である。
ように半導体装置のデザイン・ルールが高度に微細化さ
れるに伴い、ドライエッチングの分野においても対下地
選択性の高い条件で被エッチング材料層をエッチングす
ることが極めて重要な技術となっている。たとえば、Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴのゲート電極加工においては、酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）からなる薄いゲート絶縁膜に対して高選
択比がとれる条件で多結晶シリコン層やポリサイド膜等
のシリコン（Ｓｉ）系材料層をエッチングすることが必
要となる。また、半導体基板内に形成された不純物拡散
領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭ
ＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタク
トを形成しようとする場合等には、シリコン基板や多結
晶シリコン層等のＳｉ系材料層に対して高選択比がとれ
る条件でＳｉＯ2 層間絶縁膜をエッチングすることが必
要となる。しかし、ドライエッチングにおいて対下地選
択性，異方性，エッチング速度，低汚染性，低ダメージ
性等の諸条件は相互にトレード・オフの関係にあるた
め、実際のプロセスではこれらの条件を実用レベルで許
容できる範囲に適宜調整しながらエッチングを行ってい
るのが実情である。
【０００３】従来、単結晶シリコン，多結晶シリコン，
高融点金属シリサイド，ポリサイド等のＳｉ系材料層の
エッチングには、フロン１１３（Ｃ2 Ｃｌ3 Ｆ3 ）等に
代表されるフロン（クロロフルオロカーボン）系ガス、
あるいは高速化を図るためにこれにＳＦ6 等を添加した
混合ガス等がエッチング・ガスとして広く用いられてき
た。フロン系ガスは１分子内にＦとＣｌとを構成元素と
して有するため、ラジカル反応とイオン・アシスト反応
の両方の寄与によるエッチングが可能であり、かつ気相
中から堆積する炭素系ポリマーで側壁保護を行いながら
高異方性を達成することができるからである。
高融点金属シリサイド，ポリサイド等のＳｉ系材料層の
エッチングには、フロン１１３（Ｃ2 Ｃｌ3 Ｆ3 ）等に
代表されるフロン（クロロフルオロカーボン）系ガス、
あるいは高速化を図るためにこれにＳＦ6 等を添加した
混合ガス等がエッチング・ガスとして広く用いられてき
た。フロン系ガスは１分子内にＦとＣｌとを構成元素と
して有するため、ラジカル反応とイオン・アシスト反応
の両方の寄与によるエッチングが可能であり、かつ気相
中から堆積する炭素系ポリマーで側壁保護を行いながら
高異方性を達成することができるからである。
【０００４】一方、ＳｉＯ2 系材料層のエッチング・ガ
スとしては、ＣＨＦ3 ガス、ＣＦ4/Ｈ2 混合ガス、Ｃ2
Ｆ6 ／ＣＨＦ3 混合ガス、Ｃ3 Ｆ8等が代表的なもので
ある。これらのガス系に共通する作用は、（ａ）ガス系
に含まれるＣがＳｉＯ2 層の表面でＣ−Ｏを結合を生成
し、Ｓｉ−Ｏ結合を切断したり弱めたりする働きがあ
る、（ｂ）ＳｉＯ2 のエッチング種であるＣＦx + を生
成する、さらに（ｃ）プラズマ中で相対的に炭素に富む
状態が作り出されるので、ＳｉＯ2 中の酸素がＣＯまた
はＣＯ2 の形で除去される一方、Ｓｉ上では炭素系ポリ
マーが堆積してエッチング速度が低下し、Ｓｉに対する
高選択比が得られること等である。
スとしては、ＣＨＦ3 ガス、ＣＦ4/Ｈ2 混合ガス、Ｃ2
Ｆ6 ／ＣＨＦ3 混合ガス、Ｃ3 Ｆ8等が代表的なもので
ある。これらのガス系に共通する作用は、（ａ）ガス系
に含まれるＣがＳｉＯ2 層の表面でＣ−Ｏを結合を生成
し、Ｓｉ−Ｏ結合を切断したり弱めたりする働きがあ
る、（ｂ）ＳｉＯ2 のエッチング種であるＣＦx + を生
成する、さらに（ｃ）プラズマ中で相対的に炭素に富む
状態が作り出されるので、ＳｉＯ2 中の酸素がＣＯまた
はＣＯ2 の形で除去される一方、Ｓｉ上では炭素系ポリ
マーが堆積してエッチング速度が低下し、Ｓｉに対する
高選択比が得られること等である。
【０００５】しかしながら、Ｓｉ系材料層の代表的なエ
ッチング・ガスであるフロン系ガスは、周知のように地
球のオゾン層破壊の元凶であることが指摘されており、
近い将来に製造および使用が禁止される運びである。し
たがって、ドライエッチングの分野においても、これら
の堆積性カーボン系ガスの代替品となり得るエッチング
ガス、およびその使用技術の開発が急務とされている。
また、異方性を達成するために堆積性カーボン系ガスを
使用するプロセスでは、半導体装置のデザイン・ルール
が今後さらに微細化されると、気相中から堆積する炭素
ポリマーがパーティクル汚染源となることも考えられ
る。たとえば、フロン１１３／ＳＦ6 混合ガスによるＳ
ｉ系材料層のエッチングでは、過剰ラジカルによる異方
性形状の劣化や対下地選択性の低下を防ぐためにオーバ
ーエッチング時にフロン１１３の流量比を高めることが
行われてきた。しかし、このように堆積性ガスの使用量
をプロセスの途中で増やすことは、パーティクル汚染の
増大を招く。また、ガスの組成をプロセスの途中で変更
すると、放電条件の安定化に時間を要し、制御性やスル
ープットを低下させる原因ともなる。
ッチング・ガスであるフロン系ガスは、周知のように地
球のオゾン層破壊の元凶であることが指摘されており、
近い将来に製造および使用が禁止される運びである。し
たがって、ドライエッチングの分野においても、これら
の堆積性カーボン系ガスの代替品となり得るエッチング
ガス、およびその使用技術の開発が急務とされている。
また、異方性を達成するために堆積性カーボン系ガスを
使用するプロセスでは、半導体装置のデザイン・ルール
が今後さらに微細化されると、気相中から堆積する炭素
ポリマーがパーティクル汚染源となることも考えられ
る。たとえば、フロン１１３／ＳＦ6 混合ガスによるＳ
ｉ系材料層のエッチングでは、過剰ラジカルによる異方
性形状の劣化や対下地選択性の低下を防ぐためにオーバ
ーエッチング時にフロン１１３の流量比を高めることが
行われてきた。しかし、このように堆積性ガスの使用量
をプロセスの途中で増やすことは、パーティクル汚染の
増大を招く。また、ガスの組成をプロセスの途中で変更
すると、放電条件の安定化に時間を要し、制御性やスル
ープットを低下させる原因ともなる。
【０００６】本願出願人は、かかる問題を解決するため
の種々の技術をこれまでに提案しているが、これらの技
術には大別すると、堆積性カーボン系ガスを使用せず炭
素系ポリマー以外の側壁保護物質を使用するアプローチ
と、炭素系ポリマーの生成効率を高めて堆積性カーボン
系ガスの使用量を極力減らすアプローチとがある。
の種々の技術をこれまでに提案しているが、これらの技
術には大別すると、堆積性カーボン系ガスを使用せず炭
素系ポリマー以外の側壁保護物質を使用するアプローチ
と、炭素系ポリマーの生成効率を高めて堆積性カーボン
系ガスの使用量を極力減らすアプローチとがある。
【０００７】前者の炭素系ポリマー以外の側壁保護物質
を使用するアプローチとしては、イオウ（Ｓ）の堆積に
より側壁保護を行う一連の技術を数多く提案している。
このＳの堆積は、１分子中のハロゲン（Ｘ）原子数とＳ
原子数との比、すなわちＸ／Ｓ比が比較的小さいハロゲ
ン化イオウを主体とするエッチング・ガスを使用するこ
とにより可能となる。たとえば、特願平２−１９８０４
５号明細書には、かかるハロゲン化イオウとしてＳ2 Ｆ
2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10を開示した。これらのフ
ッ化イオウは、同じくフッ化イオウでも従来から最も良
く知られているＳＦ6 とは異なり、放電解離により気相
中にＳを生成することができる。このＳは、基板が低温
冷却されていればその表面へ堆積し、側壁保護効果を発
揮する。しかも、堆積したＳはエッチング終了後に基板
を加熱すれば容易に昇華除去できるため、パーティクル
汚染を惹起させる虞れもない。本願出願人は、これらフ
ッ化イオウからのＦ* （フッ素ラジカル）生成量がＳＦ
6 と比べて少なく、しかもＳＦx + によるイオン・アシ
スト反応が期待できる点に着目し、これを酸化シリコン
系材料層のエッチングに適用してシリコン下地に対する
高選択性を達成した。
を使用するアプローチとしては、イオウ（Ｓ）の堆積に
より側壁保護を行う一連の技術を数多く提案している。
このＳの堆積は、１分子中のハロゲン（Ｘ）原子数とＳ
原子数との比、すなわちＸ／Ｓ比が比較的小さいハロゲ
ン化イオウを主体とするエッチング・ガスを使用するこ
とにより可能となる。たとえば、特願平２−１９８０４
５号明細書には、かかるハロゲン化イオウとしてＳ2 Ｆ
2 ，ＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ2 Ｆ10を開示した。これらのフ
ッ化イオウは、同じくフッ化イオウでも従来から最も良
く知られているＳＦ6 とは異なり、放電解離により気相
中にＳを生成することができる。このＳは、基板が低温
冷却されていればその表面へ堆積し、側壁保護効果を発
揮する。しかも、堆積したＳはエッチング終了後に基板
を加熱すれば容易に昇華除去できるため、パーティクル
汚染を惹起させる虞れもない。本願出願人は、これらフ
ッ化イオウからのＦ* （フッ素ラジカル）生成量がＳＦ
6 と比べて少なく、しかもＳＦx + によるイオン・アシ
スト反応が期待できる点に着目し、これを酸化シリコン
系材料層のエッチングに適用してシリコン下地に対する
高選択性を達成した。
【０００８】このように、ハロゲン化イオウとして最初
に提案された化合物はＦ／Ｓ比の比較的小さいフッ化イ
オウであり、それはＳｉＯ2 系材料層のエッチングを目
的としていた。本願出願人はその後、ハロゲン化イオウ
をＳｉ系材料層のエッチングに適用する技術も種々提案
している。たとえば、特願平２−１９９２４９号明細書
では、被エッチング基板を０℃以下に冷却した状態でＳ
2 Ｃｌ2 等の塩化イオウもしくはＳ2 Ｂｒ2 等の臭化イ
オウを含むガスを使用してＳｉ系材料を低温エッチング
する技術を開示している。これは、反応性の高いＦ* を
発生し得ないガスを使用することにより、ラジカルの影
響を低減し、より有利に高異方性を達成しようとしたも
のである。
に提案された化合物はＦ／Ｓ比の比較的小さいフッ化イ
オウであり、それはＳｉＯ2 系材料層のエッチングを目
的としていた。本願出願人はその後、ハロゲン化イオウ
をＳｉ系材料層のエッチングに適用する技術も種々提案
している。たとえば、特願平２−１９９２４９号明細書
では、被エッチング基板を０℃以下に冷却した状態でＳ
2 Ｃｌ2 等の塩化イオウもしくはＳ2 Ｂｒ2 等の臭化イ
オウを含むガスを使用してＳｉ系材料を低温エッチング
する技術を開示している。これは、反応性の高いＦ* を
発生し得ないガスを使用することにより、ラジカルの影
響を低減し、より有利に高異方性を達成しようとしたも
のである。
【０００９】さらに、エッチング・ガス系にラジカルを
消費し得るようなＨやＳｉを共存させることにより、フ
ッ化イオウをＳｉ系材料層のエッチングにも適用可能と
した技術もある。たとえば、特願平３−２０３６０号明
細書には、Ｓ2 Ｆ2 等のフッ化イオウやＳ2 Ｃｌ2 等の
塩化イオウにＨ2 ，Ｈ2 Ｓ，シラン等のガスを添加し、
過剰なＦ* ，Ｃｌ* 等のラジカルをＨＦ，ＨＣｌ，Ｓｉ
Ｆx ，ＳｉＣｌx 等の形で系外へ除去する技術を提案し
ている。
消費し得るようなＨやＳｉを共存させることにより、フ
ッ化イオウをＳｉ系材料層のエッチングにも適用可能と
した技術もある。たとえば、特願平３−２０３６０号明
細書には、Ｓ2 Ｆ2 等のフッ化イオウやＳ2 Ｃｌ2 等の
塩化イオウにＨ2 ，Ｈ2 Ｓ，シラン等のガスを添加し、
過剰なＦ* ，Ｃｌ* 等のラジカルをＨＦ，ＨＣｌ，Ｓｉ
Ｆx ，ＳｉＣｌx 等の形で系外へ除去する技術を提案し
ている。
【００１０】また、後者の堆積性カーボン系ガスの使用
量を極力減らすアプローチとしては、炭素性ポリマーの
生成効率に優れる高次フルオロカーボン系ガスを使用し
てＳｉＯ2 系材料層をエッチングする技術を提案してい
る。たとえば、特願平２−２９５２２５号明細書では鎖
状の高次不飽和フルオロカーボン系ガスを、また特願平
３−４０９９６号明細書では環状の飽和または不飽和フ
ルオロカーボン系ガスを提案している。これらのフルオ
ロカーボン系ガスは、１分子から２個以上のＣＦx + を
生成して高速エッチングに寄与する他、プラズマ中にお
ける炭素骨格の切断により重合に有利な化学種を生成す
るので効率良い炭素系ポリマーの生成を可能とするので
ある。
量を極力減らすアプローチとしては、炭素性ポリマーの
生成効率に優れる高次フルオロカーボン系ガスを使用し
てＳｉＯ2 系材料層をエッチングする技術を提案してい
る。たとえば、特願平２−２９５２２５号明細書では鎖
状の高次不飽和フルオロカーボン系ガスを、また特願平
３−４０９９６号明細書では環状の飽和または不飽和フ
ルオロカーボン系ガスを提案している。これらのフルオ
ロカーボン系ガスは、１分子から２個以上のＣＦx + を
生成して高速エッチングに寄与する他、プラズマ中にお
ける炭素骨格の切断により重合に有利な化学種を生成す
るので効率良い炭素系ポリマーの生成を可能とするので
ある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、本願出
願人がこれまでに提案した各種の技術によれば、クリー
ンなエッチングを実現する観点からは従来技術に比べて
格段に優れた成果が得られた。しかし、オーバーエッチ
ング時において充分に高い対下地選択性を向上させるた
めには、より一層の工夫が必要であることが判明してき
た。たとえば、上述のＳ2 Ｆ2 をＳｉ系材料層のエッチ
ング・ガスとしてゲート電極加工を行おうとする場合、
極めて反応性に富むＦ* が主エッチング種となっている
ので、ＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜に対してオーバー
エッチング時にも高選択性を維持することは困難であ
る。これは、原子間結合エネルギーの値がＳｉ−Ｏ結合
では１１１ｋｃａｌ／ｍｏｌであるのに対し、Ｓｉ−Ｆ
結合では１３２ｋｃａｌ／ｍｏｌと大きいことからも理
解される。
願人がこれまでに提案した各種の技術によれば、クリー
ンなエッチングを実現する観点からは従来技術に比べて
格段に優れた成果が得られた。しかし、オーバーエッチ
ング時において充分に高い対下地選択性を向上させるた
めには、より一層の工夫が必要であることが判明してき
た。たとえば、上述のＳ2 Ｆ2 をＳｉ系材料層のエッチ
ング・ガスとしてゲート電極加工を行おうとする場合、
極めて反応性に富むＦ* が主エッチング種となっている
ので、ＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜に対してオーバー
エッチング時にも高選択性を維持することは困難であ
る。これは、原子間結合エネルギーの値がＳｉ−Ｏ結合
では１１１ｋｃａｌ／ｍｏｌであるのに対し、Ｓｉ−Ｆ
結合では１３２ｋｃａｌ／ｍｏｌと大きいことからも理
解される。
【００１２】Ｓｉ系材料層を下地としてＳｉＯ2 系材料
層のエッチングを行う場合には、対下地選択性の確保は
より逼迫した問題となる。それは、Ｓｉ−Ｓｉ結合の原
子間結合エネルギーの値が５４ｋｃａｌ／ｍｏｌであ
り、Ｓｉ−Ｆ結合やＳｉ−Ｃｌ結合（９６ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ）のそれより遙かに小さいからである。つまり、Ｓ
ｉ系材料層は、イオン照射が無くても自発的にエッチン
グされてしまうほど、Ｆ* やＣｌ* の攻撃を受け易いの
である。
層のエッチングを行う場合には、対下地選択性の確保は
より逼迫した問題となる。それは、Ｓｉ−Ｓｉ結合の原
子間結合エネルギーの値が５４ｋｃａｌ／ｍｏｌであ
り、Ｓｉ−Ｆ結合やＳｉ−Ｃｌ結合（９６ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌ）のそれより遙かに小さいからである。つまり、Ｓ
ｉ系材料層は、イオン照射が無くても自発的にエッチン
グされてしまうほど、Ｆ* やＣｌ* の攻撃を受け易いの
である。
【００１３】また、オーバーエッチング時の過剰なラジ
カルは、対下地選択性の低下のみならず、パターンの異
方性形状を劣化させる原因となる。オーバーエッチング
時には被エッチング材料層の面積が大幅に減少するの
で、結合の相手を失ったラジカルが被エッチング基板
（ウェハ）の表面で側方マイグレーションを起こし、形
成されたパターンの側壁部を攻撃して異方性形状を劣化
させる。特に、ポリサイド膜のようにエッチング特性の
異なる２種類の材料層が積層されている場合、下層側の
多結晶シリコン層のエッチング速度が上層側の高融点金
属シリサイド層のそれに比べて速いために、アンダカッ
ト等の形状異常が発生し易い。そこで本発明は、ラジカ
ルが相対的に過剰となるオーバーエッチング時にも対下
地選択性および異方性の劣化を効果的に防止し、しかも
これをエッチング・ガスの組成を変更するなく実現する
ドライエッチング方法を提供することを目的とする。
カルは、対下地選択性の低下のみならず、パターンの異
方性形状を劣化させる原因となる。オーバーエッチング
時には被エッチング材料層の面積が大幅に減少するの
で、結合の相手を失ったラジカルが被エッチング基板
（ウェハ）の表面で側方マイグレーションを起こし、形
成されたパターンの側壁部を攻撃して異方性形状を劣化
させる。特に、ポリサイド膜のようにエッチング特性の
異なる２種類の材料層が積層されている場合、下層側の
多結晶シリコン層のエッチング速度が上層側の高融点金
属シリサイド層のそれに比べて速いために、アンダカッ
ト等の形状異常が発生し易い。そこで本発明は、ラジカ
ルが相対的に過剰となるオーバーエッチング時にも対下
地選択性および異方性の劣化を効果的に防止し、しかも
これをエッチング・ガスの組成を変更するなく実現する
ドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、ＥＣＲポジションの下流側において処理チャン
バの内壁部の少なくとも一部がＳｉ系材料層により被覆
されてなり、かつ該ＥＣＲポジションと被エッチング基
板間の距離を可変となし得るＥＣＲプラズマ装置を使用
し、前記ＥＣＲポジションに相対的に近い位置に前記被
エッチング基板を保持しながら被エッチング材料層のエ
ッチングを行った後、前記ＥＣＲポジションよりも相対
的に遠い位置に前記被エッチング基板を保持しながらオ
ーバーエッチングを行うことを特徴とするものである。
グ方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、ＥＣＲポジションの下流側において処理チャン
バの内壁部の少なくとも一部がＳｉ系材料層により被覆
されてなり、かつ該ＥＣＲポジションと被エッチング基
板間の距離を可変となし得るＥＣＲプラズマ装置を使用
し、前記ＥＣＲポジションに相対的に近い位置に前記被
エッチング基板を保持しながら被エッチング材料層のエ
ッチングを行った後、前記ＥＣＲポジションよりも相対
的に遠い位置に前記被エッチング基板を保持しながらオ
ーバーエッチングを行うことを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】本発明者は、エッチング・ガスの組成を変更す
ることなくオーバーエッチング時のラジカルの影響を低
減させるためには、プラズマ・エッチング装置の選択、
構成、およびその使用方法に工夫を要するとの認識に立
って検討を進めた。本発明はその際の知見にもとづいて
おり、プラズマ・エッチング装置としては、ＥＣＲポジ
ションとウェハとの位置関係によりラジカルの影響を低
減できるＥＣＲプラズマ装置を選択し、ＥＣＲプラズマ
の下流側において処理チャンバの内壁部の一部に過剰な
ラジカルを消費し得るＳｉ系材料層を設けるという構成
上の工夫を行い、さらに被エッチング基板（ウェハ）の
昇降によりＥＣＲプラズマと上記Ｓｉ系材料層との接触
面積を変化させることをポイントとする。
ることなくオーバーエッチング時のラジカルの影響を低
減させるためには、プラズマ・エッチング装置の選択、
構成、およびその使用方法に工夫を要するとの認識に立
って検討を進めた。本発明はその際の知見にもとづいて
おり、プラズマ・エッチング装置としては、ＥＣＲポジ
ションとウェハとの位置関係によりラジカルの影響を低
減できるＥＣＲプラズマ装置を選択し、ＥＣＲプラズマ
の下流側において処理チャンバの内壁部の一部に過剰な
ラジカルを消費し得るＳｉ系材料層を設けるという構成
上の工夫を行い、さらに被エッチング基板（ウェハ）の
昇降によりＥＣＲプラズマと上記Ｓｉ系材料層との接触
面積を変化させることをポイントとする。
【００１６】ＥＣＲプラズマ装置は、磁界中でローレン
ツの力により円運動をしている電子のサイクロトロン角
周波数ωc がマイクロ波電界の角周波数ωと一致した時
（ＥＣＲ条件の成立）に、電子が共鳴的にマイクロ波エ
ネルギーを吸収して生成するプラズマを各種の処理に利
用する装置である。サイクロトロン角周波数ωc は式ω
c ＝ｅＢ／ｍ（ただし、ｅは電子の電荷、ｍは電子の質
量、Ｂは磁束密度を表す。）で与えられ、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入した場合には８７５Ｇａｕｓｓの
磁束密度が得られる点においてＥＣＲ条件が成立する。
このＥＣＲ条件が成立する点はＥＣＲポジションと呼ば
れており、通常のＥＣＲプラズマ装置中では点状のごく
限られた領域である。ＥＣＲポジションでは、ＥＣＲプ
ラズマ中で最もイオン電流密度が高くなっており、また
イオンの方向性も揃っている。
ツの力により円運動をしている電子のサイクロトロン角
周波数ωc がマイクロ波電界の角周波数ωと一致した時
（ＥＣＲ条件の成立）に、電子が共鳴的にマイクロ波エ
ネルギーを吸収して生成するプラズマを各種の処理に利
用する装置である。サイクロトロン角周波数ωc は式ω
c ＝ｅＢ／ｍ（ただし、ｅは電子の電荷、ｍは電子の質
量、Ｂは磁束密度を表す。）で与えられ、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入した場合には８７５Ｇａｕｓｓの
磁束密度が得られる点においてＥＣＲ条件が成立する。
このＥＣＲ条件が成立する点はＥＣＲポジションと呼ば
れており、通常のＥＣＲプラズマ装置中では点状のごく
限られた領域である。ＥＣＲポジションでは、ＥＣＲプ
ラズマ中で最もイオン電流密度が高くなっており、また
イオンの方向性も揃っている。
【００１７】ＥＣＲポジションの形成される位置は装置
構成，マイクロ波パワー、磁界を発生させるソレノイド
・コイルの位置、磁束密度等により一義的に決まってお
り、またその周囲に広がるＥＣＲプラズマの高密度領域
も上述の要素によりほぼ決定される。ＥＣＲプラズマの
広がりはウェハによってもある程度制限されるが、ＥＣ
Ｒポジションとウェハの距離が離れることにより伸びる
部分は主として低密度のアフタ・グロー領域である。し
たがって、ＥＣＲプラズマ中では、ウェハがＥＣＲポジ
ションに近づくほど高密度のラジカルや方向性の揃った
イオンにより高速な異方性加工が可能となる。逆に、ウ
ェハがＥＣＲポジションから遠ざかれば、発散磁界によ
り散乱されてイオンの方向性は低下する。またイオンに
比べて寿命の短いラジカルはウェハに到達するまでに消
失し易くなるので、ラジカルの影響が低減される。
構成，マイクロ波パワー、磁界を発生させるソレノイド
・コイルの位置、磁束密度等により一義的に決まってお
り、またその周囲に広がるＥＣＲプラズマの高密度領域
も上述の要素によりほぼ決定される。ＥＣＲプラズマの
広がりはウェハによってもある程度制限されるが、ＥＣ
Ｒポジションとウェハの距離が離れることにより伸びる
部分は主として低密度のアフタ・グロー領域である。し
たがって、ＥＣＲプラズマ中では、ウェハがＥＣＲポジ
ションに近づくほど高密度のラジカルや方向性の揃った
イオンにより高速な異方性加工が可能となる。逆に、ウ
ェハがＥＣＲポジションから遠ざかれば、発散磁界によ
り散乱されてイオンの方向性は低下する。またイオンに
比べて寿命の短いラジカルはウェハに到達するまでに消
失し易くなるので、ラジカルの影響が低減される。
【００１８】以上はＥＣＲプラズマの一般的な特性であ
るが、本発明ではウェハがＥＣＲポジションから遠ざか
った際のラジカルの影響を一層効果的に低減させるため
に、ＥＣＲポジションの下流側にラジカルを消費できる
Ｓｉ系材料層を設けた。さらに、上記ＥＣＲプラズマ装
置には、ＥＣＲポジションとウェハとの距離を可変とな
し得る機構を設けた。上記Ｓｉ系材料層は、対下地選択
性の低下の原因となるラジカルを捕捉して蒸気圧の高い
反応生成物を生成し、これをエッチング反応系外へ除去
することができる。たとえば、Ｆ* はＳｉＦx 、Ｃｌ*
はＳｉＣｌx ，Ｈ* はＳｉＨx （いずれもｘは１〜４の
整数を表す。）等の形でそれぞれ除去される。
るが、本発明ではウェハがＥＣＲポジションから遠ざか
った際のラジカルの影響を一層効果的に低減させるため
に、ＥＣＲポジションの下流側にラジカルを消費できる
Ｓｉ系材料層を設けた。さらに、上記ＥＣＲプラズマ装
置には、ＥＣＲポジションとウェハとの距離を可変とな
し得る機構を設けた。上記Ｓｉ系材料層は、対下地選択
性の低下の原因となるラジカルを捕捉して蒸気圧の高い
反応生成物を生成し、これをエッチング反応系外へ除去
することができる。たとえば、Ｆ* はＳｉＦx 、Ｃｌ*
はＳｉＣｌx ，Ｈ* はＳｉＨx （いずれもｘは１〜４の
整数を表す。）等の形でそれぞれ除去される。
【００１９】かかる構成において、本発明ではまずウェ
ハをＥＣＲポジションに近づけ、高密度のラジカルと方
向性の揃ったイオンにより被エッチング材料層を高速か
つ異方的にエッチングする。ここで、ＥＣＲプラズマの
下端はウェハ位置により制限されるので、ウェハが充分
にＥＣＲポジションに近く保持されていれば、ＥＣＲプ
ラズマは処理チャンバの側壁部に設けられたＳｉ系材料
層とほとんど接触することがない。したがって、ラジカ
ルがＳｉ系材料層により消費される割合は少ない。一
方、オーバーエッチング時にはラジカルの影響を極力低
減させたいので、ウェハをＥＣＲポジションから遠ざけ
る。これにより、寿命の短いラジカルのウェハへの到達
量を減少できることはもちろんであるが、ＥＣＲプラズ
マのアフタ・グロー領域がウェハ側へ伸びることにより
該ＥＣＲプラズマと上記シリコン系材料層との接触面積
が増大し、ラジカルが消費される割合が増大する。した
がって、対下地選択性を向上させることができる。
ハをＥＣＲポジションに近づけ、高密度のラジカルと方
向性の揃ったイオンにより被エッチング材料層を高速か
つ異方的にエッチングする。ここで、ＥＣＲプラズマの
下端はウェハ位置により制限されるので、ウェハが充分
にＥＣＲポジションに近く保持されていれば、ＥＣＲプ
ラズマは処理チャンバの側壁部に設けられたＳｉ系材料
層とほとんど接触することがない。したがって、ラジカ
ルがＳｉ系材料層により消費される割合は少ない。一
方、オーバーエッチング時にはラジカルの影響を極力低
減させたいので、ウェハをＥＣＲポジションから遠ざけ
る。これにより、寿命の短いラジカルのウェハへの到達
量を減少できることはもちろんであるが、ＥＣＲプラズ
マのアフタ・グロー領域がウェハ側へ伸びることにより
該ＥＣＲプラズマと上記シリコン系材料層との接触面積
が増大し、ラジカルが消費される割合が増大する。した
がって、対下地選択性を向上させることができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。ここで、実際のエッチング・プロセスの説明に先
立ち、まず本発明を実施するにあたり使用したＲＦバイ
アス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装
置（以下、ＥＣＲエッチング装置と称する。）の一構成
例、およびその使用上の工夫について図１（ａ）および
（ｂ）を参照しながら説明する。この装置は、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン１、マイク
ロ波を導く矩形導波管２および円形導波管３、上記マイ
クロ波を利用してＥＣＲ放電により内部でＥＣＲプラズ
マＰを生成させるための石英製のベルジャー４、上記円
形導波管３と上記ベルジャー４を周回するように配設さ
れ８７５Ｇａｕｓｓの磁束密度を達成できるソレノイド
・コイル５、エッチング・ガスを矢印Ｂ方向から上記ベ
ルジャー４へ供給するガス導入管６、ウェハ７を載置す
るウェハ載置電極８、該ウェハ載置電極８にＲＦバイア
スを印加するためのＲＦ電源１０等から構成されてい
る。上記ベルジャー４の内部は、図示されない真空系統
により排気孔１３を介して高真空排気されている。
する。ここで、実際のエッチング・プロセスの説明に先
立ち、まず本発明を実施するにあたり使用したＲＦバイ
アス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装
置（以下、ＥＣＲエッチング装置と称する。）の一構成
例、およびその使用上の工夫について図１（ａ）および
（ｂ）を参照しながら説明する。この装置は、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン１、マイク
ロ波を導く矩形導波管２および円形導波管３、上記マイ
クロ波を利用してＥＣＲ放電により内部でＥＣＲプラズ
マＰを生成させるための石英製のベルジャー４、上記円
形導波管３と上記ベルジャー４を周回するように配設さ
れ８７５Ｇａｕｓｓの磁束密度を達成できるソレノイド
・コイル５、エッチング・ガスを矢印Ｂ方向から上記ベ
ルジャー４へ供給するガス導入管６、ウェハ７を載置す
るウェハ載置電極８、該ウェハ載置電極８にＲＦバイア
スを印加するためのＲＦ電源１０等から構成されてい
る。上記ベルジャー４の内部は、図示されない真空系統
により排気孔１３を介して高真空排気されている。
【００２１】以上がＥＣＲエッチング装置の一般的な構
成要素であるが、本発明で使用する装置においては以下
の工夫が加えられている。まず、上記ベルジャー４の内
壁部のうちガス導入管６より下側の部位にはＳｉ系材料
層１２が設けられている。ただし、このＳｉ系材料層１
２の配設部位はＥＣＲポジション１１の少なくとも下流
側であれば図示される例に限られるものではなく、場合
によってはＥＣＲポジション１１を含んでいても良い。
また、上記Ｓｉ系材料層１２はベルジャー４の内壁部に
おいて高さ方向の一部を連続的に周回している必要はな
く、たとえばブロック状やウェハ状の固体を内壁部に貼
り付けた構成を有するものであっても良い。上記Ｓｉ系
材料層１２の具体的な配設方法としては、ベルジャー４
の内壁部にＣＶＤ法等によりアモルファス・シリコン層
や多結晶シリコン層を直接に成膜すること、シリコン・
カーバイド材を適当な形状に加工して貼り付けること、
単結晶シリコンからなるダミー・ウェハを貼り付けるこ
と等が考えられる。後述の各実施例では、単結晶シリコ
ンのダミー・ウェハを使用した。
成要素であるが、本発明で使用する装置においては以下
の工夫が加えられている。まず、上記ベルジャー４の内
壁部のうちガス導入管６より下側の部位にはＳｉ系材料
層１２が設けられている。ただし、このＳｉ系材料層１
２の配設部位はＥＣＲポジション１１の少なくとも下流
側であれば図示される例に限られるものではなく、場合
によってはＥＣＲポジション１１を含んでいても良い。
また、上記Ｓｉ系材料層１２はベルジャー４の内壁部に
おいて高さ方向の一部を連続的に周回している必要はな
く、たとえばブロック状やウェハ状の固体を内壁部に貼
り付けた構成を有するものであっても良い。上記Ｓｉ系
材料層１２の具体的な配設方法としては、ベルジャー４
の内壁部にＣＶＤ法等によりアモルファス・シリコン層
や多結晶シリコン層を直接に成膜すること、シリコン・
カーバイド材を適当な形状に加工して貼り付けること、
単結晶シリコンからなるダミー・ウェハを貼り付けるこ
と等が考えられる。後述の各実施例では、単結晶シリコ
ンのダミー・ウェハを使用した。
【００２２】また、上記ウェハ載置電極８は図示されな
い昇降手段に接続され、図中矢印Ｄ1 方向に上昇もしく
は矢印Ｄ2 方向に下降するようになされている。この昇
降により、ＥＣＲプラズマＰ中のＥＣＲポジション１１
とウェハ７との距離を変化させることができる。さら
に、上記ウェハ載置電極８には、低温エッチングを可能
とするために冷却配管９が埋設されている。この冷却配
管９には、装置外部に配設される図示されないチラー等
の冷却設備から冷媒が導入され、図中矢印Ｃ1 ，Ｃ2 方
向に循環されるようになされている。
い昇降手段に接続され、図中矢印Ｄ1 方向に上昇もしく
は矢印Ｄ2 方向に下降するようになされている。この昇
降により、ＥＣＲプラズマＰ中のＥＣＲポジション１１
とウェハ７との距離を変化させることができる。さら
に、上記ウェハ載置電極８には、低温エッチングを可能
とするために冷却配管９が埋設されている。この冷却配
管９には、装置外部に配設される図示されないチラー等
の冷却設備から冷媒が導入され、図中矢印Ｃ1 ，Ｃ2 方
向に循環されるようになされている。
【００２３】本発明における上記ＥＣＲエッチング装置
の使用方法は、以下のとおりである。まず、被エッチン
グ材料層をほぼその層厚分だけエッチングする（以下、
ジャスト・エッチングと称する。）までの過程では、図
１（ａ）に示されるように上記ウェハ載置電極８を矢印
Ｄ1 方向に上昇させてウェハ７をＥＣＲポジション１１
に近接した状態に保持し、上記ガス導入管６からエッチ
ング・ガスを上記ベルジャー４内へ供給してマイクロ波
放電を行わせる。このとき、ＥＣＲポジション１１より
も下側のＥＣＲプラズマＰの広がりは、ウェハ７および
ウェハ載置電極８により制限されるので、ウェハ７は比
較的高い密度のラジカルと方向性の揃ったイオンに曝さ
れる。したがって、異方性エッチングが高速に進行す
る。
の使用方法は、以下のとおりである。まず、被エッチン
グ材料層をほぼその層厚分だけエッチングする（以下、
ジャスト・エッチングと称する。）までの過程では、図
１（ａ）に示されるように上記ウェハ載置電極８を矢印
Ｄ1 方向に上昇させてウェハ７をＥＣＲポジション１１
に近接した状態に保持し、上記ガス導入管６からエッチ
ング・ガスを上記ベルジャー４内へ供給してマイクロ波
放電を行わせる。このとき、ＥＣＲポジション１１より
も下側のＥＣＲプラズマＰの広がりは、ウェハ７および
ウェハ載置電極８により制限されるので、ウェハ７は比
較的高い密度のラジカルと方向性の揃ったイオンに曝さ
れる。したがって、異方性エッチングが高速に進行す
る。
【００２４】一方、オーバーエッチングを行う際には、
図１（ｂ）に示されるように、ウェハ載置電極８を矢印
Ｄ2 方向に下降させてウェハ７をＥＣＲポジション１１
から遠隔させた状態に保持する。このとき、ＥＣＲポジ
ション１１の空間位置は不変であるが、ＥＣＲプラズマ
Ｐのアフタ・グロー領域は下降したウェハ７の表面付近
まで伸びてくる。しかし、この領域はラジカル密度が低
く、また発散磁界の作用によりイオンの方向性も低下し
ている。しかも、ウェハ７が下降した状態ではＥＣＲプ
ラズマＰの一部が上記Ｓｉ系材料層１２と接触し、ラジ
カルの一部はＳｉに捕捉されて蒸気圧の高いＳｉ化合物
に変化し、排気孔１３を介してエッチング反応系外へ除
去される。したがって、過剰ラジカルによる下地のエッ
チングが防止される。以下、上述のＥＣＲエッチング装
置を使用した実際のプロセス例について説明する。
図１（ｂ）に示されるように、ウェハ載置電極８を矢印
Ｄ2 方向に下降させてウェハ７をＥＣＲポジション１１
から遠隔させた状態に保持する。このとき、ＥＣＲポジ
ション１１の空間位置は不変であるが、ＥＣＲプラズマ
Ｐのアフタ・グロー領域は下降したウェハ７の表面付近
まで伸びてくる。しかし、この領域はラジカル密度が低
く、また発散磁界の作用によりイオンの方向性も低下し
ている。しかも、ウェハ７が下降した状態ではＥＣＲプ
ラズマＰの一部が上記Ｓｉ系材料層１２と接触し、ラジ
カルの一部はＳｉに捕捉されて蒸気圧の高いＳｉ化合物
に変化し、排気孔１３を介してエッチング反応系外へ除
去される。したがって、過剰ラジカルによる下地のエッ
チングが防止される。以下、上述のＥＣＲエッチング装
置を使用した実際のプロセス例について説明する。
【００２５】実施例１ 本実施例は、本発明をゲート加工に適用し、Ｓ2 Ｆ2 を
エッチング・ガスとして供給しながら多結晶シリコン層
のエッチングおよびオーバーエッチングを行った例であ
る。まず、単結晶シリコン基板上にＳｉＯ2 からなるゲ
ート絶縁膜を介してｎ+ 型不純物を含有する多結晶シリ
コン層が形成され、さらに所定の形状にパターニングさ
れたレジスト・マスクが形成されてなるウェハ７を用意
した。このウェハ７をウェハ載置電極８上にセットし、
図１（ａ）に示されるようにＥＣＲポジション１１に近
接した位置に保持した。また、冷却配管９にはチラーか
らエタノール冷媒を供給し、ウェハ７の温度を０℃に維
持した。この状態で、Ｓ2 Ｆ2 流量５ＳＣＣＭ，ガス圧
１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ），マイクロ波パワー８５
０Ｗ，ＲＦバイアス・パワー５０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件
で多結晶シリコン層のエッチングをジャスト・エッチン
グ状態まで行った。
エッチング・ガスとして供給しながら多結晶シリコン層
のエッチングおよびオーバーエッチングを行った例であ
る。まず、単結晶シリコン基板上にＳｉＯ2 からなるゲ
ート絶縁膜を介してｎ+ 型不純物を含有する多結晶シリ
コン層が形成され、さらに所定の形状にパターニングさ
れたレジスト・マスクが形成されてなるウェハ７を用意
した。このウェハ７をウェハ載置電極８上にセットし、
図１（ａ）に示されるようにＥＣＲポジション１１に近
接した位置に保持した。また、冷却配管９にはチラーか
らエタノール冷媒を供給し、ウェハ７の温度を０℃に維
持した。この状態で、Ｓ2 Ｆ2 流量５ＳＣＣＭ，ガス圧
１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ），マイクロ波パワー８５
０Ｗ，ＲＦバイアス・パワー５０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件
で多結晶シリコン層のエッチングをジャスト・エッチン
グ状態まで行った。
【００２６】ここで使用されたＳ2 Ｆ2 は、本願出願人
が先に特願平２−１９８０４５号明細書においてＳｉＯ
2 系材料層のエッチング・ガスとして初めて提案した４
種類のフッ化イオウのうちのひとつである。Ｓ2 Ｆ2 か
ら放電解離により生成するＦ* は多結晶シリコン層のエ
ッチングに寄与し、同じく気相中に生成するＳはパター
ン側壁部に堆積して側壁保護効果を発揮した。さらに、
Ｓ2 Ｆ2 からはＳ+ ，ＳＦx + ，Ｆ+ 等のイオンも生成
し、これらがＥＣＲポジション１１に近接配置されたウ
ェハ７にほぼ垂直に入射してラジカル反応をアシスト
し、高速な異方性エッチングが行われた。この結果、異
方性形状に優れるゲート電極がほぼ形成された。
が先に特願平２−１９８０４５号明細書においてＳｉＯ
2 系材料層のエッチング・ガスとして初めて提案した４
種類のフッ化イオウのうちのひとつである。Ｓ2 Ｆ2 か
ら放電解離により生成するＦ* は多結晶シリコン層のエ
ッチングに寄与し、同じく気相中に生成するＳはパター
ン側壁部に堆積して側壁保護効果を発揮した。さらに、
Ｓ2 Ｆ2 からはＳ+ ，ＳＦx + ，Ｆ+ 等のイオンも生成
し、これらがＥＣＲポジション１１に近接配置されたウ
ェハ７にほぼ垂直に入射してラジカル反応をアシスト
し、高速な異方性エッチングが行われた。この結果、異
方性形状に優れるゲート電極がほぼ形成された。
【００２７】次に、図１（ｂ）に示されるように、ウェ
ハ７を下降させてＥＣＲポジション１１から遠隔した位
置に保持した。この状態で、ＲＦバイアス・パワーを１
０Ｗに低下させた他は上述と同じ条件にてオーバーエッ
チングを行った。ここでは、Ｓ2 Ｆ2 の供給条件を特に
変更しておらず、また多結晶シリコン層の被エッチング
面積が減少しているために、Ｆ* ラジカルは大過剰とな
っている。しかし、ウェハ７側へ向かって伸びたＥＣＲ
プラズマＰのアフタ・グロー領域がベルジャー４の側壁
部においてＳｉ系材料層１２（ここではダミーのＳｉウ
ェハ）と接触するため、Ｆ* はＳｉＦx の形でエッチン
グ反応系外へ除去された。この結果、エッチング系内の
見掛け上のＦ／Ｓ比が減少して相対的にＳの堆積が起こ
り易い条件が整い、ゲート絶縁膜に対して約２０の選択
比を維持しながら、多結晶シリコン層のオーバーエッチ
ングを行うことができた。
ハ７を下降させてＥＣＲポジション１１から遠隔した位
置に保持した。この状態で、ＲＦバイアス・パワーを１
０Ｗに低下させた他は上述と同じ条件にてオーバーエッ
チングを行った。ここでは、Ｓ2 Ｆ2 の供給条件を特に
変更しておらず、また多結晶シリコン層の被エッチング
面積が減少しているために、Ｆ* ラジカルは大過剰とな
っている。しかし、ウェハ７側へ向かって伸びたＥＣＲ
プラズマＰのアフタ・グロー領域がベルジャー４の側壁
部においてＳｉ系材料層１２（ここではダミーのＳｉウ
ェハ）と接触するため、Ｆ* はＳｉＦx の形でエッチン
グ反応系外へ除去された。この結果、エッチング系内の
見掛け上のＦ／Ｓ比が減少して相対的にＳの堆積が起こ
り易い条件が整い、ゲート絶縁膜に対して約２０の選択
比を維持しながら、多結晶シリコン層のオーバーエッチ
ングを行うことができた。
【００２８】また、上述のようにウェハ７がＥＣＲポジ
ション１１から離れて保持されている状態では、高エネ
ルギー電子のサイクロトロン共鳴円運動により反磁性効
果が現れ、発散磁界との相互作用により弱磁界方向にイ
オンが加速される。しかし、ここではＲＦバイアス・パ
ワーが１０Ｗに低減されているので、イオン入射エネル
ギーはウェハ７がＥＣＲポジション１１に近接配置され
ている場合と比べて低減された。これにより、低ダメー
ジ性も達成された。コン層のオーバーエッチングを行う
ことができた。なお、パターン側壁部に堆積したＳは、
オーバーエッチング終了後にウェハ７を約９０℃に加熱
することにより容易に昇華除去され、何らパーティクル
汚染を惹起させることはなかった。
ション１１から離れて保持されている状態では、高エネ
ルギー電子のサイクロトロン共鳴円運動により反磁性効
果が現れ、発散磁界との相互作用により弱磁界方向にイ
オンが加速される。しかし、ここではＲＦバイアス・パ
ワーが１０Ｗに低減されているので、イオン入射エネル
ギーはウェハ７がＥＣＲポジション１１に近接配置され
ている場合と比べて低減された。これにより、低ダメー
ジ性も達成された。コン層のオーバーエッチングを行う
ことができた。なお、パターン側壁部に堆積したＳは、
オーバーエッチング終了後にウェハ７を約９０℃に加熱
することにより容易に昇華除去され、何らパーティクル
汚染を惹起させることはなかった。
【００２９】ところで、本実施例ではエッチング・ガス
としてＳ2 Ｆ2 を使用したが、他にＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ
2 Ｆ10等のフッ化イオウを使用しても良く、さらにＳ3
Ｃｌ2 ，Ｓ2 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 等の塩化イオウを使用し
ても良い。また、エッチングの初めの段階からラジカル
生成量を低減させるために、エッチング・ガスにＦ* を
捕捉し得るＨ2 ，Ｈ2 Ｓ，シラン系ガス等を添加しても
良い。さらにあるいは、スパッタリング効果，希釈効
果，冷却効果等を期待する意味で、Ｈｅ，Ａｒ等の希ガ
スを適宜添加しても良い。
としてＳ2 Ｆ2 を使用したが、他にＳＦ2 ，ＳＦ4 ，Ｓ
2 Ｆ10等のフッ化イオウを使用しても良く、さらにＳ3
Ｃｌ2 ，Ｓ2 Ｃｌ2 ，ＳＣｌ2 等の塩化イオウを使用し
ても良い。また、エッチングの初めの段階からラジカル
生成量を低減させるために、エッチング・ガスにＦ* を
捕捉し得るＨ2 ，Ｈ2 Ｓ，シラン系ガス等を添加しても
良い。さらにあるいは、スパッタリング効果，希釈効
果，冷却効果等を期待する意味で、Ｈｅ，Ａｒ等の希ガ
スを適宜添加しても良い。
【００３０】実施例２ 本実施例は、本発明をコンタクト・ホールの形成に適用
した例であり、Ｃ4Ｆ8 （オクタフルオロシクロブタ
ン，別名フロンＣ３１８）をエッチング・ガスとして供
給しながらＳｉＯ2 層間絶縁膜のエッチングおよびオー
バーエッチングを行った例である。本実施例で使用する
ＥＣＲエッチング装置は、図１に示されるものと同様で
ある。ただし、図中に記入されているＥＣＲプラズマＰ
中の化学種のうち、Ｓ+ ，ＳＦx + は本実施例では生成
せず、代わりにＣＦx + が生成する。本実施例でエッチ
ング・サンプルとして使用したウェハ７は、単結晶シリ
コン基板上にＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜が形成されて
なるものである。このウェハ７をウェハ載置電極８上に
セットし、図１（ａ）に示されるようにＥＣＲポジショ
ン１１に近接した位置に保持し、冷却配管９にエタノー
ル冷媒を循環させることにより該ウェハ７を０℃に保持
した。この状態で、Ｃ4 Ｆ8 流量５０ＳＣＣＭ，ガス圧
１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ），マイクロ波パワー８５
０Ｗ，ＲＦバイアス・パワー５０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件
で層間絶縁膜のエッチングをジャスト・エッチング状態
まで行った。
した例であり、Ｃ4Ｆ8 （オクタフルオロシクロブタ
ン，別名フロンＣ３１８）をエッチング・ガスとして供
給しながらＳｉＯ2 層間絶縁膜のエッチングおよびオー
バーエッチングを行った例である。本実施例で使用する
ＥＣＲエッチング装置は、図１に示されるものと同様で
ある。ただし、図中に記入されているＥＣＲプラズマＰ
中の化学種のうち、Ｓ+ ，ＳＦx + は本実施例では生成
せず、代わりにＣＦx + が生成する。本実施例でエッチ
ング・サンプルとして使用したウェハ７は、単結晶シリ
コン基板上にＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜が形成されて
なるものである。このウェハ７をウェハ載置電極８上に
セットし、図１（ａ）に示されるようにＥＣＲポジショ
ン１１に近接した位置に保持し、冷却配管９にエタノー
ル冷媒を循環させることにより該ウェハ７を０℃に保持
した。この状態で、Ｃ4 Ｆ8 流量５０ＳＣＣＭ，ガス圧
１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ），マイクロ波パワー８５
０Ｗ，ＲＦバイアス・パワー５０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件
で層間絶縁膜のエッチングをジャスト・エッチング状態
まで行った。
【００３１】ここで使用されたＣ4 Ｆ8 は、本願出願人
が先に特願平３−４０９９６号明細書において提案した
飽和環状フルオロカーボン系ガスのひとつである。Ｃ4
Ｆ8 は１分子から２個以上のＣＦx + を生成して高速エ
ッチングに寄与する他、プラズマ中における炭素骨格の
切断により重合に有利な化学種を生成するので効率良く
炭素系ポリマーを堆積させることができる。この炭素系
ポリマーがパターン側壁部に堆積して側壁保護膜を形成
することにより、ガス系に堆積性カーボン系ガスが添加
されていないにもかかわらず、良好な異方性形状を有す
るコンタクト・ホールがほぼ形成された。また、上記炭
素系ポリマーはレジスト・マスクの表面にも堆積して対
レジスト選択比の向上にも寄与した。
が先に特願平３−４０９９６号明細書において提案した
飽和環状フルオロカーボン系ガスのひとつである。Ｃ4
Ｆ8 は１分子から２個以上のＣＦx + を生成して高速エ
ッチングに寄与する他、プラズマ中における炭素骨格の
切断により重合に有利な化学種を生成するので効率良く
炭素系ポリマーを堆積させることができる。この炭素系
ポリマーがパターン側壁部に堆積して側壁保護膜を形成
することにより、ガス系に堆積性カーボン系ガスが添加
されていないにもかかわらず、良好な異方性形状を有す
るコンタクト・ホールがほぼ形成された。また、上記炭
素系ポリマーはレジスト・マスクの表面にも堆積して対
レジスト選択比の向上にも寄与した。
【００３２】次に、図１（ｂ）に示されるように、ウェ
ハ７を下降させてＥＣＲポジション１１から遠隔した位
置に保持し、上述と同じ条件にてオーバーエッチングを
行った。ここでは、ＥＣＲプラズマＰとＳｉ系材料層１
２との接触面積が増大し、過剰のＦ* はＳｉＦx の形で
エッチング反応系外へ除去された。この結果、エッチン
グ系内の見掛け上のＦ／Ｃ比が減少して相対的に炭素系
ポリマーの堆積が起こり易い条件が整い、単結晶シリコ
ン基板に対して約１５の選択比を維持しながら、層間絶
縁膜のオーバーエッチングを行うことができた。
ハ７を下降させてＥＣＲポジション１１から遠隔した位
置に保持し、上述と同じ条件にてオーバーエッチングを
行った。ここでは、ＥＣＲプラズマＰとＳｉ系材料層１
２との接触面積が増大し、過剰のＦ* はＳｉＦx の形で
エッチング反応系外へ除去された。この結果、エッチン
グ系内の見掛け上のＦ／Ｃ比が減少して相対的に炭素系
ポリマーの堆積が起こり易い条件が整い、単結晶シリコ
ン基板に対して約１５の選択比を維持しながら、層間絶
縁膜のオーバーエッチングを行うことができた。
【００３３】ところで、本実施例ではエッチング・ガス
として環状化合物であるＣ4 Ｆ8 を使用したが、同じ組
成式で表される直鎖状のオクタフルオロブテンを使用し
てもほぼ同様の結果が得られる。さらに、本願出願人が
これまでに一連の出願により提案しているごとく、飽和
環状，不飽和環状，飽和鎖状，不飽和鎖状等の構造を有
する各種の高次フルオロカーボン系化合物を使用しても
良い。
として環状化合物であるＣ4 Ｆ8 を使用したが、同じ組
成式で表される直鎖状のオクタフルオロブテンを使用し
てもほぼ同様の結果が得られる。さらに、本願出願人が
これまでに一連の出願により提案しているごとく、飽和
環状，不飽和環状，飽和鎖状，不飽和鎖状等の構造を有
する各種の高次フルオロカーボン系化合物を使用しても
良い。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明ではＥＣＲプラズマ装置の処理チャンバ内に設けられ
たＳｉ系材料層とＥＣＲプラズマとの接触面積をウェハ
の昇降により変化させるという巧妙な手法により、オー
バーエッチング時に過剰となるラジカルの影響を効果的
に低減させることができる。したがって、極めて高い対
下地選択性と異方性とが達成される。しかも、本発明で
はジャスト・エッチングまでの工程とオーバーエッチン
グ工程との間でエッチング・ガスの組成を変更しないの
で、安定したマイクロ波放電を継続させたまま、スルー
プットを低下させずに再現性の高い異方性エッチングを
行うことが可能となる。本発明は微細なデザイン・ルー
ルにもとづいて設計され、高集積度および高性能を有す
る半導体装置の製造において特に有効である。
明ではＥＣＲプラズマ装置の処理チャンバ内に設けられ
たＳｉ系材料層とＥＣＲプラズマとの接触面積をウェハ
の昇降により変化させるという巧妙な手法により、オー
バーエッチング時に過剰となるラジカルの影響を効果的
に低減させることができる。したがって、極めて高い対
下地選択性と異方性とが達成される。しかも、本発明で
はジャスト・エッチングまでの工程とオーバーエッチン
グ工程との間でエッチング・ガスの組成を変更しないの
で、安定したマイクロ波放電を継続させたまま、スルー
プットを低下させずに再現性の高い異方性エッチングを
行うことが可能となる。本発明は微細なデザイン・ルー
ルにもとづいて設計され、高集積度および高性能を有す
る半導体装置の製造において特に有効である。
【図１】本発明のドライエッチング方法を実施するにあ
たり使用されるＥＣＲエッチング装置の一構成例および
その使用例を示す概略断面図であり、（ａ）はジャスト
・エッチングまでの使用状態、（ｂ）はオーバーエッチ
ング時の使用状態をそれぞれ表す。
たり使用されるＥＣＲエッチング装置の一構成例および
その使用例を示す概略断面図であり、（ａ）はジャスト
・エッチングまでの使用状態、（ｂ）はオーバーエッチ
ング時の使用状態をそれぞれ表す。
４ ・・・ベルジャー ７ ・・・ウェハ ８ ・・・ウェハ載置電極 ９ ・・・冷却配管 １１・・・ＥＣＲポジション １２・・・Ｓｉ系材料層 Ｐ ・・・ＥＣＲプラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＥＣＲポジションの下流側において処理
チャンバの内壁部の少なくとも一部がシリコン系材料層
により被覆されてなり、かつ該ＥＣＲポジションと被エ
ッチング基板間の距離を可変となし得るＥＣＲプラズマ
装置を使用し、前記ＥＣＲポジションに相対的に近い位
置に前記被エッチング基板を保持しながら被エッチング
材料層のエッチングを行った後、前記ＥＣＲポジション
よりも相対的に遠い位置に前記被エッチング基板を保持
しなからオーバーエッチングを行うことを特徴とするド
ライエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123029A JP3000717B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ドライエッチング方法 |
| KR1019920006172A KR100225552B1 (ko) | 1991-04-26 | 1992-04-14 | 드라이에칭방법 |
| US07/874,114 US5266154A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-27 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123029A JP3000717B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326726A JPH04326726A (ja) | 1992-11-16 |
| JP3000717B2 true JP3000717B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=14850458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3123029A Expired - Lifetime JP3000717B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ドライエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5266154A (ja) |
| JP (1) | JP3000717B2 (ja) |
| KR (1) | KR100225552B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6207789B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-03-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Phenolic resin, resin composition, molding material for encapsulation, and electronic component device |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
| US6444137B1 (en) | 1990-07-31 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger |
| US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
| US6171974B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | High selectivity oxide etch process for integrated circuit structures |
| US5888414A (en) * | 1991-06-27 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control |
| US6518195B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
| JPH05251408A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Ebara Corp | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
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