JP2014070249A5 - - Google Patents
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Description
上述の成膜装置は以下の特徴を備えていてもよい。
(a)前記ガス供給部に形成されたガス吐出口は、前記シャワーヘッドを平面でみたとき、当該シャワーヘッドの中央部側と周縁部側とに向けて広がるガスの流れを形成する位置に設けられていること。
(b)前記ガス供給部は、前記シャワーヘッドの周方に沿って3個以上設けられていること。
(c)前記シャワーヘッドは、前記載置部と対向する面の外周に沿って設けられた側壁部を備え、この側壁部には、横方向へ向けてシャワー状にガスを供給する複数のガス供給口が設けられていること。
(d)前記基板が円板であり、前記シャワーヘッドの底面部を平面で見たときの形状が円形であって、前記円板の半径をR、前記底面部の円の半径をrとしたとき、r/Rの値が4/15以上、2/3以下の範囲内であること。
(a)前記ガス供給部に形成されたガス吐出口は、前記シャワーヘッドを平面でみたとき、当該シャワーヘッドの中央部側と周縁部側とに向けて広がるガスの流れを形成する位置に設けられていること。
(b)前記ガス供給部は、前記シャワーヘッドの周方に沿って3個以上設けられていること。
(c)前記シャワーヘッドは、前記載置部と対向する面の外周に沿って設けられた側壁部を備え、この側壁部には、横方向へ向けてシャワー状にガスを供給する複数のガス供給口が設けられていること。
(d)前記基板が円板であり、前記シャワーヘッドの底面部を平面で見たときの形状が円形であって、前記円板の半径をR、前記底面部の円の半径をrとしたとき、r/Rの値が4/15以上、2/3以下の範囲内であること。
この他、ガス供給部4のヘッド部41に設けられたガス吐出口42の構成は、図4に例示したものに限られない。例えばヘッド部41の側面の周方向に伸びる1本のスリットを形成してもよいし、このスリットを網目状の部材で覆った構成としてもよい。さらに、ガス供給部4にヘッド部41を設けることも必須の要件ではない。例えばガス供給路312から吐出されるガスが旋回流を形成しながらシャワーヘッド5内に吐出されるようにらせん状の流路などによりガス供給路312を形成してもよい。この場合にも旋回流を形成しながら吐出されたガスは、シャワーヘッド5内を横方向に広がり、流速が低下した後、ガス供給口511、521から処理空間313へと均一に供給される。
Claims (5)
- 真空雰囲気である処理室内の基板に対して互いに反応する複数種類の反応ガスを順番に供給し、一の反応ガスの供給と次の反応ガスの供給との間に置換用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置において、
前記処理室に設けられ、基板が載置される載置部と、
前記載置部に対向して設けられ、中央から外周に向けて末広がりの形状の傾斜面構造を有する天井部と、
前記天井部の中央領域に設けられ、前記天井部の周方向に沿ってガス吐出口が形成された複数のガス供給部と、
前記複数のガス供給部を下方側から覆うように設けられると共に、前記載置部と対向する面に複数のガス供給口が形成されたシャワーヘッドと、
前記処理室内の真空排気を行う排気部と、を備え、
前記シャワーヘッドの外縁は、前記載置部に載置された基板の外縁よりも内側に位置していることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス供給部に形成されたガス吐出口は、前記シャワーヘッドを平面でみたとき、当該シャワーヘッドの中央部側と周縁部側とに向けて広がるガスの流れを形成する位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給部は、前記シャワーヘッドの周方に沿って3個以上設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッドは、前記載置部と対向する面の外周に沿って設けられた側壁部を備え、この側壁部には、横方向へ向けてシャワー状にガスを供給する複数のガス供給口が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記基板が円板であり、前記シャワーヘッドの底面部を平面で見たときの形状が円形であって、前記円板の半径をR、前記底面部の円の半径をrとしたとき、r/Rの値が4/15以上、2/3以下の範囲内であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。
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JP6597732B2 (ja) | 2017-07-24 | 2019-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
KR102501472B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5284805A (en) * | 1991-07-11 | 1994-02-08 | Sematech, Inc. | Rapid-switching rotating disk reactor |
US5565382A (en) * | 1993-10-12 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Process for forming tungsten silicide on semiconductor wafer using dichlorosilane gas |
KR100267885B1 (ko) * | 1998-05-18 | 2000-11-01 | 서성기 | 반도체 박막증착장치 |
US20030019428A1 (en) * | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
KR20060011887A (ko) * | 2003-05-30 | 2006-02-03 | 에비자 테크놀로지, 인크. | 가스 분산 시스템 |
WO2004111297A1 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Tokyo Electron Limited | 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法 |
US7408225B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-08-05 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms |
TWI498988B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method |
-
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