JP2011029603A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 所定の間隔で積層された複数の基板を処理する反応室と、
   少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
   少なくとも還元ガスを供給する第２のガス供給系と、少なくとも炭素原子含有ガスを供給する第３のガス供給系と、
   前記第１のガス供給系に接続されるか、若しくは該第１のガス供給系及び前記第３のガス供給系に接続されると共に、前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルと、
   前記第２のガス供給系に接続されるか、若しくは該第２のガス供給系及び前記第３のガス供給系に接続されると共に、前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルと、
   前記第１のガス供給系が前記第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくとも前記シリコン原子含有ガスと前記塩素原子含有ガス、若しくは前記シリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第２のガス供給系が前記第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも前記還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第３のガス供給系が前記第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも前記炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する様制御するコントローラと
   を有する基板処理装置。
2. 前記反応管の外部に設けられ、磁場を発生する磁場発生部と、
   前記反応管と前記磁場発生部との間に設けられ、前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱し前記反応管内を加熱する被加熱体をさらに有する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 複数の基板を所定の間隔で配列し処理する反応管と、
   前記反応管の外部に設けられ磁場を発生する磁場発生部と、
   前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられ、前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱し前記反応管内を加熱する被加熱体と、
   少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
   少なくとも還元ガスを供給する第２のガス供給系と、
   少なくとも炭素原子含有ガスを供給する第３のガス供給系と、
   前記第１のガス供給系と接続され、前記基板の配列領域に１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルと、
   前記第２と第３のガス供給系に接続されるとともに、前記基板の配列領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルと、
   前記第１のガス供給系が少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応管内に前記第１ガス供給ノズルの前記第１ガス供給口を通して供給し、前記第２のガス供給系が少なくとも還元ガスを前記第２のガス供給ノズルの第２のガス供給口から前記反応管内に供給し、前記第３のガス供給系が少なくとも炭素原子含有ガスを前記第２のガスノズルの前記第２のガス供給口を通して前記反応室内に供給し、基板上に炭化ケイ素膜を形成するように制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
4. 所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
   該反応室内の前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に少なくとも１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記反応室内の前記基板の積層方向に延在され該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する工程と、
   前記反応室から前記基板を搬出する工程と
   を有する半導体装置の製造方法。
5. 所定の間隔で配列された複数枚の基板を反応管内に搬送する工程と、
   前記反応管外に設けられて磁場を発生する磁場発生部と、前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられて前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱する被加熱体によって前記反応管内を加熱する工程と、
   前記反応管内に設けられた第１のガス供給ノズルは、前記反応管内の基板の配列領域に１以上設けられる第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第２のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板上に炭化ケイ素膜を成膜する工程と、
   前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
6. 所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
   該反応室内の前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に少なくとも１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記反応室内の前記基板の積層方向に延在され該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する工程と、
   前記反応室から前記基板を搬出する工程と
   を有する基板製造方法。
7. 所定の間隔で配列された複数枚の基板を反応室内に搬送する工程と、
   前記反応管外に設けられて磁場を発生する磁場発生部と、前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられて前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱する被加熱体によって前記反応管内を加熱する工程と、
   前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第１のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第２のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板上に炭化ケイ素膜を成膜する工程と、
   前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、
   を有する基板製造方法。