JP2012146939A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 複数の基板が縦方向に並んで配置される反応室と、
   前記反応室を覆うように設けられ、前記反応室を加熱する加熱部と、
   前記反応室内に前記複数の基板に沿うように設けられ、前記複数の基板が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口を有する第１ガス供給管と、
   前記反応室内に前記複数の基板に沿うように設けられ、前記複数の基板が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口を有する第２ガス供給管と、
   少なくとも前記第２ガスが前記第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、
   を具備する基板処理装置。
2. 請求項１において、
   前記第１遮蔽部は、少なくとも前記第１ガス供給口の両側に設けられ、前記第１ガス供給口から前記複数の基板が配置される方向に延在する遮蔽壁である基板処理装置。
3. 複数の基板を縦方向に搭載したボートを反応室内に搬入するボートローディング工程と、
   前記反応室内に搬入された前記複数の基板に沿うように前記反応室内に設けられた第１ガス供給ノズルに設けられた第１ガス供給口から第１ガス、及び、前記反応室内に搬入された前記複数の基板に沿うように前記反応室内に設けられた第２ガス供給ノズルに設けられた第２ガス供給口から第２ガスを前記複数の基板に供給し、前記第１ガスと前記第２ガスが混合されることにより前記複数の基板上に所定の膜を形成する成膜工程と、
   前記所定の膜が形成された前記複数の基板を前記反応室から搬出するボートアンローディング工程と、を有し、
   前記成膜工程において、前記第１ガスが前記第２ガス供給口に向かう流れを遮蔽部により抑制する半導体デバイスの製造方法。
4. 複数の基板を縦方向に搭載したボートを反応室内に搬入するボートローディング工程と、
   前記反応室内に搬入された前記複数の基板に沿うように前記反応室内に設けられた第１ガス供給ノズルに設けられた第１ガス供給口から第１ガス、及び、前記反応室内に搬入された前記複数の基板に沿うように前記反応室内に設けられた第２ガス供給ノズルに設けられた第２ガス供給口から第２ガスを前記複数の基板に供給し、前記第１ガスと前記第２ガスが混合されることにより前記複数の基板上に所定の膜を形成する成膜工程と、
   前記所定の膜が形成された前記複数の基板を前記反応室から搬出するボートアンローディング工程と、を有し、
   前記成膜工程において、前記第１ガスが前記第２ガス供給口に向かう流れを遮蔽部により抑制する基板の製造方法。