JP6987821B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP6987821B2
JP6987821B2 JP2019175993A JP2019175993A JP6987821B2 JP 6987821 B2 JP6987821 B2 JP 6987821B2 JP 2019175993 A JP2019175993 A JP 2019175993A JP 2019175993 A JP2019175993 A JP 2019175993A JP 6987821 B2 JP6987821 B2 JP 6987821B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
gas supply
mounting plate
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019175993A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021052154A (ja
Inventor
崇 中川
義朗 廣瀬
直史 大橋
唯史 高崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP2019175993A priority Critical patent/JP6987821B2/ja
Priority to TW108147347A priority patent/TWI761743B/zh
Priority to CN202010137523.6A priority patent/CN112563107B/zh
Priority to KR1020200028298A priority patent/KR102439592B1/ko
Priority to US16/815,116 priority patent/US11380540B2/en
Priority to US16/826,844 priority patent/US10964531B1/en
Publication of JP2021052154A publication Critical patent/JP2021052154A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6987821B2 publication Critical patent/JP6987821B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
スループットと処理品質とを同時に向上させることを目的として、基板を公転させながらガスを供給し、所望の基板処理を行う装置がある。そのような装置としては、例えば特許文献１に記載の技術がある。
基板を処理する際には、基板面内を均一に処理することが望ましい。ところが、基板を公転させる装置の場合、装置形態の制約上、装置の中心側と外周側とで基板へのガス供給の状況が異なる場合がある。その場合、基板面内を均一に処理することが難しく、したがって歩留まり低下につながってしまう。
そこで、本開示では基板を公転させながら処理する装置において、基板の面内を均一に処理可能な技術を提供することを目的とする。
特開２０１６−４２５６１
本開示の一態様によれば、円周状に基板を複数配置可能な基板載置プレートと、前記基板載置プレートを回転させる回転部と、前記基板載置プレートの上方であって、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて配されるガス供給構造と、前記ガス供給構造を含み、前記ガス供給構造から供給されるガス供給量を制御するガス供給部と、前記基板載置プレートの上方であって、前記ガス供給構造の回転方向下流に設けられるガス排気構造と、前記ガス排気構造を含み、前記ガス排気構造から排気されるガス排気量を制御するガス排気部と、前記ガス供給部と前記ガス排気部とを備え、前記基板へのガス主成分量を制御するガス主成分量制御部とを有し、前記ガス主成分量制御部は、前記中心から前記外周にかけて前記基板に供給するガスの主成分の量を調整可能とする構成が提供される。
係る技術によれば、基板を公転させながら処理する装置において、基板の面内を均一に処理処理可能な技術を提供できる。
第１実施形態に係る基板処理装置を説明する説明図である。 第１実施形態に係る基板処理装置を説明する説明図である。 第１実施形態に係るガス供給部を説明する説明図である。 第１実施形態に係るガス供給構造とガス排気構造とを説明する説明図である。 第１実施形態に係るガス供給構造とガス排気構造とを説明する説明図である。 第１実施形態に係る基板処理装置のコントローラを説明する説明図である。 第１実施形態に係る基板処理フローを説明する説明図である。 第１実施形態に係る基板処理フローを説明する説明図である。 第１実施形態で処理する基板の状態を説明する説明図である。 第２実施形態に係る基板処理装置を説明する説明図である。 第２実施形態に係るガス供給構造を説明する説明図である。 第２実施形態に係るガス排気構造を説明する説明図である。 第２実施形態に係るガス供給構造とガス排気構造とを説明する説明図である。 第３実施形態に係るガス供給構造を説明する説明図である。 第３実施形態に係るガス供給構造を説明する説明図である。 第３実施形態に係るガス供給構造と基板へのガス供給との関係を説明する説明図である。
（第１実施形態）
第１実施形態を、図面を参照しながら説明する。
本実施形態に係る基板処理装置の構成について、主に図１、図２を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置２００の横断面概略図である。図２は、本実施形態に係る基板処理装置２００の縦断面概略図であり、図１に示すチャンバのα−α’線断面図である。なお、α−α’線は、αからチャンバ３０２の中心を通ってα’に向かう線である。
基板処理装置２００の具体的構成を説明する。基板処理装置２００は、後述するコントローラ４００により制御される。
図１および図２に示されているように、基板処理装置２００は、主に円筒状の気密容器であるチャンバ３０２で構成される。チャンバ３０２内には、基板１００を処理する処理室３０１が構成されている。チャンバ３０２にはゲートバルブ３０５が接続されており、ゲートバルブ３０５を介して基板１００が搬入出される。
処理室３０１は、処理ガスを供給する処理領域３０６とパージガスを供給するパージ領域３０７を有する。ここでは処理領域３０６とパージ領域３０７は、円周状に交互に配される。例えば、第１処理領域３０６ａ、第１パージ領域３０７ａ、第２処理領域３０６ｂおよび第２パージ領域３０７ｂの順に配される。後述するように、第１処理領域３０６ａ内には第１ガスが供給され、第２処理領域３０６ｂ内には第２ガスが供給され、また第１パージ領域３０７ａおよび第２パージ領域３０７ｂには不活性ガスが供給される。これにより、それぞれの領域内に供給されるガスに応じて、基板１００に対して所定の処理が施される。なお、処理領域３０６ａは第１ドメイン、処理領域３０６ｂは第２ドメインとも呼び、第１パージ領域３０７ａ、第２パージ領域３０７bはパージドメインとも呼ぶ。
パージ領域３０７は、第１処理領域３０６ａと第２処理領域３０６ｂとを空間的に切り分ける領域である。パージ領域３０７の天井３０８は処理領域３０６の天井３０９よりも低くなるよう構成されている。第１パージ領域３０７ａには天井３０８ａが設けられ、第２パージ領域３０７ｂには天井３０８ｂが設けられる。各天井を低くすることで、パージ領域３０７の空間の圧力を高くする。この空間にパージガスを供給することで、隣り合う処理領域３０６を区画している。なお、パージガスは基板１００上の余分なガスを除去する役割も有する。
チャンバ３０２の中央には、チャンバ３０２の中心に回転軸を有し、回転自在に構成される基板載置プレート３１７が設けられている。
基板載置プレート３１７は、チャンバ３０２内に、複数枚（例えば６枚）の基板１００を同一面上に、且つ回転方向に沿って同一円周状に配置可能なよう構成される。ここでいう「同一面」とは、完全な同一面に限られるものではなく、基板載置プレート３１７を上面から見たときに、複数枚の基板１００が互いに重ならないように並べられていればよい。
基板載置プレート３１７表面における基板１００の支持位置には、凹部３１８が設けられている。処理する基板１００の枚数と同数の凹部３１８が基板載置プレート３１７の中心から同心円状の位置に互いに等間隔（例えば６０°の間隔）で配置されている。なお、図１においては、説明の便宜上図示を省略している。
それぞれの凹部３１８は、例えば基板載置プレート３１７の上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状である。凹部３１８の直径は基板１００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。この凹部３１８の底には基板載置面３１９が設けられており、凹部３１８内に基板１００を載置することで、基板１００を基板載置面３１９に載置できる。
基板載置プレート３１７はコア部３２１に固定される。コア部３２１は基板載置プレート３１７の中心に設けられ、基板載置プレート３１７を固定する役割を有する。コア部３２１の下方にはシャフト３２２が配される。シャフト３２２はコア部３２１を支持する。
シャフト３２２の下方は、容器３０２の底部に設けられた孔３２３を貫通し、チャンバ３０２外で気密可能な容器３０４で覆われている。また、シャフト３２２の下端には、昇降回転部３１８が設けられる。なお、シャフト３２２を昇降させない場合は、昇降回転部３１８は単に回転部３１８と呼ぶ。昇降回転部３１８はコントローラ４００の指示によって基板載置プレート３１７を回転、昇降可能に構成される。
基板載置プレート３１７の下方には、加熱部としてのヒータ３８０を内包するヒータユニット３８１が配される。ヒータ３８０は、基板載置プレート３１７に載置した各基板１００を加熱する。ヒータ３８０は、チャンバ３０２の形状に沿って円周状に配される
ヒータ３８０には、ヒータ制御部３８７が接続される。ヒータ３８０はコントローラ４００に電気的に接続され、コントローラ４００の指示によってヒータ３８０への電力供給を制御し、温度制御を行う。
基板載置プレート３１７の外周には排気構造３８６が配される。排気構造３８６は、排気溝３８８と排気バッファ空間３８９とを有する。排気溝３８８、排気バッファ空間３８９は、チャンバ３０２の形状に沿って円周状に構成される。
排気構造３８６の底には、排気口３９２が設けられる。排気口３９２は処理空間３０６ｂに供給される第２ガスと、その上流から供給されるパージガスを主に排気する。各ガスは排気溝３８８、排気バッファ空間３８９を介して排気構造３９１、排気口３９２から排気される。
続いてガス供給部を説明する。
図１に記載のように、チャンバ３０２はガス供給構造４１０を有する。ガス供給構造４１０は基板載置プレート３１７の上方に配される。更に、チャンバ３０２はノズル３５５、３６５、３６６を有する。図１のＡは図３（ａ）のＡと接続される。すなわち、ガス供給構造４１０は供給管２４１に接続される。図１のＢは図３（ｂ）のＢと接続される。すなわち、ノズル３５５は供給管２５１に接続される。図１のＣは図３（ｃ）のＣと接続される。すなわち、ノズル３６５、３６６はそれぞれ供給管２６１に接続される。
続いて、図３でガス供給部を説明する。図３（ａ）はガス供給部の一部である第１ガス供給部２４０である。図３（ａ）を用いてその詳細を説明する。第１ガス供給管２４１からは第１ガスが主に供給される。
第１ガス供給管２４１には、上流方向から順に、第１ガス供給源２４２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４３、及び開閉弁であるバルブ２４４が設けられている。
第１ガス供給管２４１から第１元素を含有するガス（以下、「第１ガス」）が、ＭＦＣ２４３、バルブ２４４、第１ガス供給管２４１を介してシャワーヘッド２３０に供給される。
第１ガスは、原料ガス、すなわち、処理ガスの一つである。ここで、第１元素は、例えばシリコン（Sｉ）である。すなわち、第１ガスは、Sｉガス（Sｉ含有ガスとも呼ぶ）であり、Ｓｉを主成分としたガスである。具体的には、ジクロロシラン（ＤＣＳ、ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスが用いられる。
第１ガスが常温常圧で液体の場合は、第１ガス供給源２４２とＭＦＣ２４３との間に、図示しない気化器を設ければよい。ここでは気体として説明する。
主に、第１ガス供給管２４１、ＭＦＣ２４３、バルブ２４４、ガス供給構造４１０により第１ガス供給部２４０が構成される。更には、第１ガス供給源２４２を第１ガス供給部２４０に含めて考えてもよい。
続いて図３（ｂ）を用いて、ガス供給部の一部である第２ガス供給部２５０を説明する。
第２ガス供給管２５１には、上流方向から順に、第２ガス供給源２５２、流量制御器であるＭＦＣ２５３、バルブ２５４が設けられる。
そして、第２ガス供給管２５１から、第１ガスと反応する反応ガスがシャワーヘッド２３０内に供給される。反応ガスは第２ガスとも呼ぶ。第２ガスは処理ガスの一つであり、例えば窒素を主成分とした窒素含有ガスである。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスが用いられる。
主に、第２ガス供給管２５１、ＭＦＣ２５３、バルブ２５４、ノズル３５５で第２ガス供給部２５０が構成される。なお、第２ガス供給部２５０は、反応ガスを供給する構成であるので、反応ガス供給部とも呼ぶ。更には、第２ガス供給源２５２を第２ガス供給部２５０に含めてもよい。
続いて図３（ｃ）を用いて、ガス供給部の一部であるパージガス供給部２６０を説明する。
パージガス供給管２６１には、上流方向から順に、パージガス供給源２６２、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２６３、バルブ２６４が設けられる。
そして、パージガス供給管２６１からは、パージガスがシャワーヘッド２３０内に供給される。パージガスは、第１ガスや第２ガスと反応しないガスであり、処理室２０１中の雰囲気をパージするパージガスの一つであり、例えば窒素（Ｎ２）ガスである。
主に、パージガス供給管２６１、ＭＦＣ２６３、バルブ２６４、ノズル３６５、ノズル３６６でパージガス供給部２６０が構成される。パージガス供給源２６２をパージガス供給部２６０に含めてもよい。
また、第一ガス供給部２４０、第二ガス供給部２５０、パージガス供給部２６０をまとめてガス供給部と呼ぶ。
次に排気部を説明する。
チャンバ３０２にはガス排気構造４２０、排気口３９２が設けられる。ガス排気構造４２０は基板載置プレート３１７の上方に配される。ガス排気構造４２０と連通するよう、排気管３３４ａが設けられる。排気管３３４ａには、開閉弁としてのバルブ３３４ｄ、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ３３４ｃを介して、真空排気装置としての真空ポンプ３３４ｂが接続されており、処理室３０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
排気管３３４ａ、バルブ３３４ｄ、ＡＰＣバルブ３３４ｃ、ガス排気構造４２０をまとめて第１の排気部３３４と呼ぶ。なお、真空ポンプ３３４ｂを第１の排気部３３４に含めてもよい。
また、排気口３９２と連通するよう、第２の排気部３３５が設けられる。排気口３９２は、処理領域３０６ｂの回転方向下流側に設けられる。主に第２ガスと不活性ガスを排気する。
排気口３９２と連通するよう、第２の排気部３３５の一部である排気管３３５ａが設けられる。排気管３３５ａには、開閉弁としてのバルブ３３５ｄ、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣバルブ３３５ｃを介して、真空排気装置としての真空ポンプ３３５ｂが接続されており、処理室３０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
排気管３３５ａ、バルブ３３５ｄ、ＡＰＣバルブ３３５ｃをまとめて第２の排気部３３５と呼ぶ。なお、真空ポンプ３３５ｂを第２の排気部３３５に含めてもよい。
また、第１ガス供給部２４０と第１ガス排気部３３４をまとめて第１ガス主成分量制御部と呼ぶ。第１ガス主成分量制御部は、第１ガス供給部２４０と第1ガス排気部３３４のいずれか、もしくは両構成の連動により、ガス供給構造４１０、ガス排気構造４２０の下方を通過する基板へのガス主成分の量を調整する。
また、第２ガス供給部２５０と第２ガス排気部３３５をまとめて第２ガス主成分量制御部と呼ぶ。第２ガス主成分量制御部は、第２ガス供給部２５０と第２ガス排気部３３５のいずれか、もしくは両構成の連動により、ノズル３５５の下方を通過する基板へのガスの暴露量を調整する。
次に、ガス供給構造４１０、ガス排気構造４２０の関係性を、図１、図４、図５を用いて説明する。図４は、ガス供給構造４１０とガス排気構造４２０とを、基板載置プレート３１７の外周から中心方向に見た説明図である。また「Ｒ」は図１の「Ｒ」と同様であり、基板載置プレート３１７の回転方向を示す。
図５はガス供給構造４１０、ガス排気構造４２０を上方から見た説明図である。図５においては、図中矢印のうち、Ｃの方向が基板載置プレート３１７の中心側を示し、Ｅの方向が基板載置プレート３１７の外周側を示す。また「Ｒ」は図１の「Ｒ」と同様であり、基板載置プレート３１７の回転方向を示す。Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３は基板１００上の任意の場所を示す。Ｗ２は基板１００の中心位置を示し、Ｗ１はＷ２よりも基板載置プレート３１７の中心側に近い位置を示し、Ｗ３はＷ２よりも基板載置プレート３１７の外周に近い位置を示す。
ガス供給構造４１０は、主に筐体４１１で構成される。筐体４１１の内部はバッファ空間４１２が設けられ、その上方には孔４１３が、下方には孔４１４が設けられる。孔４１３は供給管２４１に連通する。第1ガス供給部２４０から供給されたガスは、孔４１３、バッファ空間４１２、孔４１４を介して基板１００上に供給される。
ガス排気構造４２０は、主に筐体４２１で構成される。筐体４２１の内部はバッファ空間４２２が設けられ、その下方には孔４２３が、上方には孔４２４が設けられる。孔４２４は第１のガス排気部３３４と連通する。ガス供給構造４１０から供給されたガスは、孔４２３、バッファ空間４２２、孔４２４を介して排気される。
図５に記載のように、ガス供給構造４１０を上方から見た場合、筐体４１１はガス排気構造４２０側が解放されたＵの字形状に構成される。図５に点線で記載したように、孔４１４は基板１００の外周形状に沿って形成される。孔４１４は、筐体４１１と同様排気構造４２０側が解放されたＵの字形状としている。ここでは連続した孔形状としたが、基板１００の外周に沿って複数の孔を配置する構造としてもよい。
ガス排気構造４２０を上方から見た場合、筐体４２１はガス供給構造４１０側が解放されたＵの字形状に構成される。孔４２３は筐体４２１の形状に沿って形成される。図５に点線で記載したように、孔４２３は基板１００の外周形状に沿って形成される。孔４２３は筐体４２１と同様、ガス供給構造４１０側が解放されたＵの字形状としている。ここでは連続した孔形状としたが、基板外周に沿って複数の孔を配置する構造としてもよい。
ところで、後述するように、基板１００は多くの溝が形成されている状態である。その場合、溝の壁を構成する柱の表面に膜を形成したりする。溝は基板１００の全面に形成されている。そのため、基板１００の移動方向に対して、垂直方向に領域を分けた場合、基板１００の中央側領域と、基板１００の側方領域とでは表面積が異なる。図５においては、基板載置プレート３１７の中心側であって点Ｗ１を含む側方領域１１０と、点Ｗ２を含む中央側領域１２０と、基板載置プレート３１７の外周側であって点Ｗ３を含む側方領域１３０とで、表面積が異なる。
より具体的には、中央側領域１２０の表面積は、各側方領域１１０、１３０の表面積よりも大きくなる。これは、中央領域１２０における基板１００の移動方向の長さが、側方領域１１０、１３０における基板１００の移動方向の長さよりも大きいためである。なお、ここでのそれぞれの領域は、移動方向に対して垂直な方向の幅は同じものとする。
発明者は鋭意研究の結果、ガスの消費量は基板１００の表面積と比例することがわかった。したがって、表面積が最も多い領域１２０はガスの消費量が最も多い。領域１１０、領域１２０は領域１２０よりもガスの消費量が少ない。
そこで、本技術ではガスの消費量に応じてガスの供給量、即ちガスの主成分の量を設定することとした。具体的には、基板１００において、移動方向の長さに応じたガスの供給時間になるよう、ガス供給構造４１０の孔４１４と、ガス排気構造の孔４２３との距離を基板１００の長さに対応した距離とした。
例えば、領域１２０では孔４１４と孔４２３との間の距離（図５では４１４ｂと４２３ｂとの間の距離Ｌｂ、第１の距離とも呼ぶ。）は、領域１２０の長さに合わせた所定の距離とする。また、領域１１０では孔４１４と孔４２３との間の距離（図５では４１４ａと４２３ａとの間の距離Ｌａ、第２の距離とも呼ぶ。）は、領域１１０の長さに合わせた距離とする。前述のように、領域１２０の表面積は領域１１０よりも大きいので、距離Ｌａ＜距離Ｌｂとなる。
また、領域１１０と領域１３０の幅が同じ場合、距離Ｌａと距離Ｌｃは同じとする。
このように、基板１００の進行方向の長さに応じて供給孔と排気孔との距離を設定するので、基板上のどの領域においてもガスが足りなくなることが無く、したがって基板面内で均一な処理が可能である。
続いて図６を用いてコントローラ４００を説明する。
基板処理装置２００は、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ４００を有している。コントローラ４００は、演算部（ＣＰＵ）４０１、一時記憶部４０２、記憶部４０３、送受信部４０４を少なくとも有する。コントローラ４００は、送受信部４０４を介して基板処理装置２００の各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部４０３からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。なお、コントローラ４００は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ Ｆｌａｓｈ Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）４１２を用意し、外部記憶装置４１２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ４００を構成できる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置４１２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置４２０から送受信部４１１を介して情報を受信し、外部記憶装置４１２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、キーボードやタッチパネル等の入出力装置４１３を用いて、コントローラ４００に指示をしても良い。
なお、記憶部４０２や外部記憶装置４１２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部４０２単体のみを含む場合、外部記憶装置４１２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
（基板処理工程）
次に、図７、図８を用い、基板処理工程について説明する。図７は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。図８は成膜工程S３３０の詳細を説明するフロー図である。以下の説明において、基板処理装置２００の構成各部の動作は、コントローラ４００により制御される。
ここでは、第１ガスとしてシリコン含有ガスを用い、第２ガスとしてアンモニアガスを用い、基板１００に薄膜として窒化シリコン（SｉＮ）膜を形成する例について説明する。
基板搬入・載置工程を説明する。図７においては図示を省略する。基板載置プレート３１７を回転させ、凹部３１８をゲートバルブ３０５と対向する位置に移動さする。次に、リフトピン（図示せず）を上昇させ、基板載置プレート３１７の貫通孔（図示せず）に貫通させる。続いて、ゲートバルブ３０５を開いてチャンバ３０２と真空搬送室（図示せず）と連通させる。そして、この移載室からウエハ移載機（図示せず）を用いて基板１００をリフトピン上に移載し、その後リフトピンを下降させる。これにより、基板１００は凹部３１８上に水平姿勢で支持される。
搬入される基板１００には、図９に記載のように、複数のピラー１０１と、ピラー１０１間に形成された高アスペクト比の極細幅の溝１０２が形成されている。本基板処理工程では、ピラー１０１の表面に膜を形成する。
基板１００が凹部３１８上に支持されたら、基板１００が載置されていない凹部３１８がゲートバルブ３０５と向かい合うよう、基板載置プレート３１７を回転させる。その後、同様に凹部３１８に基板を載置する。すべての凹部３１８に基板１００が載置されるまで繰り返す。
各凹部３１８に基板１００を載置したら、基板移載機を基板処理装置２００の外へ退避させ、ゲートバルブ３０５を閉じてチャンバ３０２内を密閉する。
基板１００を基板載置プレート３１７に載置する際は、予めヒータ３８０に電力を供給し、基板１００の表面が所定の温度となるよう制御する。基板１００の温度は、例えば４００℃以上であって５００℃以下である。ヒータ３８０は、少なくとも基板搬入・載置工程から後述する基板搬出工程が終了するまでの間は、常に通電させた状態とする。
基板載置プレート回転開始工程Ｓ３１０を説明する。基板１００が各凹部３１８に載置されたら、回転部３２４は基板載置プレート３１７をＲ方向に回転させる。基板載置プレート３１７を回転させることにより、基板１００は、第１処理領域３０６ａ、第１パージ領域３０７ａ、第２処理領域３０６ｂ、第２パージ領域３０７ｂの順に移動する。
ガス供給開始工程Ｓ３２０を説明する。基板１００を加熱して所望とする温度に達し、基板載置プレート３１７が所望とする回転速度に到達したら、バルブ２４４を開けて第１処理領域３０６ａ内にシリコン含有ガスの供給を開始する。それと併行して、バルブ２５４を開けて第２処理領域３０６ｂ内にＮＨ３ガスを供給する。
このとき、シリコン含有ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２４３を調整する。なお、シリコン含有ガスの供給流量は、例えば５０ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下である。
また、ＮＨ３ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２５３を調整する。なお、ＮＨ３ガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ以上５０００ｓｃｃｍ以下である。
なお、基板搬入・載置工程Ｓ３１０後、継続して、第１の排気部３３４、第２の排気部３３５により処理室３０１内が排気されるとともに、不活性ガス供給部２６０から第１パージ領域３０７ａ内および第２パージ領域３０７ｂ内にパージガスとしてのＮ２ガスが供給されている。
成膜工程Ｓ３３０を説明する。ここでは成膜工程Ｓ３３０の基本的な流れについて説明し、詳細は後述する。成膜工程Ｓ３３０では、各基板１００は、第１処理領域３０６ａにてシリコン含有層が形成され、更に回転後の第２処理領域３０６ｂにて、シリコン含有層とＮＨ３ガスとが反応し、基板１００上にシリコン含有膜を形成する。所望の膜厚となるよう、基板載置プレート３１７を所定回数回転させる。
ガス供給停止工程Ｓ３４０を説明する。所定回数回転させた後、バルブ２４４，バルブ２５４を閉じ、第１処理領域３０６ａへのシリコン含有ガスの供給、第２処理領域３０６ｂへのＮＨ３ガスの供給を停止する。
基板載置プレート回転停止工程Ｓ３５０を説明する。ガス供給停止Ｓ３４０の後、基板載置プレート３１７の回転を停止する。
基板搬出工程を説明する。図７では図示を省略している。
ゲートバルブ３０５と対向する位置に搬出したい基板１００を移動するよう基板載置プレートを回転させる。その後、基板搬入時と逆の方法で基板を搬出する。これらの動作を繰り返し、すべての基板１００を搬出する。
続いて、図８を用いて成膜工程Ｓ３３０の詳細を説明する。図８は一枚の基板を主体としたフロー図である。成膜工程Ｓ３３０の間、基板載置プレート３１７の回転によって、複数の基板１００を、第１処理領域３０６ａ、第１パージ領域３０７ａ、第２処理領域３０６ｂ、および第２パージ領域３０７ｂを順次通過させる。
第１ガス供給工程Ｓ２０２を説明する。第１ガス供給工程Ｓ２０２では、基板１００が第１処理領域３０６ａを通過する際に、シリコン含有ガスが基板１００に供給される。供給されたシリコン含有ガスは分解され、溝１０２内にシリコン含有層を形成する。
本実施形態における第１パージ工程Ｓ２０４を説明する。基板１００は、第１処理領域３０６ａを通過した後に、第１パージ領域３０７ａに移動する。基板１００が第１パージ領域３０７ａを通過するときに、第１処理領域３０６ａにおいて基板１００上で強固な結合を形成できなかったシリコン含有ガスの成分１０４は、不活性ガスによって基板１００上から除去される。
第２ガス供給工程Ｓ２０６を説明する。基板１００は、第１パージ領域３０７ａを通過した後に第２処理領域３０６ｂに移動する。溝１０２中のシリコン含有ガス成分はＮＨ３ガスの成分と反応し、切断されたシリコン含有ガスの成分とＮＨ３ガスの成分が結合し、結合度のシリコン含有層が形成される。
第２パージ工程Ｓ２０８を説明する。基板１００は、第２処理領域３０６ｂを通過した後に、第２パージ領域３０７ｂに移動する。基板１００が第２パージ領域３０７ｂを通過するときに、第２処理領域３０６ｃにおいて基板１００上の層から脱離したＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌガスや、余剰となったガス等が、不活性ガスによって基板１００上から除去される。
このようにして、基板に対して、互いに反応する少なくとも２つの第２ガスを順番に供給する。以上の第１ガス供給工程Ｓ２０２、第１パージ工程Ｓ２０４、第２ガス供給工程Ｓ２０６、および第２パージ工程Ｓ２０８を１サイクルとする。
判定工程Ｓ２１０を説明する。コントローラ４００は、上記１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。具体的には、コントローラ４００は、基板載置プレート３１７の回転数をカウントする。
上記１サイクルを所定回数実施していないとき（Ｓ２１０でＮｏの場合）、さらに基板載置プレート３１７の回転を継続させて、第１ガス供給工程Ｓ２０２、第１パージ工程Ｓ２０４、第２ガス供給工程Ｓ２０６、第２パージ工程Ｓ２０８を有するサイクルを繰り返す。このように積層することにより薄膜を形成する。
上記１サイクルを所定回数実施したとき（Ｓ２１０でＹｅｓの場合）、成膜工程Ｓ３３０を終了する。このように、上記１サイクルを所定回数回実施することにより、積層した所定膜厚の薄膜が形成される。以上のようにして、溝１０２中に膜を形成する。
以上説明したように、基板の状態、ここでは基板の表面積に応じてガスの主成分の量、即ち主成分の濃度を調整できるので、基板面内で均一に処理できる。したがって、歩留まりを向上できる。
ガス供給構造４１０、ガス排気構造４２０は基板の状態に応じて交換可能としてもよい。例えば、次に処理される基板の表面積情報を受信したら、その表面積に応じたガス供給構造４１０、ガス排気構造４２０に交換する。
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態を説明する。第２実施形態は、第１実施形態と比べて処理領域３０６ａのガス供給構造、ガス排気構造が異なる。他は同様の構成である。以下に、相違点を中心に説明する。
第２実施形態では、図１０に記載のように、処理領域３０６ａのガス供給構造として、ガス供給構造４３０を用いる。また、ガス排気構造としてガス排気構造４４０を用いる。
続いて、基板処理装置２００のような基板１００を公転させる装置における問題点を説明する。発明者は、鋭意研究の結果、公転型の装置の場合、基板載置プレート３１７の中心側と外周側とで基板に供給されるガスの濃度が異なることがわかった。これは、中心側の任意の点と外周側の任意の点とで基板の移動速度が異なるためと推察される。
図１３を用いて説明すると、基板１００の中心側の任意の点Ｗ１と外周側の任意の点Ｗ３とでは、点Ｗ３の移動距離が点Ｗ１の移動距離よりも大きく、そのため点Ｗ３は点Ｗ１よりも早く移動するためである。基板載置プレート３１７の中心側と外周側とでガス供給量を同じとした場合、供給孔の下では点Ｗ３の供給時間が短くなってしまうため、点Ｗ３は点Ｗ１よりも短時間の供給になってしまい、その結果点Ｗ３のガス濃度は点Ｗ１よりも薄くなると推察される。
ガスの濃度、特に主成分の濃度が異なると、膜厚や膜中の主成分の濃度等の膜の状態が異なってしまう。これは、ガスの主成分の量が異なるためである。したがって、歩留まりの低下につながる恐れがある。
本実施形態に係る技術は、基板載置プレート３１７の中心側と外周側とでガスの主成分の量を均一にする技術であり、以下に具体例を説明する。
図１１を用いて、ガス供給構造４３０を説明する。ガス供給構造４３０は、供給バッファ構造４３１とそれに接続される供給管４３２を有する。供給バッファ構造４３１は、基板載置プレート３１７の径方向に複数設けられる。図１１においては、基板載置プレート３１７の中心から、供給バッファ構造４３１ａ、４３１ｂ、４３１ｃの順に設けられている。
供給バッファ構造４３１の下面には孔４３６が設けられる。供給バッファ構造４３１内のガスは、孔４３６を介して基板載置プレート３１７に向けて供給される。供給管４３２はそれぞれの供給バッファ構造４３１に対応して設けられる。供給バッファ構造４３１ａは孔４３６ａを有し、供給管４３２ａが接続される。供給バッファ構造４３１ｂは孔４３６ｂを有し、供給管４３２ｂが接続される。供給バッファ構造４３１ｃは孔４３６ｃを有し、供給管４３２ｃが接続される。各供給管４３１は上流で合流し、合流管４３３に接続される。合流管４３３は第一ガス供給部２４０に接続される。
供給管４３２には、上流方向からＭＦＣ４３４、バルブ４３５が設けらる。供給管４３２ａにはＭＦＣ４３４ａ、バルブ４３５ａが、供給管４３２ｂにはＭＦＣ４３４ｂ、バルブ４３５ｂが、供給管４３２ｃにはＭＦＣ４３４ｃ、バルブ４３５ｃが、それぞれ設けられる。
このように構成することで、それぞれの供給バッファ構造４３１ごとに、基板１００に供給するガス供給量、すなわち主成分の量を制御できる。
続いて、図１２を用いてガス排気構造４４０を説明する。
ガス排気構造４４０は、排気バッファ構造４４１とそれに接続される排気管４４２を有する。排気バッファ構造４４１は、基板載置プレート３１７の径方向に複数設けられる。図１２においては、基板載置プレート３１７の中心から、排気バッファ構造４４１ａ、４４１ｂ、４４１ｃの順に設けられている。
排気バッファ構造４４１の下面には孔４４６が設けられる。排気バッファ構造４４１下方のガスは、孔４４６を介して排気バッファ構造４４１内に移動される。排気管４４２はそれぞれの排気バッファ構造４４１に対応して設けられる。具体的には、排気バッファ構造４４１ａは孔４４６ａを有し、排気管４４２ａが接続される。供給バッファ構造４４１ｂは孔４４６ｂを有し、排気管４４２ｂが接続される。供給バッファ構造４４１ｃは孔４４６ｃを有し、排気管４４２ｃが接続される。各排気管４４２は下流方向で合流し、合流管４４３に接続される。合流管４４３は第１のガス排気部３３４に接続される。
排気管４４２には、上流方向からバルブ４４４、ＡＰＣバルブ４４５を設けてもよい。排気管４４２ａにはバルブ４４４ａ、ＡＰＣバルブ４４５ａが、供給管４４２ｂにはバルブ４４４ｂ、ＡＰＣバルブ４４５ｂが、供給管４４２ｃにはバルブ４４４ｃ、ＡＰＣバルブ４４５ｃが、それぞれ設けられてもよい。
このように構成することで、それぞれの排気バッファ構造４４１ごとに、排気されるガスの量を制御できる。
次に、供給バッファ構造４３１の孔４３６と、排気バッファ構造４４１の孔４４６の関係について図１３を用いて説明する。Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３は基板上の任意の点である。任意の点Ｗ１は基板１００のうち、基板載置プレート３１７の中心側の点を示す。任意の点Ｗ２は、Ｗ１よりも基板載置プレート３１７外周側の点を示す。任意の点Ｗ３は基板１００のうち、Ｗ２よりも基板載置プレート３１７外周側の点を示す。公転軌道Ｒａは任意の点Ｗ１の公転軌道を示し、公転軌道Ｒｂは任意の点Ｗ２の公転軌道を示し、公転軌道Ｒｃは任意の点Ｗ３の公転軌道を示す。
図１３に示すように、それぞれの孔４３６と孔４４６とは、基板１００の公転軌道上で対応するよう構成される。具体的には、任意の点Ｗ１の公転軌道Ｒａ上では、孔４３６ａと孔４４６ａとが対応するよう構成される。任意の点Ｗ２の公転軌道Ｒｂ上では、孔４３６ｂと孔４４６ｂとが対応するよう構成される。任意の点Ｗ３の公転軌道Ｒｃ上では、孔４３６ｃと孔４４６ｃとが対応するよう構成される。
前述したように、それぞれの供給バッファ構造４３１でガスの供給量を制御可能とし、それぞれの排気バッファ構造４４１でガスの排気量を制御可能であるので、対応する供給バッファ構造４３１と排気バッファ構造４４１との間では、個別にガス流れを形成可能にすると共に、基板１００に対するガス供給量を制御できる。すなわち、基板載置プレート３１７の中心側と外周側それぞれでガスの供給量を個別に制御できる。したがって、ガスの主成分の量を個別に制御できる。
このような構造とすることで、移動距離の大きい外周側のガス供給量を移動距離の少ない中心側よりも大きくできる。すなわち、基板上の任意の点において、外周側と中心側とで、晒されるガスの主成分の供給量を等しくできる。したがって、基板１００の面内均一性を向上させ、歩留まりも向上できる。
また、基板１００の移動距離は、基板載置プレート３１７の中心から外周にかけて徐々に大きくなるので、図１３に記載のように、供給バッファ構造４３１と排気バッファ構造４４１とを、例えば３つ以上設けてもよい。3つ以上設けることで、より緻密に、移動距離に対応するガス供給量を制御できる。
このように制御できるので、異なる表面積を有するそれぞれの基板に対しても処理可能である。例えば、表面積の大きい基板や、それに比べて表面積が小さい基板に対しても、それぞれの状態に対応してガスの主成分の供給量を制御できる。
この場合、基板の状態とガスの主成分の供給量を対比したテーブルを予め記憶部４０３に記憶させる。上位装置４２０から次に処理する基板の１００の状態の情報、例えば表面積情報を受信して記憶部４０３に保存し、ＣＰＵ４０１はテーブルと比較して、その情報に応じたガス主成分量制御部の制御値を読み出し、制御する。
このように、異なる表面積を有するそれぞれの基板を処理する場合であっても、それぞれの状態の基板の面内均一性を向上できる。したがって、歩留まりを向上できる。
ここでいう表面積の大きい基板とは、例えば複数の深溝を有する等回路パターンの多い基板であり、それに比べて表面積が小さい基板とは、比較的浅い溝が構成される等パターンの少ない基板を示す。
（第３実施形態）
続いて図１４、図１５、図１６を用いて第３実施形態を説明する。
第３実施形態は、第２実施形態の装置形態における供給バッファ構造が異なる。他は同様の構造である。以下、相違点を中心に説明する。図１４において、矢印のＣ方向は基板載置プレート３１７の中心方向を示し、Ｅは外周方向を示す。また、図１４における奥側は回転方向上流であり、手前が回転方向下流である。
図１５は、後述する供給バッファ構造４５１と孔４５６との関係を説明する説明図である。（ａ）は供給バッファ構造４５１ａを、（ｂ）は供給バッファ構造４５１ｂを、（ｃ）は供給バッファ構造４５１ｃを説明する。Ｒは基板載置プレート３１７の回転方向である。基板１００は、各供給バッファ構造４５１の下方をＲ方向に移動する。
図１６は、それぞれの供給孔４５６と基板１００に供給されるガスの濃度との関係を説明する説明図である。ガスの濃度は、ガスの主成分の濃度ともいう。図中の４６０は、孔４５６から供給されるガスを示す。また、４６０のうち、最も孔４５６に近い濃度の高い部分を４６１とし、孔４５６から離れるにつれ順に４６２、４６３とする。ガス４６０は孔４５６から離れるほど拡散するので、ガス濃度も供給孔４５６から離れるほど低くなる。したがって、ガス濃度は４６１＞４６２＞４６３となる。
図１６においては各バッファ構造４５１の下方を基板１００がＲ方向に移動している。ここでは、バッファ構造４５１ａ下方を点Ｗ１が通過し、バッファ構造４５１ｂ下方をＷ２が通過し、バッファ構造４５１ｃ下方を点Ｗ３が通過するよう構成される。
前述のように、点Ｗ１は基板１００のうち、基板載置プレート３１７の中心側の点を示す。点Ｗ２は、Ｗ１よりも基板載置プレート３１７外周側の点を示す。点Ｗ３は基板１００のうち、Ｗ２よりも基板載置プレート３１７外周側の点を示す。
次に、具体的構造を説明する。供給バッファ構造４５１は、供給バッファ構造４３１と同様に、基板載置プレート３１７の中心から外周にかけて、複数設けられる。図１４においては、中心側から供給バッファ構造４５１ａ、供給バッファ構造４５１ｂ、供給バッファ構造４５１ｃが設けられている。
それぞれの供給バッファ構造４５１は供給管４３２に接続される。供給バッファ構造４５１ａには供給管４３２ａが、供給バッファ構造４５１ｂには供給管４３２ｂが、供給バッファ構造４５１ｃには供給管４３２ｃがそれぞれ接続される。
それぞれの供給バッファ構造４５１は孔４５６を有する。供給バッファ構造４５１ａは孔４５６ａを有し、供給バッファ構造４５１ｂは孔４５６ｂを有し、供給バッファ構造４５１ｃは孔４５６ｃを有する。供給バッファ構造４５１に供給されたガスは、孔４５６経由で基板１００に供給される。
図１５に示すように、それぞれの孔４５６の開口は、基板１００の表面に対して、異なる傾斜角度で設けられる。例えば、孔４５６ａの場合、基板１００表面に対して平行か、もしくはそれよりも基板載置プレート３１７の方向に向かうよう構成される。孔４５６ｃの場合、基板１００の表面に対して、垂直の方向に向かうよう構成される。孔４５６ｂの場合、孔４５６ａの角度と孔４５６ｃの角度の間の角度となるよう構成される。このように、孔４５６の開口方向は、中心から外周にかけて、徐々に基板表面に向かうよう構成されている。
続いて、図１６を用いて上記構成における基板１００に供給されるガスの濃度を説明する。図１６に記載のように、供給孔４６３が基板１００方向に向かうほど、供給孔４６３と基板１００との距離は近づく。前述のように、ガス濃度は供給孔に近いほど高い。図１６においては、（ｃ）が最も近く、（ａ）が最も離れているので、図１４のように供給バッファ構造４５１ａ、供給バッファ構造４５１ｂ、供給バッファ構造４５１ｃが同じ高さにある場合、基板１００に供給されるガスの濃度を（ｃ）＞（ｂ）＞（ａ）とできる。
ところで、前述のように、公転型の装置では基板載置プレート３１７の中心側と外周側とをそれぞれ同じ供給量とした場合、外周側のガスの主成分量が少なくなる。
このような問題に対して、本実施形態においては、点Ｗ１におけるガス濃度を点Ｗ３におけるガス濃度よりも低くするよう制御し、点Ｗ１と点Ｗ３におけるガスの主成分の供給量が同じになるよう制御する。これにより、基板１００の面内での処理を均一にできる。したがって、膜厚や膜中の主成分の濃度等の膜質を均一とし、歩留まりを向上できる。
このように制御できるので、異なる表面積を有するそれぞれの基板に対しても処理可能である。例えば、表面積の大きい基板や、それに比べて表面積が小さい基板に対しても、それぞれの状態に対応してガスの主成分の供給量を制御できる。
この場合、基板の状態とガスの主成分の供給量を対比したテーブルを予め記憶部４０３に記憶させる。上位装置４２０から次に処理する基板の１００の状態の情報、例えば表面積情報を受信して記憶部４０３に保存し、ＣＰＵ４０１はテーブルと比較して、その情報に応じたガス主成分量制御部の制御値を読み出し、制御する。
このように、異なる表面積を有するそれぞれの基板を処理する場合であっても、それぞれの状態の基板の面内均一性を向上できる。したがって、歩留まりを向上できる。
（他の実施形態）
以上、本開示の第１実施形態から第３実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の各実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更することが可能である。
なお、本開示では、第1処理領域にガス供給構造４１０とガス排気構造４２０とを配し、第２処理領域３０６ｂにはそれらに相当する構成を配さない構造を例として説明した。これは、第２処理領域に供給される反応ガスとして、次のような性質を有することを例にしたことによる。すなわち、反応ガスが第1処理領域に供給される原料ガスと反応する際、飽和する性質、もしくは飽和に近い性質を有する例である。
したがって、反応ガスが原料ガスと反応する際に飽和しない性質、特に飽和からかけ離れている性質を有する場合、ガス供給構造４１０とガス排気構造４２０に相当する構成を、第２処理領域３０６ｂに配してもよい。
また、第１実施形態における、ガス供給構造とガス排気構造を、第２実施形態のように複数の供給バッファ構造、排気バッファ構造に分けてもよい。このようにすることで、ガスの主成分量をより緻密に調整できる。
なお、本開示において、同じと表現しているが、完全に同じものを表現したものではなく、多少の誤差を含んだ実質同じものを含む。
１００ 基板
１０１ ピラー
１０２ 溝
２００ 基板処理装置
２４０ ガス供給部
３０１ 処理室
３０２ チャンバ
３１７ 基板載置プレート
３２４ 回転部
３３４ ガス排気部
４１０ ガス供給構造
４２０ ガス排気構造

Claims (9)

  1. 円周状に基板を複数配置可能な基板載置プレートと、
    前記基板載置プレートを回転させる回転部と、
    前記基板載置プレートの上方であって、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて配されるガス供給構造と、
    前記ガス供給構造を含み、前記ガス供給構造から供給されるガス供給量を制御するガス供給部と、
    前記基板載置プレートの上方であって、前記ガス供給構造の回転方向下流に設けられるガス排気構造と、
    前記ガス排気構造を含み、前記ガス排気構造から排気されるガス排気量を制御するガス排気部と、
    前記ガス供給部と前記ガス排気部とを備え、前記基板へのガス主成分量を制御するガス主成分量制御部とを有し、
    前記ガス主成分量制御部は、前記中心から前記外周にかけて前記基板に供給するガスの主成分の量を調整可能とし、
    前記ガス供給部は、前記基板載置プレートの中心部から外周部にかけて一定の供給量でガスを供給し、
    前記基板の中央領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を第1の距離とし、
    前記基板の側方領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を、前記第１の距離よりも短い第２の距離となるよう構成される基板処理装置。
  2. 前記基板が、面内に複数の溝を構成するピラーが形成された状態である場合、
    前記ガス主成分量制御部は、前記基板のうち、前記基板の中央領域に供給するガスの暴露量を、前記基板の側方領域に供給するガスの暴露量よりも大きくする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１の距離および第２の距離は、前記中央領域および前記側方領域に形成される溝の表面積に応じて設定される請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記ガス主成分量制御部は、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて、ガスの供給量を多くするよう構成される請求項１から請求項３のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記ガス供給構造には前記基板載置プレートの中心から外周にかけてガス供給孔が設けられ、前記ガス供給孔は前記基板の表面に対して傾斜を有するよう構成される請求項１から請求項４のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記ガス供給孔は複数設けられ、前記傾斜は、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて、徐々に前記基板の表面に向かうよう構成される請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記ガス供給孔は複数設けられ、それぞれの前記ガス供給孔は、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて、徐々に基板表面に近づくよう構成される請求項５または請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 複数の基板を基板載置プレートに円周状に配置する工程と、
    前記基板載置プレートの回転開始と並行して、
    前記基板載置プレートの上方であって、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて配されるガス供給構造と、前記ガス供給構造を含み、前記ガス供給構造から供給されるガス供給量を制御するガス供給部と、前記基板載置プレートの上方であって、前記ガス供給構造の回転方向下流に設けられるガス排気構造と、前記ガス排気構造を含み、前記ガス排気構造から排気されるガス排気量を制御するガス排気部とを備え、前記基板の中央領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を第1の距離とし、前記基板の側方領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を、前記第１の距離よりも短い第２の距離となる構成で、前記基板へのガス主成分量を制御するガス主成分量制御部が、前記中心から前記外周にかけて前記基板に供給するガスの主成分の量を調整し、前記基板載置プレートに向けてのガス供給を開始する工程と、
    前記ガス供給部が、前記基板載置プレートの中心部から外周部にかけて一定の供給量でガスを供給して前記基板を処理する工程と
    を有する半導体装置の製造方法。
  9. 複数の基板を基板載置プレートに円周状に配置する手順と、
    前記基板載置プレートの回転開始と並行して、
    前記基板載置プレートの上方であって、前記基板載置プレートの中心から外周にかけて配されるガス供給構造と、前記ガス供給構造を含み、前記ガス供給構造から供給されるガス供給量を制御するガス供給部と、前記基板載置プレートの上方であって、前記ガス供給構造の回転方向下流に設けられるガス排気構造と、前記ガス排気構造を含み、前記ガス排気構造から排気されるガス排気量を制御するガス排気部とを備え、前記基板の中央領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を第1の距離とし、前記基板の側方領域が通過する箇所では、前記ガス供給構造と前記ガス排気構造との間を、前記第１の距離よりも短い第２の距離となる構成で、前記基板へのガス主成分量を制御するガス主成分量制御部が、前記中心から前記外周にかけて前記基板に供給するガスの主成分の量を調整した状態で前記基板載置プレートに向けてのガス供給を開始する手順と、
    前記ガス供給部が前記基板載置プレートの中心部から外周部にかけて一定の供給量でガスを供給して前記基板を処理する手順と
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
JP2019175993A 2019-09-26 2019-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム Active JP6987821B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019175993A JP6987821B2 (ja) 2019-09-26 2019-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TW108147347A TWI761743B (zh) 2019-09-26 2019-12-24 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及半導體裝置的製造程式
CN202010137523.6A CN112563107B (zh) 2019-09-26 2020-03-02 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
KR1020200028298A KR102439592B1 (ko) 2019-09-26 2020-03-06 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 기록매체
US16/815,116 US11380540B2 (en) 2019-09-26 2020-03-11 Substrate processing apparatus
US16/826,844 US10964531B1 (en) 2019-09-26 2020-03-23 Method of manufacturing semiconductor device by supplying gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019175993A JP6987821B2 (ja) 2019-09-26 2019-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021052154A JP2021052154A (ja) 2021-04-01
JP6987821B2 true JP6987821B2 (ja) 2022-01-05

Family

ID=75040812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019175993A Active JP6987821B2 (ja) 2019-09-26 2019-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11380540B2 (ja)
JP (1) JP6987821B2 (ja)
KR (1) KR102439592B1 (ja)
CN (1) CN112563107B (ja)
TW (1) TWI761743B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020055665A1 (en) * 2018-09-12 2020-03-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for measuring particles

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3062116B2 (ja) * 1996-07-12 2000-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜・改質集合装置
KR100497748B1 (ko) 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
KR101188977B1 (ko) * 2003-08-20 2012-10-08 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 수직 유동 회전 디스크 반응기용 알킬 압출 유동
US20080241384A1 (en) 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
US8057602B2 (en) 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
KR101028410B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
JP5141607B2 (ja) * 2009-03-13 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101625078B1 (ko) 2009-09-02 2016-05-27 주식회사 원익아이피에스 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치
JP2012084598A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5882777B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2014060309A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP6123208B2 (ja) 2012-09-28 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN105765697B (zh) * 2013-11-26 2020-03-17 应用材料公司 用于批处理的倾斜板及其使用方法
JP6298383B2 (ja) 2014-08-19 2018-03-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6345104B2 (ja) * 2014-12-24 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
TW201634738A (zh) 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
JP2017139297A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6816634B2 (ja) * 2017-02-28 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20180245216A1 (en) 2017-02-28 2018-08-30 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus
JP6945367B2 (ja) 2017-07-05 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法
JP6930382B2 (ja) * 2017-11-06 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210098250A1 (en) 2021-04-01
US20210098251A1 (en) 2021-04-01
US11380540B2 (en) 2022-07-05
CN112563107A (zh) 2021-03-26
KR102439592B1 (ko) 2022-09-05
KR20210036780A (ko) 2021-04-05
TW202113134A (zh) 2021-04-01
CN112563107B (zh) 2024-08-06
US10964531B1 (en) 2021-03-30
JP2021052154A (ja) 2021-04-01
TWI761743B (zh) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10546761B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5276387B2 (ja) 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5800972B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、ガス供給ユニット、カートリッジヘッド及びプログラム
KR102028237B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6987821B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2008124091A (ja) 半導体装置の処理装置および処理方法
JP2016169402A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN112176322B (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序
JP6906490B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP7242612B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TWI817293B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
KR102707575B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7311553B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2006294779A (ja) 熱処理炉
JP6224263B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2013004720A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6987821

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150