JP5968130B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
先ず,本発明の一実施形態に係るプラズマ処理方法による工程を経て製造可能な三次元積層半導体メモリの具体的構成例について,図面を参照しながら説明する。ここでは三次元積層半導体メモリの一例として3D−NANDフラッシュメモリを挙げる。図1は,3D−NANDフラッシュメモリの構造を概念的に示した斜視図である。図2Aは,図1に示す3D−NANDフラッシュメモリのA−A断面図である。図2Bは,図1に示す3D−NANDフラッシュメモリのB−B断面図である。
次に,本実施形態にかかるプラズマ処理方法を実施可能なプラズマ処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,互いに対向して平行に配置される上部電極と下部電極を備えた平行平板型(容量結合型)のプラズマエッチング装置として構成したプラズマ処理装置を例に挙げる。図3は,本実施形態にかかるプラズマ処理装置100の概略構成を示す縦断面図である。
次に,このような構成のプラズマ処理装置100の動作について説明する。プラズマ処理装置100において,ウエハWに対してプラズマエッチング処理を行なう際には,先ずゲートバルブ130を開口して搬送アーム上に保持されたウエハWを処理室110内に搬入する。ウエハWは,図示しないリフトピン(リフタピン)により保持され,リフトピンが降下することにより静電チャック140上に載置される。ウエハWを搬入後,ゲートバルブ130が閉じられ,処理ガス供給部162から処理ガスを所定の流量および流量比で処理室110内に導入し,排気部128により処理室110内の圧力を設定値に減圧する。
次に,本実施形態にかかるプラズマ処理によりエッチングを行う被エッチング膜の膜構造について図面を参照しながら説明する。ここでは,被エッチング膜として,ウエハWの表面に形成された多層膜を例に挙げる。この多層膜をプラズマ処理によってエッチングすることで,多層膜に複数の深い凹部(ホール又はトレンチ)を形成する。図4は被エッチング膜としての多層膜の膜構造を示す断面図である。
次に,このような本実施形態にかかるプラズマエッチング処理について図面を参照しながら説明する。ここでは,図1に示す多層膜に複数の活性層ACを形成するために,多層膜を貫通する深穴を形成するプラズマエッチング処理を例に挙げる。ここでの多層膜は図8Aに示すように,下地膜310(エッチングストップレイヤー)と,第1膜342と第2膜344が交互に積層された積層膜340と,この積層膜340上に形成されるSiN層350と,このSiN層350上に形成され,開口部がパターニングされたマスク層330とが形成されている。
ここで,BCl3ガスの流量比の最適値を考察する。ここでは,HBrガスの流量比を500sccmに固定して,BCl3ガスの流量を50sccm,75sccm,100sccm,200sccmと変化させてエッチング処理を実行する実験を行った。すると,50sccm(HBrガスに対して10%の流量比)では,ボウイング形状抑制能力が小さいことが分かった。また200sccm(HBrガスに対して40%の流量比)では穴の底部でのエッチングレートが低くなり,ボトムのCD値が小さくなり過ぎてしまう。このため,最初のメインエッチング工程ME1では少なくともHBrガスに対して10%以上40%以下の範囲で流量比を決めることが好ましい。
メインエッチング工程ME1〜ME4のC4F8ガスの流量比も,最初は少し多めにして,徐々に減らしていくようにしてもよい。例えばメインエッチング工程ME1〜ME4のC4F8ガスの流量比はそれぞれ,44sccm,40sccm,36sccm,32sccmとしてもよい。
次に,上述した多層膜のエッチング処理を図3に示すプラズマ処理装置100で実行する際の制御部の処理について図面を参照しながら説明する。ここでは,図4Aに示すような多層膜320が形成されたウエハWにエッチング処理を実行する。上述したように多層膜320には積層膜340とマスク層330の間にSiN層350が形成されているので,処理ガスにSiN層350の保護膜形成用の添加ガス(例えばBCl3ガス)を添加することで,エッチング形状異常(ボウイング)を抑制しながらエッチングを進めることができる。
次に,SiN層を含む積層膜に対して本実施形態のエッチング処理を施した場合の実験結果について説明する。ここでは,SiN層の側壁保護膜形成ガスとして上述したBCl3ガスを添加した処理ガスを用いた場合(本実施形態にかかるエッチング処理)と,BCl3ガスを添加しない処理ガスを用いた場合(比較例にかかるエッチング処理)とを比較する実験を行った。この実験ではそれぞれのエッチング処理において4回のメインエッチングを連続して行うことによって積層膜に穴を形成した。
(最初のメインエッチングME1)
処理室内圧力:50mTorr
第1高周波電力の周波数/パワー:60MHz/2000W
第2高周波電力の周波数/パワー:400kHz/2000W
ガス:HBr/C4F8/BCl3/Ar=496/41/F1/100sccm
磁力:454Gauss
エッチング時間:140秒
(2回目のメインエッチングME2)
処理室内圧力:50mTorr
第1高周波電力の周波数/パワー:60MHz/2000W
第2高周波電力の周波数/パワー:400kHz/3000W
ガス:HBr/C4F8/BCl3/Ar=496/37/F2/100sccm
磁力:454Gauss
エッチング時間:180秒
(3回目のメインエッチングME3)
処理室内圧力:50mTorr
第1高周波電力の周波数/パワー:60MHz/2000W
第2高周波電力の周波数/パワー:400kHz/4000W
ガス:HBr/C4F8/BCl3/Ar=496/33/F3/100sccm
磁力:454Gauss
エッチング時間:180秒
(4回目のメインエッチングME4)
処理室内圧力:50mTorr
第1高周波電力の周波数/パワー:60MHz/2000W
第2高周波電力の周波数/パワー:400kHz/4000W
ガス:HBr/C4F8/BCl3/Ar=496/29/F4/100sccm
磁力:454Gauss
エッチング時間:180秒
110 処理室
112 載置台
114 筒状保持部
116 筒状支持部
118 フォーカスリング
120 排気路
122 バッフル板
124 排気口
126 排気管
128 排気部
130 ゲートバルブ
133 整合器
138 シャワーヘッド
140 静電チャック
140a 電極
142 直流電圧源
143 スイッチ
152 伝熱ガス供給部
154 ガス供給ライン
156 電極板
156a ガス通気孔
158 電極支持体
160 バッファ室
160a ガス導入口
162 処理ガス供給部
164 ガス供給配管
170 磁石
172 上部磁石
174 下部磁石
182 冷媒管
184 チラーユニット
186,188 配管
190 ヒータ
192 交流電源
200 制御部
210 操作部
220 記憶部
310 下地膜
320 多層膜
330 マスク層
340 積層膜
342 第1膜
344 第2膜
350 SiN層
352 保護膜
AC 活性層
W ウエハ
Claims (15)
- 処理室内に処理ガスのプラズマを生成することによって,前記被処理基板に形成された多層膜を,パターニングされたマスク層をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマ処理方法であって,
前記多層膜は,比誘電率の異なる第1膜及び第2膜が交互に積層された積層膜と,この積層膜上に形成された窒化珪素層と,を有し,
臭素含有ガス,塩素含有ガス,ヨウ素含有ガスのうちの1つ又は2つ以上を組合せたガスとフルオロカーボン系ガスとを含む処理ガスを前記処理室内に導入してプラズマエッチングを複数回実行することによって,前記窒化珪素層から前記積層膜に渡って凹部を徐々に形成していくエッチング処理を行い,
その際に所定のタイミングで前記処理ガスにホウ素含有ガスを所定の流量比で添加することによって,前記凹部に露出する前記窒化珪素層の側壁に保護膜を形成しながら前記積層膜のエッチングを進行させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記ホウ素含有ガスは,少なくとも最初のプラズマエッチングで導入することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ホウ素含有ガスは,前記最初のプラズマエッチングから所定回数のプラズマエッチングに渡って導入することを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ホウ素含有ガスは,前記最初のプラズマエッチングからすべての回数のプラズマエッチングに渡って導入することを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ホウ素含有ガスの流量比は,前記積層膜のエッチングが進行するに連れて徐々に減少させることを特徴とする請求項3又は4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ホウ素含有ガスの流量比を減少させるタイミングは,前記プラズマエッチングの所定回数ごとであることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け,前記下部電極上に被処理基板を配置し,
前記下部電極に印加するバイアス用高周波電力は,前記積層膜のエッチングが進行するに連れて増加することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理方法。 - 前記下部電極に印加するバイアス用高周波電力を増加するタイミングは,前記プラズマエッチングの所定回数ごとであることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理方法。
- 少なくとも前記処理ガスとしてHBrガスを含み,
前記最初のプラズマエッチングでは,前記ホウ素含有ガスの流量比は少なくとも前記HBrガスに対して10%以上40%以下の範囲で設定することを特徴とする請求項2〜8のいずれかに記載のプラズマ処理方法。 - 前記ホウ素含有ガスは,三弗化ホウ素,三塩化ホウ素,酸化ホウ素のいずれかであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記被処理基板の温度は,少なくとも前記複数回のプラズマエッチングにかけては,150℃〜200℃になるように調整することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1膜と第2膜のいずれか一方はシリコン酸化膜であり,他方はポリシリコン膜であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け,前記下部電極上に被処理基板を配置し,前記処理室内に処理ガスのプラズマを生成することによって,比誘電率の異なる第1膜及び第2膜が交互に積層された積層膜と,この積層膜上に形成された窒化珪素層とを有する多層膜を,パターニングされたマスク層をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマ処理装置であって,
プラズマ生成機構と,
前記プラズマ生成機構を制御して,臭素含有ガス,塩素含有ガス,ヨウ素含有ガスのうちの1つ又は2つ以上を組合せたガスとフルオロカーボン系ガスとを含む処理ガスを前記処理室内に導入し,前記下部電極に第1高周波電源からプラズマ生成用高周波電力を印加すると共に,前記下部電極に第2高周波電源からバイアス用高周波電力を印加して前記窒化珪素層から前記積層膜に渡って凹部を徐々に形成していくエッチング処理を行う制御部と,を備え,
前記制御部は,前記エッチング処理の際に,所定のタイミングで前記処理ガスにホウ素含有ガスを所定の流量比で添加するように制御することによって,前記凹部に露出する前記窒化珪素層の側壁に保護膜を形成しながら前記積層膜のエッチングを進行させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ生成用高周波電力は27MHz以上であり,前記バイアス用高周波電力は,380kHz以上1MHz以下であることを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け,前記下部電極上に被処理基板を配置し,前記下部電極に27MHz以上のプラズマ生成用高周波電力を印加すると共に380kHz以上1MHz以下のバイアス用高周波電力を印加することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
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Family Cites Families (13)
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JP4014456B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2007-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理方法 |
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US7910283B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-03-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing antireflective coating forming composition, silicon-containing antireflective coating, substrate processing intermediate, and substrate processing method |
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